存储器系统、非暂时性计算机可读介质及错误校验与校正的方法技术方案

本发明专利技术提供一种存储器系统、非暂时性计算机可读介质及错误校验与校正的方法，可提高非易失性存储器装置的良率、可靠性及寿命。用于控制非易失性存储器装置的错误校验与校正的方法包括将写入数据存储在多个存储区中。所述写入数据可通过执行错误校验与校正编码而产生。可基于从所述存储区读出的多个读取数据中的每一者来执行单独式错误校验与校正解码。当所述单独式错误校验与校正解码关于所有所述读取数据来说均失败时，可通过对所述读取数据执行逻辑运算来提供逻辑运算数据。可基于所述逻辑运算数据来执行组合式错误校验与校正解码。

【技术实现步骤摘要】
存储器系统、非暂时性计算机可读介质及错误校验与校正的方法[相关申请的交叉参考]在2017年7月19日提出申请且名称为“控制对非易失性存储器装置的错误校验与校正的方法及执行所述方法的存储器系统(MethodofControllingErrorCheckandCorrection(ECC)ofNon-VolatileMemoryDeviceandMemorySystemPerformingtheSame)”的韩国专利申请第10-2017-0091656号的全文并入本文供参考。
本文所述的一个或多个实施例涉及一种存储器系统、非暂时性计算机可读介质及错误校验与校正的方法。
技术介绍
半导体存储器装置可被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置(例如，动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)装置)可通过将存储器单元中的电容器充电或放电来存储数据。当电源被关断时，所存储数据会丢失。当电源被关断时，非易失性存储器装置(例如，闪存存储器装置)会保留所存储数据。由于这些差异，易失性存储器装置被广泛用作各种设备的主存储器。非易失性存储器装置在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种错误校验与校正的方法，用于控制非易失性存储器装置的错误校验与校正，其特征在于，所述错误校验与校正的方法包括：将写入数据存储在所述非易失性存储器装置的多个存储区中，所述写入数据是通过执行错误校验与校正编码而产生；基于从所述多个存储区读出的多个读取数据中的每一者来执行单独式错误校验与校正解码；当所述单独式错误校验与校正解码关于所有所述多个读取数据来说均失败时，通过对所述多个读取数据执行第一逻辑运算来提供逻辑运算数据；以及基于所述逻辑运算数据来执行组合式错误校验与校正解码。

【技术特征摘要】
2017.07.19 KR 10-2017-00916561.一种错误校验与校正的方法，用于控制非易失性存储器装置的错误校验与校正，其特征在于，所述错误校验与校正的方法包括：将写入数据存储在所述非易失性存储器装置的多个存储区中，所述写入数据是通过执行错误校验与校正编码而产生；基于从所述多个存储区读出的多个读取数据中的每一者来执行单独式错误校验与校正解码；当所述单独式错误校验与校正解码关于所有所述多个读取数据来说均失败时，通过对所述多个读取数据执行第一逻辑运算来提供逻辑运算数据；以及基于所述逻辑运算数据来执行组合式错误校验与校正解码。2.根据权利要求1所述的错误校验与校正的方法，其特征在于，提供所述逻辑运算数据包括以下中的至少一者：通过对所述多个读取数据执行逐位或运算来提供或数据；以及通过对所述多个读取数据执行逐位与运算来提供与数据。3.根据权利要求2所述的错误校验与校正的方法，其特征在于，不管所述多个读取数据的错误类型如何，均执行以下：基于所述或数据进行的所述组合式错误校验与校正解码及基于所述与数据进行的所述组合式错误校验与校正解码。4.根据权利要求2所述的错误校验与校正的方法，其特征在于，进一步包括：判断所述多个读取数据的错误类型是第一错误类型还是第二错误类型，所述第一错误类型指示0错误的比率大于1错误的比率，所述第二错误类型指示所述1错误的所述比率大于所述0错误的所述比率，所述0错误指示位值1被错误地读出为位值0的情形，所述1错误指示所述位值0被错误地读出为所述位值1的情形。5.根据权利要求4所述的错误校验与校正的方法，其特征在于，基于对所述错误类型的确定来执行以下中的仅一者：基于所述或数据进行的所述组合式错误校验与校正解码及基于所述与数据进行的所述组合式错误校验与校正解码。6.根据权利要求5所述的错误校验与校正的方法，其特征在于：当所述错误类型被确定为所述第一错误类型时，仅执行基于所述或数据进行的所述组合式错误校验与校正解码。7.根据权利要求5所述的错误校验与校正的方法，其特征在于：当所述错误类型被确定为所述第二错误类型时，仅执行基于所述与数据进行的所述组合式错误校验与校正解码。8.根据权利要求1所述的错误校验与校正的方法，其特征在于，进一步包括：当确定通过所述组合式错误校验与校正解码进行的错误校正为失败时，将读取电压改变成校正读取电压；基于所述校正读取电压从所述多个存储区读出多个校正读取数据；通过对所述多个校正读取数据执行第二逻辑运算来提供校正逻辑运算数据；以及基于所述校正逻辑运算数据来执行所述组合式错误校验与校正解码。9.根据权利要求8所述的错误校验与校正的方法，其特征在于：所述读取电压被改变成使得0错误的比率增加，所述0错误指示位值1被错误地读出为位值0，且所述1错误指示所述位值0被错误地读出为所述位值1。10.根据权利要求9所述的错误校验与校正的方法，其特征在于，通过对所述多个校正读取数据执行逐位或运算来提供校正或数据，且所述组合式错误校验与校正解码是基于所述校正或数据而执行。11.根据权利要求8所述的错误校验与校正的方法，其特征在于：所述读取电压被改变成使得1错误的比率增加，且所述1错误指示所述位值0被错误地读出为所述位值1。12.根据权利要求11所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金志锡，朴商仁，朴一汉，尹翔镛，林奎善，崔晟云，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR