曝光方法、曝光装置和制造物品的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了曝光方法、曝光装置和制造物品的方法。本发明专利技术提供一种曝光方法，所述曝光方法用于重复地执行用于经由投影光学系统对基板进行曝光的曝光处理，所述方法包括：第一曝光处理，所述第一曝光处理用于测量所述投影光学系统的光学特性，并且在基于所述测量的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光；第二曝光处理，所述第二曝光处理用于在基于通过预测公式估计所述光学特性的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光，其中，重复地执行所述第一曝光处理，并且在其中判断所确定的所述预测公式的系数已收敛的所述第一曝光处理之后开始所述第二曝光处理。

Exposure method, exposure device and method of making articles

The invention discloses an exposure method, an exposure device and a method for manufacturing articles. The invention provides an exposure method for repeatedly performing an exposure process for exposing a substrate via a projection optical system. The method comprises a first exposure process, a first exposure process for measuring the optical characteristics of the projection optical system, and a base for correcting the optical characteristics based on the measured results. The plate is exposed; the second exposure process is used to expose the substrate while correcting the optical properties based on the results of estimating the optical properties by the prediction formula, in which the first exposure process is repeated and after judging that the coefficients of the determined prediction formula have converged to the first exposure process. The second exposure process is started.

【技术实现步骤摘要】
曝光方法、曝光装置和制造物品的方法
本专利技术涉及曝光方法、曝光装置和制造物品的方法。
技术介绍
作为在诸如用于半导体器件的制造处理(光刻处理)中使用的一个装置，已知用于经由投影光学系统对基板进行曝光并将掩模的图案转印到基板上的曝光装置。在该曝光装置中，由于曝光光(exposurelight)的一部分在投影光学系统中被吸收，因此投影光学系统的光学特性受由此产生的热的影响而波动，并且以良好的精度将掩模的图案转印到基板上可能是困难的。日本专利公开No.S63-58349提出了如下方法：该方法用于使用将曝光量、曝光时间等当作变量的预测公式(模型公式)来预测投影光学系统的光学特性，并基于其预测值来控制投影光学系统的光学特性。日本专利公开No.S63-58349还提出了如下方法：该方法为了减小预测值中产生的误差，实际测量投影光学系统的光学特性，并基于测量值来校正预测公式。另外，日本专利公开2006-157020提出了如下方法：该方法用于根据投影光学系统的光学特性的测量值和预测值之间的误差来改变下一次实际测量光学特性的时间间隔。如日本专利公开2006-157020所记载的，当基于光学特性的测量值和预测值之间的误差来确定预测公式的适当性时，例如，在光学特性的测量值中出现测量误差的情况下，可能难以适当地执行预测公式的适当性的确定。结果，可能执行实际上不需要的光学特性测量，这对于吞吐量是不利的。
技术实现思路
本专利技术提供例如在吞吐量上有利的曝光方法。根据本专利技术的一个方面，提供一种曝光方法，所述曝光方法用于重复地执行用于经由投影光学系统对基板进行曝光的曝光处理，所述方法包括：第一曝光处理，所述第一曝光处理用于测量所述投影光学系统的光学特性，并且在基于所述测量的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光；第二曝光处理，所述第二曝光处理用于在基于通过预测公式估计所述光学特性的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光，其中，所述第一曝光处理包括从直到目前为止测量所述光学特性的结果来确定所述预测公式的系数，以及判断所确定的所述预测公式的系数是否已收敛，并且其中，在所述曝光方法中，重复地执行所述第一曝光处理，并且在其中判断所确定的所述预测公式的系数已收敛的所述第一曝光处理之后开始所述第二曝光处理。根据本专利技术的一个方面，提供一种曝光装置，所述曝光装置重复地执行用于经由投影光学系统对基板进行曝光的曝光处理，所述装置包括：测量设备，所述测量设备被配置为测量所述投影光学系统的光学特性；以及控制器，所述控制器被配置为在重复地执行第一曝光处理之后，开始第二曝光处理，所述第一曝光处理用于在基于使所述测量设备测量所述光学特性的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光，所述第二曝光处理用于在基于根据预测公式预测所述光学特性的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光，其中，所述第一曝光处理包括从直到目前为止测量所述光学特性的结果来确定所述预测公式的系数，以及判断所确定的所述预测公式的系数是否已收敛，并且其中，所述控制器被配置为在其中判断所确定的所述预测公式的系数收敛的所述第一曝光处理之后开始所述第二曝光处理。根据本专利技术的一个方面，提供一种制造物品的方法，所述方法包括：使用曝光方法对基板进行曝光；使经曝光的基板显影；以及对经显影的基板进行处理以制造物品，其中，所述曝光方法重复地执行用于经由投影光学系统对基板进行曝光的曝光处理，并且包括：第一曝光处理，所述第一曝光处理用于测量所述投影光学系统的光学特性，并且在基于所述测量的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光；第二曝光处理，所述第二曝光处理用于在基于通过预测公式估计所述光学特性的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光，其中，所述第一曝光处理包括从直到目前为止测量所述光学特性的结果来确定所述预测公式的系数，以及判断所确定的所述预测公式的系数是否已收敛，并且其中，在所述曝光方法中，重复地执行所述第一曝光处理，并且在其中判断所确定的所述预测公式的系数已收敛的所述第一曝光处理之后开始所述第二曝光处理。从以下参考附图对示例性实施例的描述，本专利技术的其它特征将变得清楚。附图说明图1是示出曝光装置的配置的示意图。图2是用于示出根据曝光的投影光学系统的像差波动(光学特性波动)的示例的图。图3是示出实施例的曝光方法的流程图。图4是用于示出投影光学系统的光学特性的测量方法的图。图5A是用于示出由每一次的第一曝光处理针对具有时间常数TS1的指标所确定的预测公式的系数的图。图5B是用于示出由每一次的第一曝光处理针对具有时间常数TS2的指标所确定的预测公式的系数的图。图6是用于示出投影光学系统的光学特性的预测值和测量值的图。具体实施方式以下将参考附图来描述本专利技术的示例性实施例。注意，在整个附图中，相同的附图标记表示相同的构件，并且将不给出其重复描述。<第一实施例>给出关于根据本专利技术的第一实施例的曝光装置10的描述。图1是示出作为本专利技术的方面的曝光装置10的配置的示意图。曝光装置10是如下的曝光装置(例如，扫描仪或步进器)：该曝光装置用于重复执行用于经由投影光学系统14来将掩模M的图案投影到基板W上以对基板W进行曝光的曝光处理。曝光装置10具有光源11、照明光学系统12、掩模台(stage)驱动器13、投影光学系统14、基板台15和主控制器16。另外，曝光装置10具有掩模台驱动器21、孔径驱动器22、透镜驱动单元23、光投射光学系统24、检测光学系统25、激光干涉仪26和基板台驱动器27。在图1中，将与投影光学系统14的光轴平行的方向设置为Z轴，并且将与Z轴正交的方向设置为X轴和Y轴。另外，Y轴被设置为纸面的方向，并且X轴被设置为与纸面正交的方向。主控制器16例如具有CPU或存储器(存储单元)等，并且经由光源控制器31、照明控制器32、投影控制器33和台控制器34来控制整个曝光装置10(曝光装置10的每个单元)。除了控制用于对基板W进行曝光的曝光处理之外，主控制器16还控制用于调整投影光学系统14的光学特性(也称为成像特性或光学性能)的调整处理。假定光学特性包括例如图像偏移、聚焦、倍率、畸变像差、像散像差、球面像差、彗形像差和波前像差中的至少一个。波前像差被表示为通过使用Zernike多项式将波前形状展开成的各个项。另外，这些可以统称为“像差”。光源11例如封入诸如KrF或ArF的气体，并发出具有248nm波长的远紫外带的曝光光(激光束)。在主控制器16的控制下，光源控制器31执行光源11的气体交换操作控制、用于波长稳定的控制、以及用于放电和施加中的电压的控制等。从光源11发出的光经由照明光学系统12中的成形光学系统(未示出)而成形为预定形状，并入射在光学积分器(未示出)上。光学积分器形成大量的二次光源，以用于通过均匀的照明分布来照明掩模M。照明光学系统12中的孔径光阑12a具有近似圆形的孔径。照明控制器32将孔径光阑12a的孔径直径，换句话说，照明光学系统12的数值孔径(NA)设置(控制)为预定值。由于照明光学系统12的数值孔径相对于投影光学系统14的数值孔径的比率的值是相干因子(σ值)，因此照明控制器32通过控制孔径光阑12a的孔径直径来设置(控制)σ值。另外，在照明光学系本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种曝光方法，所述曝光方法用于重复地执行用于经由投影光学系统对基板进行曝光的曝光处理，所述方法包括：第一曝光处理，所述第一曝光处理用于测量所述投影光学系统的光学特性，并且在基于所述测量的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光；第二曝光处理，所述第二曝光处理用于在基于通过预测公式估计所述光学特性的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光，其中，所述第一曝光处理包括从直到目前为止测量所述光学特性的结果来确定所述预测公式的系数，以及判断所确定的所述预测公式的系数是否已收敛，并且其中，在所述曝光方法中，重复地执行所述第一曝光处理，并且在其中判断所确定的所述预测公式的系数已收敛的所述第一曝光处理之后开始所述第二曝光处理。

【技术特征摘要】
2017.08.03 JP 2017-1510331.一种曝光方法，所述曝光方法用于重复地执行用于经由投影光学系统对基板进行曝光的曝光处理，所述方法包括：第一曝光处理，所述第一曝光处理用于测量所述投影光学系统的光学特性，并且在基于所述测量的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光；第二曝光处理，所述第二曝光处理用于在基于通过预测公式估计所述光学特性的结果来校正所述光学特性的同时对所述基板进行曝光，其中，所述第一曝光处理包括从直到目前为止测量所述光学特性的结果来确定所述预测公式的系数，以及判断所确定的所述预测公式的系数是否已收敛，并且其中，在所述曝光方法中，重复地执行所述第一曝光处理，并且在其中判断所确定的所述预测公式的系数已收敛的所述第一曝光处理之后开始所述第二曝光处理。2.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，基于在目前的第一曝光处理中确定的所述系数与在过去的第一曝光处理中确定的所述系数之间的比较来执行所述判断。3.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，基于在目前的第一曝光处理中获得的所述系数与在过去的第一曝光处理中获得的所述系数之间的差来执行所述判断。4.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，基于在不包括目前的第一曝光处理的多次第一曝光处理中获得的所述系数的移动平均值与在包括目前的第一曝光处理的多次第一曝光处理中获得的所述系数的移动平均值之间的差来执行所述判断。5.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，所述光学特性包括其时间常数彼此不同的多个指标，并且所述多个指标包括图像偏移、聚焦、倍率、畸变像差、像散像差、球面像差和彗形像差中的至少一个。6.根据权利要求5所述的曝光方法，其中，在所述确定中，针对每个指标确定所述预测公式的系数。7.根据权利要求5所述的曝光方法，其中，在所述确定中，针对每个指标确定所述预测公式的系数，并且基于在目前的第一曝光处理中针对每个指标获得的所述系数的合计值与在过去的第一曝光处理中针对每个指标获得的所述系数的合计值之间的差来执行所述判断。8.根据权利要求5所述的曝光方法，其中，在所述确定中，针对每个指标确定所述预测公式的系数，并且基于在不包括目前的第一曝光处理的多次第一曝光处理中针...

【专利技术属性】
技术研发人员：小泉僚，中村忠央，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP