一种外延片的监控芯片结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种外延片的监控芯片结构，包括外延片、外延片上两种以上不同尺寸的芯片结构、点测探针、数据记录电脑；其中：所述芯片结构为外延片的监控芯片结构和正常产品芯片结构，所述监控芯片结构均匀分布在外延片上可体现整片外延片的光电特性，且所述监控芯片结构所占面积不得超过所述外延片总面积的3%，所述点测探针与数据记录电脑连接，所述点测探针与监控芯片结构接触，用于检测所述监控芯片结构。本实用新型专利技术的优点在于：将一片外延片上制作不同尺寸的芯片结构,同时可以满足外延片在芯片端的光电性监控,又可避免大量监控芯片造成库存过多的问题。

A Monitor Chip Architecture for Epitaxy Chips

The utility model discloses a monitoring chip structure of an epitaxy chip, which includes two or more different sizes of chip structures, a point probe and a data recording computer on the epitaxy chip, wherein the chip structure is a monitoring chip structure of an epitaxy chip and a normal product chip structure, and the monitoring chip structure is evenly distributed on the epitaxy chip to reflect the photoelectric characteristics of the whole epitaxy chip. Moreover, the area of the monitoring chip structure shall not exceed 3% of the total area of the epitaxy chip. The point probe is connected with the data recording computer, and the point probe contacts the monitoring chip structure for detecting the monitoring chip structure. The utility model has the advantages that the chip structure of different sizes is made on an epitaxy chip, and the photoelectric monitoring of the epitaxy chip at the chip end can be satisfied, and the problem of excessive inventory caused by a large number of monitoring chips can be avoided.

【技术实现步骤摘要】
一种外延片的监控芯片结构
本技术涉及发光二极管生产
，尤其涉及一种外延片的监控芯片结构。
技术介绍
发光二极管外延段的金属有机化合物化学气相沉淀(Metal-organicChemicalVaporDeposition:MOCVD)日常生产中,送外延片到芯片段监控外延片的芯片数据,是目前业界使用来确认外延生产稳定性的方式。随着发光二极管产品应用多元，芯片产品尺寸与规格也随之多样化。现行普遍外延产出监控方式是将整片外延片投入芯片制程,芯片段利用单一尺寸的制程结构,将此外延片制作成上万颗发光尺寸规格一致的二极管芯片。此方式存在最大缺点是大量的外延片制作成单一尺寸芯片库存的囤积,若芯片尺寸根据市场状况作切换去做监控时,容易造成监控数据难以比对的问题。
技术实现思路
（一）解决的技术问题针对现有技术的不足，本技术提供了一种外延片的监控芯片结构，解决了现有技术中单一尺寸芯片库存容易大量囤积,监控数据难以比对的问题。（二）技术方案为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种外延片的监控芯片结构，包括外延片、外延片上两种以上不同尺寸的芯片结构、点测探针、数据记录电脑；其中：所述芯片结构为外延片的监控芯片结构和正常产品芯片结构，所述监控芯片结构均匀分布在外延片上可体现整片外延片的光电特性，且所述监控芯片结构所占面积不得超过所述外延片总面积的3%，所述点测探针与数据记录电脑连接，所述点测探针与监控芯片结构接触，用于检测所述监控芯片结构。一种外延片的监控芯片结构，其中：所述外延片为2寸、4寸或6寸大小。一种外延片的监控芯片结构，其中：所述外延片为可发出红光、蓝光、绿光、紫外光波段的发光二极管外延片。一种外延片的监控芯片结构，其中：所述监控芯片结构的尺寸小于正常产品芯片结构的尺寸。（三）有益效果与现有技术相比，本技术提供了一种外延片的监控芯片结构，具备以下有益效果：将一片外延片上制作不同尺寸的芯片结构,同时可以满足外延片在芯片端的光电性监控,又可避免大量监控芯片造成库存过多的问题。附图说明图1为本技术的整体结构示意图。附图标记：外延片1、监控芯片结构2、正常产品芯片结构3、点测探针4、数据记录电脑5。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例1、如图1所示，一种外延片的监控芯片结构，包括外延片1、外延片1上两种以上不同尺寸的芯片结构、点测探针4、数据记录电脑5；其中：所述芯片结构为外延片1的监控芯片结构2和正常产品芯片结构3，所述监控芯片结构2均匀分布在外延片1上可体现整片外延片的光电特性，且所述监控芯片结构2所占面积不得超过所述外延片1总面积的3%，所述点测探针4与数据记录电脑5连接，所述点测探针4与监控芯片结构2接触，用于检测所述监控芯片结构2。实施例2、一种外延片的监控芯片结构，其中：所述外延片1为2寸、4寸或6寸大小。其余同实施例1。实施例3、一种外延片的监控芯片结构，其中：所述外延片1为可发出红光、蓝光、绿光、紫外光波段的发光二极管外延片。其余同实施例1。实施例4、一种外延片的监控芯片结构，其中：所述监控芯片结构2的尺寸小于正常产品芯片结构3的尺寸。其余同实施例1。工作原理：在一整批MOCVD产出的外延片1中,挑选具代表整批产出的外延片1，将挑选出的外延片1,利用芯片制程在外延片上制作出不同尺寸的芯片结构，分别为面积为8mil*8mil尺寸的监控芯片结构2和面积为22mil*35mil尺寸的正常产品芯片结构3，通过点测探针4对外延片1上不同尺寸的芯片结构进行检测,可得到监控芯片结构2和正常产品芯片结构3的光电点测数据,监控芯片结构尺寸2长久不变,即以监控芯片结构2的数据长期监控外延产出，正常产品芯片结构3尺寸则依照市场所需,随时可调整。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种外延片的监控芯片结构，包括外延片（1）、外延片（1）上两种以上不同尺寸的芯片结构、点测探针（4）、数据记录电脑（5）；其特征在于：所述芯片结构为外延片（1）的监控芯片结构（2）和正常产品芯片结构（3），所述监控芯片结构（2）均匀分布在外延片（1）上可体现整片外延片的光电特性，且所述监控芯片结构（2）所占面积不得超过所述外延片（1）总面积的3%，所述点测探针（4）与数据记录电脑（5）连接，所述点测探针（4）与监控芯片结构（2）接触，用于检测所述监控芯片结构（2）。

【技术特征摘要】
1.一种外延片的监控芯片结构，包括外延片（1）、外延片（1）上两种以上不同尺寸的芯片结构、点测探针（4）、数据记录电脑（5）；其特征在于：所述芯片结构为外延片（1）的监控芯片结构（2）和正常产品芯片结构（3），所述监控芯片结构（2）均匀分布在外延片（1）上可体现整片外延片的光电特性，且所述监控芯片结构（2）所占面积不得超过所述外延片（1）总面积的3%，所述点测探针（4）与数据记录电脑（5）连接，所述点测探针（4...

【专利技术属性】
技术研发人员：武良文，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36