一种聚3,4-乙烯二氧噻吩纳米网状结构薄膜及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种聚3,4‑乙烯二氧噻吩纳米网状结构薄膜及其制备方法，所述的聚3,4‑乙烯二氧噻吩呈纳米网状结构。所述的聚3,4‑乙烯二氧噻吩薄膜具体按如下方法进行制备：在三电极电解池体系中，以3,4‑乙烯二氧噻吩为单体，以高氯酸锂为支持电解质，以乙腈为电解溶剂，混合均匀得到电解液，以氧化铟锡导电玻璃电极为工作电极，以铂电极为辅助电极，以银/氯化银电极为参比电极，在室温下采用循环伏安法或恒电位法进行电化学聚合反应，得到沉积在所述工作电极上的聚合物薄膜，经淋洗、干燥得到聚3,4‑乙烯二氧噻吩薄膜。本发明专利技术所制得的导电聚合物薄膜具有特殊的纳米网状结构，相比于普通平面结构具有更优异的电致变色性能。

A poly(3,4-ethylenedioxythiophene) nano-reticulated structure film and its preparation method and Application

The invention discloses a poly (3,4) ethylenedioxythiophene nano-reticulated structure film and a preparation method thereof. The poly (3,4) ethylenedioxythiophene nano-reticulated structure is disclosed. The poly(3,4_ethylenedioxythiophene) thin films are prepared by the following methods: in a three-electrode electrolytic cell system, the electrolyte is evenly mixed with 3,4_ethylenedioxythiophene as monomer, lithium perchlorate as supporting electrolyte, acetonitrile as electrolyte solvent, indium tin oxide conductive glass electrode as working electrode, platinum electrode as auxiliary electrode, silver/silver chloride electrode as supporting electrolyte. Polymer films deposited on the working electrodes were prepared by cyclic voltammetry or potentiostatic electrochemical polymerization at room temperature. Poly (3,4 -ethylenedioxythiophene) films were obtained by elution and drying. The conductive polymer film prepared by the invention has a special nano-network structure, and has better electrochromic performance than the ordinary plane structure.

【技术实现步骤摘要】
一种聚3,4-乙烯二氧噻吩纳米网状结构薄膜及其制备方法与应用
本专利技术涉及一种聚3,4-乙烯二氧噻吩纳米网状结构薄膜及其制备方法与应用。
技术介绍
共轭型高分子具有优越的导电性，在场效应晶体管、发光二极管、太阳能电池、电致变色等领域具有巨大的应用前景。采用电化学聚合相应氧化还原活性单体，是制备高分子材料的有效方法。通过电化学聚合得到的聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩及其它们的衍生物在电子设备和机械制动器中都得到了广泛的应用。聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)是典型的p型共轭导电聚合物，在很多领域已被广泛研究，如抗静电、抗腐蚀材料，超级电容器，电池，电致变色显示器，生物传感器等。近年来，一些纳米结构导电高分子材料凭借其质量轻、成本低、易于成型和加工等优点，引起了科学和工程学科的广泛兴趣。硬模板、软模板和分子模板法等方法是制备该类材料主要方法，除此之外，采用无模板的电化学方法也能得到具有取向性的聚苯胺和聚噻吩纳米线结构，虽然基于这些纳米结构导电高分子材料的功能性器件已经在文献中有过报道，但是通过简单无模板法制备一系列高质量可以应用到电子器件和传感器的纳米结构高分子材料仍然存在着困难。专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚3,4‑乙烯二氧噻吩纳米网状结构薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种聚3,4-乙烯二氧噻吩纳米网状结构薄膜。2.一种如权利要求1所述的聚3,4-乙烯二氧噻吩纳米网状结构薄膜，其特征在于：所述的聚3,4-乙烯二氧噻吩纳米网状结构薄膜具体按如下方法进行制备：在三电极电解池体系中，以3,4-乙烯二氧噻吩为单体，以高氯酸锂为支持电解质，以乙腈为电解溶剂，混合均匀得到电解液，以氧化铟锡导电玻璃电极为工作电极，以铂电极为辅助电极，以银/氯化银电极为参比电极，在室温下采用循环伏安法或恒电位法进行电化学聚合反应，得到沉积在所述工作电极上的聚合物薄膜，经淋洗、干燥得到聚3,4-乙烯二氧噻吩纳米网状结构薄膜；所述的电解液中，所述的3,4-乙烯二氧噻吩单体的初始终浓度为1～10mmol/L；所述的支持电解质高氯酸锂的初始终浓度为0.01～0.1mol/L。3.如权利要求2所述的聚3,4-乙烯二氧噻吩纳米网状结构薄膜，其特征在于：所述的3,4-乙烯二氧噻吩单体的初始终浓度为5mmol/L。4.如权利要求2所述的聚3,4-乙烯二氧噻吩纳米网状结构薄膜，其特征在于：所述的支持电解质高氯酸锂的初始终浓度为0.1mol/L。5.如权利要求2所述的聚3,4-乙烯二氧噻吩纳米网状结构薄膜，其特征在于：所述的循环伏安法为：在所述电解液环境中，在-1.0～2.0V电压范围内以0.01～0.5V/s的速率...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳密，陈钧，刘幼幼，吕耀康，张诚，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33