具线路的导线架改良结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种具线路的导线架改良结构，包含有：一导线架、一平台及一线路。该导线架包括一边框、多个联结杆、一金属芯片座及一贯穿区域，该些联结杆与该边框及该金属芯片座连结。该平台设于该贯穿区域上，该平台的表面上具有多个沟槽。该线路包含多条的导电线、多个导电部及多条电力线，该些导电线及该些电力线设于该些沟槽中，以该些电力线串接该些导电线与该边框，在进行导线架电力导电量测时，不会使电力产生断路无法传递的问题。

【技术实现步骤摘要】
具线路的导线架改良结构
本技术涉及一种导线架，尤指一种具有电力线(杆)连结测试线路接脚的导线架改良结构。
技术介绍
已知，目前的IC半导体芯片或发光二极管的发光芯片在封装时，都是先将芯片固晶导线架后，再进行打金线使芯片与内脚线路电性连结，在打完金线后于利用树脂于该芯片及该导线架上形成一封装体，再进行裁切成为一颗颗的半导体元件。上述的导线架制作时(如图1、图2)，通过冲压技术将该金属板进行冲压后形成有一个导线架1a，该导线架1a具有一边框11a、多个联结杆12a、一金属芯片座13a及贯穿区域14a，该些联结杆12a与该边框11a及该金属芯片座13a连结，该贯穿区域14a包含有一第一贯穿口141a、一第二贯穿口142a及一第三贯穿口143a。在于导线架1a上利用射出或热压技术将塑料成型于该贯穿区域14a的第一贯穿口141a、该第二贯穿口142a及该第三贯穿口143a中形成有一平台2a。接着，以雷射光雕机于该平台2a的一侧面上进行光蚀刻，在光蚀刻后于该平台2a的一侧面上形成有多个沟槽21a及该些沟槽21a上各具有一导通孔22a。最后，以薄膜沉积过程中使金属材料沉积在该些沟槽21a及该些贯穿孔22a里形成一线路3a。在上述的线路3a沉积后，将该导线架1a进行导通电力的测试，在测试过程中，该边框11a与该线路3a的多条导电线31a的其中一条有沉积金属材料不完全，将造成导电线31a与该边框11a形成断路，导致导电不良，使电力无法传递，将会影响该导线架1a的该些导电线31a的测试效果。
技术实现思路
因此，本技术的主要目的，在于解决传统缺失，本技术提供一新技术，在导线架的线路上增加电力线，以该电力线串接该线路的每一条导电线，在进行导线架电力导电量测时，不会使电力产生断路无法传递的问题。为达上述的目的，本技术提供一种具线路的导线架改良结构，包含有﹕一导线架、一平台及一线路。该导线架包括有一边框、多个联结杆、一金属芯片座及一贯穿区域，该些联结杆与该边框及该金属芯片座连结。该平台设于该贯穿区域上，该平台的表面上具有多个沟槽。该线路包含有多条的导电线及多条电力线，该些导电线及该些电力线设于该些沟槽中，以该些电力线电性连结该些导电线与该边框。在本技术的一实施例中，该贯穿区域包含有两个以上的贯穿口。在本技术的一实施例中，该平台为塑料。在本技术的一实施例中，该塑料为环氧树脂封装材料。在本技术的一实施例中，该些沟槽上各具有一贯穿孔，该些贯穿孔贯穿该平台的该正面及该背面。在本技术的一实施例中，多个导电部设于该些贯穿孔中，以贯穿该平台的该正面及该背面。以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细描述，但不作为对本技术的限定。附图说明图1，为传统的导线架外观示意图；图2，为图1导线架沉积线路示意图﹔图3，为本技术的导线架结构分解示意图；图4，为本技术的导线架结构外观立体示意图；图5，为图4的背面示意图；图6，为图4的局部放大示意图﹔图7，为图6的侧剖视示意图。其中，附图标记：(现有技术)导线架1a边框11a联结杆12a金属芯片座13a贯穿区域14a第一贯穿口141a第二贯穿口142a第三贯穿口143a平台2a沟槽21a导通孔22a线路3a导电线31a(本技术)导线架1边框11联结杆12金属芯片座13贯穿区域14第一贯穿口141第二贯穿口142平台2沟槽21贯穿孔22线路3导电线31导电部32电力线33具体实施方式兹有关本技术的
技术实现思路
及详细说明，现在配合图式说明如下：请参阅图3、图4、图5、图7，为本技术的导线架结构分解、外观立体、图4的背面及图7的侧剖视示意图。如图所示：本技术的具线路的导线架改良结构，包含有﹕一导线架1、一平台2及一线路3。该导线架1，通过冲压技术将该金属板(图中未示)进行冲压，于该金属板冲压后形成有至少有一个导线架1，该导线架1具有一边框11、多个联结杆(Tiebar)12、一金属芯片座13及贯穿区域14，该些联结杆12与该边框11及该金属芯片座13连结，该贯穿区域14包含有一第一贯穿口141及一第二贯穿口142。该第一贯穿口141位于该金属芯片座13的四边，该第二贯穿口142位于该边框11上。该平台2，利用射出或热压技术将塑料成型于该贯穿区域14的第一贯穿口141及该第二贯穿口142形成有一平台2。在该平台2承型后，该平台2正面使该些联结杆12及该金属芯片座13外露，而平台2的背面仅该金属芯片座13外露。接着，利用雷射光雕机(图中未示)于该平台2的一侧面上进行光蚀刻，在光蚀刻后于该平台2的一侧面上形成有多个沟槽21及该些沟槽21上各具有一贯穿孔22。该些贯穿孔22以贯穿该平台2的正面及背面。在本图式中，该塑料为环氧树脂封装材料(EpoxyMoldingCompound，EMC)。该线路3，在上述该平台2的该些沟槽21及该些贯穿孔22制作完成后，于该些沟槽21及该些贯穿孔22中进行薄膜沉积技术，在薄膜沉积过程中使金属材料沉积在该些沟槽21及该些贯穿孔22里形成有线路3。在成型该线路2后，该线路3包含有多条导电线31、多个导电部32及多条电力线(杆)33。该些导电线31及该些电力线33在沉积后与该边框11电性连结，该些导电部32位于该些贯穿孔22由该平台2正面贯穿至该平台2的背面。该些电力线33则电性连结于该些导电线31上。请参阅图6、图7，为图4的局部放大及图6的侧剖视示意图。如图所示﹕在本技术的导线架1的线路3通过沉积技术完成后，使该线路3与该边框11形成电性连结状态。在该导线架1进行后续的电力特性测试时，只要施加电压于该边框11及该线路3上，即可对该线路3的该些导电线31进行导电特性的量测。过去，在该线路3沉积过程中，若是发生该边框11与该些导电线31的其中一条有沉积金属材料不完全，造成导电不良，电力无法传递时，将会影响该导线架1的该些导电线31的测试效果。此时，有该些电力线33的设计时，可以通过该些电力线33电力传导至该些导电线31上，以利导线架1进行导电特性测试。惟以上所述仅为本技术的较佳实施例，非意欲局限本技术的专利保护范围。当然，本技术还可有其它多种实施例，在不背离本技术精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本技术作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本技术权利要求的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具线路的导线架改良结构，其特征在于，包括有：一导线架，包括有一边框、多个联结杆、一金属芯片座及一贯穿区域，该联结杆与该边框及该金属芯片座连结；一平台，设于该贯穿区域上，该平台的表面上具有多个沟槽；一线路，包含有多条的导电线及多条电力线，该导电线及该电力线设于该沟槽中，以该电力线电性连结该导电线与该边框。

【技术特征摘要】
2018.08.07 TW 1072107801.一种具线路的导线架改良结构，其特征在于，包括有：一导线架，包括有一边框、多个联结杆、一金属芯片座及一贯穿区域，该联结杆与该边框及该金属芯片座连结；一平台，设于该贯穿区域上，该平台的表面上具有多个沟槽；一线路，包含有多条的导电线及多条电力线，该导电线及该电力线设于该沟槽中，以该电力线电性连结该导电线与该边框。2.根据权利要求1所述的具线路的导线架改...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱振丰，陈原富，
申请(专利权)人：复盛精密工业股份有限公司，中山复盛机电有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71