耐腐蚀防漏电铜芯导线制造技术

一种耐腐蚀防漏电铜芯导线，该铜芯导线由铜芯导线本体，溅射在所述铜芯导线本体上的缓冲层和蒸镀在所述缓冲层上的硅薄层构成；在所述铜芯导线本体上添加少量硼、硅、磷、硫、镁、银、钾、钼等元素，所述缓冲层为氮化铝层，通过在铜芯导线表面先溅射一层缓冲层再蒸镀一层硅薄层，使得铜芯导线与硅薄层具有很好的兼容性，克服了金属铜与硅的晶格失配等缺陷，硅薄层使得铜芯导线外表面不易氧化，避免产生电化腐蚀，同时突破了传统输电导线的结构设计，在铜芯导线外表面覆盖一层半导体层再用绝缘层包裹，输电时产生的电能损失更少，即使绝缘外层有破损也不会发生漏电或者引发触电事故。

Corrosion proof and leakage proof copper conductor

A corrosion preventing leakage of copper wire, the copper wire made of copper wire body, constitute a thin layer of silicon sputtering in the copper core wire body on the buffer layer and deposited on the buffer layer; add a small amount of boron, silicon, phosphorus, sulfur, magnesium, potassium, silver, molybdenum etc. the copper wire elements in the body, the buffer layer is an aluminum nitride layer through the copper core wire surface sputtering a buffer layer evaporation a layer of silicon thin layer, the copper core wires with a thin layer of silicon has a good compatibility, overcome the metal copper and silicon lattice mismatch defects the copper wire, the thin layer of silicon surface is not easy to avoid oxidation, electrochemical corrosion, and breaks through the traditional structure design of the transmission line, the copper core wire surface covered with a layer of a semiconductor layer and insulating layer package, transmission loss of power to produce less, even insulation There will be no damage to the outer layer of leakage or cause an electric shock accident.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及铜芯导线制备
，具体涉及一种耐腐蚀防漏电铜芯导线。
技术介绍
铜芯导线具有内阻小，载流量大，抗拉强度高等优点，在电力行业得到了广泛的应用，尽管铜芯导线具有诸多优点，在通常情况下也不会被空气中的氧气氧化，但是通电发热时如果再加上潮湿环境中很容易在表面生成一种氧化膜，进而产生电腐蚀，严重甚至影响到正常输电或者造成大量的电损，同时铜芯导线与绝缘外套直接接触这种传统结构设计，使得输送电能时在接触截面上产生较大的电损，如果绝缘外套破损，容易发生漏电事故。
技术实现思路
本专利技术为解决上述问题，提供一种耐腐蚀防漏电铜芯导线，使得铜芯导线抗氧化，不产生电化腐蚀和电损，具有很好的稳定性。本专利技术所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现：一种耐腐蚀防漏电铜芯导线，该铜芯导线由铜芯导线本体，溅射在所述铜芯导线本体上的缓冲层，蒸镀在所述缓冲层上的硅薄层构成。所述铜芯导线本体由以下重量份百分比元素组成：硼0.04％-0.07％，硼0.04％-0.07％，磷0.04％-0.08％，硫0.03％-0.04％，镁0.02％-0.06％，银0.03％-0.08％，钾0.05％-0.09％，钼0.01％-0.03％，锌0.04％-0.07％，钴0.02％-0.05％，锰0.1％-0.12％，余量为铜；通过在铜芯导线本体上添加少量硼、硅、磷、硫、镁、银、钾、钼等微量元素并控制各元素含量增加该铜芯导线延展性，克服了纯铜芯导线延展性缺陷。所述缓冲层为氮化铝层；所述硅薄层由以下重量份百分比元素组成：硅97％-99％，氢0.3％-0.7％，氮1.5％-2.0％，氧0.5％-0.8％，氟0.1％-0.4％，钾0.2％-0.3％。当通过该铜芯导线电流一定时，所述铜芯导线本体、缓冲层、硅薄层厚度比为(10-20)∶0.8∶1.2。所述缓冲层、硅薄层厚度与通过该铜芯导线的电流成线性关系，其变化比例为通过该铜芯导线电流每增加10A，缓冲层、硅薄层厚度分别相应增加0.3mm，0.8mm，从而依据该铜芯导线所承载的电流制作合适厚度的缓冲层与硅薄层。进一步在所述硅薄层外壁涂覆一层防腐层，所述防腐层由以下重量份的原料配制而成：发泡聚苯乙烯50-60份，聚邻苯二甲酰胺30-40份，聚亚苯基砜树脂15-20份，聚环氧乙烷10-20份，聚芳酯12-18份，珠光粉6-10份，果冻蜡5-8份，云母粉4-6份，水晶土7-9份，钛白粉5-8份，立德粉3-5份。本专利技术的有益效果为：通过在铜芯导线表面先溅射一层缓冲层再蒸镀一层硅薄层，使得铜芯导线与硅薄层具有很好的兼容性，克服了金属铜与硅的晶格失配等缺陷，硅薄层使得铜芯导线外表面不易氧化，避免产生电化腐蚀，同时突破了传统输电导线的结构设计，在铜芯导线外表面覆盖一层半导体层再用绝缘层包裹，输电时产生的电能损失更少，即使绝缘外层有破损也不会发生漏电或者引发触电事故，本专利技术的工艺方法具有工艺路线简单，成本低廉，适宜于大批量生产等优点。具体实施方式：为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合实施例，进一步阐述本专利技术。实施例1所述铜芯导线本体由以下重量份百分比元素组成：硼0.04％，硅0.04％，磷0.04％，硫0.03％，镁0.02％，银0.03％，钾0.05％，钼0.01％，锌0.04％，钴0.02％，锰0.1％，余量为铜；通过在铜芯导线本体上添加少量硼、硅、磷、硫、镁、银、钾、钼等微量元素并控制各元素含量增加该铜芯导线延展性，克服了纯铜芯导线延展性缺陷。所述缓冲层为氮化铝层；所述硅薄层由以下重量份百分比元素组成：硅97％，氢0.3％，氮1.5％，氧0.5％，氟0.1％，钾0.2％。当通过该铜芯导线电流一定时，所述铜芯导线本体、缓冲层、硅薄层厚度比为10∶0.8∶1.2。所述缓冲层、硅薄层厚度与通过该铜芯导线的电流成线性关系，其变化比例为通过该铜芯导线电流每增加10A，缓冲层、硅薄层厚度分别相应增加0.3mm，0.8mm，从而依据该铜芯导线所承载的电流制作合适厚度的缓冲层与硅薄层。进一步在所述硅薄层外壁涂覆一层防腐层，所述防腐层由以下重量份的原料配制而成：发泡聚苯乙烯50份，聚邻苯二甲酰胺30份，聚亚苯基砜树脂15份，聚环氧乙烷10份，聚芳酯12份，珠光粉6份，果冻蜡5份，云母粉4份，水晶土7份，钛白粉5份，立德粉3份。实施例2所述铜芯导线本体由以下重量份百分比元素组成：硼0.06％，硅0.06％，磷0.05％，硫0.03％，镁0.04％，银0.05％，钾0.07％，钼0.02％，锌0.05％，钴0.03％，锰0.11％，余量为铜；通过在铜芯导线本体上添加少量硼、硅、磷、硫、镁、银、钾、钼等微量元素并控制各元素含量增加该铜芯导线延展性，克服了纯铜芯导线延展性缺陷。所述缓冲层为氮化铝层；所述硅薄层由以下重量份百分比元素组成：硅98％，氢0.5％，氮1.8％，氧0.7％，氟0.3％，钾0.2％。当通过该铜芯导线电流一定时，所述铜芯导线本体、缓冲层、硅薄层厚度比为15∶0.8∶1.2。所述缓冲层、硅薄层厚度与通过该铜芯导线的电流成线性关系，其变化比例为通过该铜芯导线电流每增加10A，缓冲层、硅薄层厚度分别相应增加0.3mm，0.8mm，从而依据该铜芯导线所承载的电流制作合适厚度的缓冲层与硅薄层。进一步在所述硅薄层外壁涂覆一层防腐层，所述防腐层由以下重量份的原料配制而成：发泡聚苯乙烯55份，聚邻苯二甲酰胺35份，聚亚苯基砜树脂17份，聚环氧乙烷15份，聚芳酯15份，珠光粉8份，果冻蜡7份，云母粉5份，水晶土8份，钛白粉7份，立德粉4份。实施例3所述铜芯导线本体由以下重量份百分比元素组成：硼0.07％，硅0.07％，磷0.08％，硫0.04％，镁0.06％，银0.08％，钾0.09％，钼0.03％，锌0.07％，钴0.05％，锰0.12％，余量为铜；通过在铜芯导线本体上添加少量硼、硅、磷、硫、镁、银、钾、钼等微量元素并控制各元素含量增加该铜芯导线延展性，克服了纯铜芯导线延展性缺陷。所述缓冲层为氮化铝层；所述硅薄层由以下重量份百分比元素组成：硅99％，氢0.7％，氮2.0％，氧0.8％，氟0.4％，钾0.3％。当通过该铜芯导线电流一定时，所述铜芯导线本体、缓冲层、硅薄层厚度比为20∶0.8∶1.2。所述缓冲层、硅薄层厚度与通过该铜芯导线的电流成线性关系，其变化比例为通过该铜芯导线电流每增加10A，缓冲层、硅薄层厚度分别相应增加0.3mm，0.8mm，从而依据该铜芯导线所承载的电流制作合适厚度的缓冲层与硅薄层。进一步在所述硅薄层外壁涂覆一层防腐层，所述防腐层由以下重量份的原料配制而成：发泡聚苯乙烯60份，聚邻苯二甲酰胺40份，聚亚苯基砜树脂20份，聚环氧乙烷20份，聚芳酯18份，珠光粉10份，果冻蜡8份，云母粉6份，水晶土9份，钛白粉8份，立德粉5份。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本专利技术的优选例，并不用来限制本专利技术，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耐腐蚀防漏电铜芯导线，其特征在于：该铜芯导线由铜芯导线本体，溅射在所述铜芯导线本体上的缓冲层，蒸镀在所述缓冲层上的硅薄层构成；所述铜芯导线本体由以下重量份百分比元素组成：硼0.04％‑0.07％，硼0.04％‑0.07％，磷0.04％‑0.08％，硫0.03％‑0.04％，镁0.02％‑0.06％，银0.03％‑0.08％，钾0.05％‑0.09％，钼0.01％‑0.03％，锌0.04％‑0.07％，钴0.02％‑0.05％，锰0.1％‑0.12％，余量为铜；所述缓冲层为氮化铝层；所述硅薄层由以下重量份百分比元素组成：硅97％‑99％，氢0.3％‑0.7％，氮1.5％‑2.0％，氧0.5％‑0.8％，氟0.1％‑0.4％，钾0.2％‑0.3％。

【技术特征摘要】
1.一种耐腐蚀防漏电铜芯导线，其特征在于：该铜芯导线由铜芯导线本体，溅射在所述铜芯导线本体上的缓冲层，蒸镀在所述缓冲层上的硅薄层构成；所述铜芯导线本体由以下重量份百分比元素组成：硼0.04％-0.07％，硼0.04％-0.07％，磷0.04％-0.08％，硫0.03％-0.04％，镁0.02％-0.06％，银0.03％-0.08％，钾0.05％-0.09％，钼0.01％-0.03％，锌0.04％-0.07％，钴0.02％-0.05％，锰0.1％-0.12％，余量为铜；所述缓冲层为氮化铝层；所述硅薄层由以下重量份百分比元素组成：硅97％-99％，氢0.3％-0.7％，氮1.5％-2.0％，氧0.5％-0.8％，氟0.1％-0.4％，钾0.2％-0.3％。2.如权利要求1所述的耐腐蚀防漏电铜芯导...

【专利技术属性】
技术研发人员：王波，王运安，
申请(专利权)人：安徽樵森电气科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34