一种芯片衰减器制造技术

本发明专利技术提供了一种芯片衰减器，涉及衰减器技术领域。该芯片衰减器包括绝缘基板、长条形或十字形电阻体、输入电极、输出电极以及接地电极，输入电极、输出电极以及接地电极均与电阻体的不同位置连接。本发明专利技术提供的芯片衰减器具有体积更小，在实际应用中更加方便的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片衰减器
本专利技术涉及衰减器
，具体而言，涉及一种芯片衰减器。
技术介绍
衰减器是功率增益控制元件，用于电平调整的电路，比如放大器、信号接收器、信号发送器等，都需要对信号或者功率进行衰减调节。无论是在通信技术、雷达相控阵技术、射频技术，还是其他电子电路方面，只要有放大电路，几乎都离不开衰减器。但是，目前市场上的衰减器主要是组合电路，最简单的纯电阻型衰减器也需要三个电阻，对于一些精度、稳定性等要求不高的电路，可以使用纯电阻电路、阻容电路或者阻抗电路组合的衰减电路，整个衰减器的体积较大。有鉴于此，如何解决上述问题，是本领域技术人员关注的重点。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种芯片衰减器，以解决现有技术中芯片衰减器的体积较大的问题。为了实现上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案如下：一方面，本专利技术实施例提出了一种芯片衰减器，所述芯片衰减器包括绝缘基板、长条形电阻体、输入电极、输出电极以及接地电极，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极均与所述电阻体的不同位置连接。进一步地，所述接地电极包括第一接地电极与第二接地电极，所述第一接地电极与所述第二接地电极分别设置于所述的绝缘基板的两端，所述第一接地电极或所述第二接地电极与所述电阻体连接，且所述第一接地电极与所述第二接地电极电连接。进一步地，所述第一接地电极与所述第二接地电极均贯穿所述绝缘基板的正面与背面，所述输入电极与所述输出电极均设置于所述绝缘基板的正面，所述芯片衰减器还包括金属层，所述金属层覆盖于所述绝缘基板的背面。进一步地，所述接地电极包括第一接地电极与第二接地电极，所述第一接地电极与所述第二接地电极分别设置于所述的绝缘基板的两端，所述第一接地电极、所述第二接地电极均与所述电阻体连接。进一步地，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极的形状为多边形。进一步地，所述芯片衰减器还包括标志点，所述标志点设置于所述绝缘基板上，且所述标志点的颜色与所述绝缘基板的颜色不同。进一步地，所述芯片衰减器还包括过渡层，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极均通过所述过渡层与所述绝缘基板连接。进一步地，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极均的表面均位于同一表面上。进一步地，制作所述电阻体的材料包括氮化钽材料。另一方面，本专利技术实施例化提供了另一种芯片衰减器，所述芯片衰减器包括绝缘基板、十字型电阻体、输入电极、输出电极以及接地电极，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极均与所述电阻体的不同位置连接。相对现有技术，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供了一种芯片衰减器，该芯片衰减器包括绝缘基板、长条形或十字形电阻体、输入电极、输出电极以及接地电极，输入电极、输出电极以及接地电极均与电阻体的不同位置连接。其中，由于本专利技术采用一个长条形或十字形电阻体替代原有的多个电阻体，且能够实现衰减器的功能，因此本实施例提供的芯片衰减器的体积更小，在实际应用中更加方便。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1示出了本专利技术实施例提供的一种芯片衰减器的结构示意图。图2示出了本专利技术实施例提供的3dB和10dB芯片衰减器的等效原理图及计算公式。图3示出了本专利技术实施例提供的基于图1的3dB芯片衰减器的测试曲线。图4示出了本专利技术实施例提供的另一种芯片衰减器的结构示意图。图5示出了本专利技术实施例提供的基于图4的10dB芯片衰减器的测试曲线。图标：100-芯片衰减器；110-电阻体；120-输入电极；130-输出电极；140-接地电极；141-第一接地电极；142-第二接地电极；150-绝缘基板；160-标志点；170-金属层；180-过渡层。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。下面将结合本专利技术实施例中附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。下面结合附图，对本专利技术的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。第一实施例请参阅图1，本专利技术实施例提供了一种芯片衰减器100，该芯片衰减器100包括绝缘基板150、长条形电阻体110、输入电极120、输出电极130以及接地电极140，其中，输入电极120、输出电极130以及接地电极140均与电阻体110的不同位置连接。其中，可以理解的是，在本实施例中，输入电极120、输出电极130以及接地电极140均为金属，且均与电阻体110实现物理连接。绝缘基板150采用陶瓷基板，当然地，在其它的一些实施例中，也可以采用其它的材料制作绝缘基板150，本实施例对此并不做任何限定。为了缩小芯片衰减器100的体积，电阻体110设置为长条形电阻体110，利用长条形电阻体110等效传统的T型网络或是π型网络，在极大的减小芯片衰减器100的体积的基础上还能同时改善其高频性能。进一步地，为了提高芯片衰减器100的使用环境要求，电阻体110是通过钽靶和氮气反应溅射得到的氮化钽材料制作而成。进一步地，由于金属与陶瓷材料的连接容易脱落，因此，为了使输入电极120、输出电极130以及接地电极140与绝缘基板150的连接更加牢固，在本实施例中，输入电极120、输出电极130以及接地电极140均通过过渡层180与绝缘基板150连接。其中，制作过渡层180的材料包括但不限于钛钨材料和氮化钽材料，进而实现电极与陶瓷基板的紧密连接。同时，在本实施例中，为了调节输入、输出的阻抗匹配，输入电极120、输出电极130以及接地电极140的形状为多边形，例如形状为矩形，梯形等形状。并且，为了防止输入输出电极130接地导致产品失效，分别对输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片衰减器，其特征在于，所述芯片衰减器包括绝缘基板、长条形电阻体、输入电极、输出电极以及接地电极，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极均与所述电阻体的不同位置连接。

【技术特征摘要】
1.一种芯片衰减器，其特征在于，所述芯片衰减器包括绝缘基板、长条形电阻体、输入电极、输出电极以及接地电极，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极均与所述电阻体的不同位置连接。2.如权利要求1所述的芯片衰减器，其特征在于，所述接地电极包括第一接地电极与第二接地电极，所述第一接地电极与所述第二接地电极分别设置于所述的绝缘基板的两端，所述第一接地电极或所述第二接地电极与所述电阻体连接，且所述第一接地电极与所述第二接地电极电连接。3.如权利要求2所述的芯片衰减器，其特征在于，所述第一接地电极与所述第二接地电极均贯穿所述绝缘基板的正面与背面，所述输入电极与所述输出电极均设置于所述绝缘基板的正面，所述芯片衰减器还包括金属层，所述金属层覆盖于所述绝缘基板的背面。4.如权利要求1所述的芯片衰减器，其特征在于，所述接地电极包括第一接地电极与第二接地电极，所述第一接地电极与所述第二接地电极分别设置于所述的绝缘基板的两端，所述第一接...

【专利技术属性】
技术研发人员：王聪玲，钟清华，龙立铨，朱沙，韩玉成，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，贵州振华电子信息产业技术研究有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52