一种宽频带高性能衰减电路制造技术

本发明专利技术公开了一种宽频带高性能衰减电路，属于微波技术领域，包括多个电阻；其中，第一电阻为并联电阻，其一端与第二电阻的一端连接，另一端与金带连接；第二电阻为串联电阻，其输入端与输出端均与金带连接；其余多个电阻的一端均悬空，另一端均分布在金带上，且在金带上的分布长度与第二电阻的长度相对应；与第二电阻连接的金带为微波信号的输入端或输出端；与第一电阻和其余多个电阻连接的金带均为地。本发明专利技术可通过调整其余多个电阻的个数、位置、宽度、长度来调整衰减电路的驻波比和衰减精度指标，克服了现有技术或衰减精度差、或驻波比差的缺点，满足了工程需求。

【技术实现步骤摘要】
一种宽频带高性能衰减电路
本专利技术属于微波
，具体涉及一种宽频带高性能衰减电路。
技术介绍
整机和测试系统为改善其指标或实现内部匹配，提高测试精度，经常应用一些小衰减器。对这类衰减器的衰减精度和驻波比指标要求较高，且工作频带较宽。因此，需要设计宽频带高性能衰减器。现在常用的衰减电路结构如图1所示。图1(a)为多分支分布参数衰减电路，并联电阻可以为多个，此衰减电路的驻波比较好，设计较灵活，可以加电容补偿，提高衰减精度，图2所示，但小衰减值的衰减器很难补偿，衰减精度达不到有些工程应用要求；图1(b)为常用的T型分布参数衰减电路，此小衰减值衰减电路的衰减精度较高，但驻波比差。现有技术的缺点：现有的小衰减值衰减电路的衰减精度指标，满足不了某些工程应用需求；或现有的衰减精度指标满足工程应用要求的小衰减值衰减电路，驻波比指标非常差。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述技术问题，本专利技术提出了一种宽频带高性能衰减电路，设计合理，克服了现有技术的不足，具有良好的效果。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种宽频带高性能衰减电路，主要由多个电阻组成；其中，第一电阻为并联电阻，其一端与第二电阻的一端连接，另一端与金带连接；第二电阻为串联电阻，其输入端与输出端均与金带连接；其余多个电阻的一端均悬空，另一端均分布在金带上，且在金带上的分布长度与第二电阻的长度相对应；与第二电阻连接的金带为微波信号的输入端或输出端；与第一电阻和其余多个电阻连接的金带均为地。优选地，其余多个电阻中的对称位置的电阻的长度和宽度相等。本专利技术所带来的有益技术效果：本专利技术可通过调整其余多个电阻的个数、位置、宽度、长度来调整衰减电路的驻波比和衰减精度指标，克服了现有技术或衰减精度差、或驻波比差的缺点，满足了工程需求。附图说明图1(a)为现有多分支分布参数衰减电路图。图1(b)为现有T型分布参数衰减电路图。图2为图1(a)加电容补偿后的衰减电路图。图3为图4(a)宽频带高性能衰减电路的原理框图。图4(a)为加两个接地电阻的宽频带高性能衰减电路图。图4(b)为加三个接地电阻的宽频带高性能衰减电路图。图5为加五个接地电阻的宽频带高性能衰减电路图。具体实施方式下面结合附图以及具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明：图4(a)所示，一种宽频带高性能衰减电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻，图3为其等效电路图；图4(b)所示，一种宽频带高性能衰减电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻；图5所示，一种宽频带高性能衰减电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻；其中，第一电阻为并联电阻，其一端与第二电阻连接，另一端与金带连接；第二电阻为串联电阻，其输入端与输出端均与金带连接；第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻的一端悬空，另一端均分布在金带上，且第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻在金带上的分布长度与第二电阻的长度相对应。与第二电阻连接的金带为微波信号的输入端或输出端；与第一电阻连接的金带和与第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻连接的金带为地。第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻或更多个电阻中的对称位置的电阻的长度和宽度相等，如图4(a)和(b)中的第三电阻和第四电阻的长度和宽度相等，如图5中的第三电阻和第四电阻的长度和宽度相等、第五电阻和第六电阻的长度和宽度相等。本专利技术可通过调整第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻的个数、位置、宽度、长度来调整衰减电路的驻波比和衰减精度指标，克服了现有技术或衰减精度差、或驻波比差的缺点，满足了工程需求。当然，上述说明并非是对本专利技术的限制，本专利技术也并不仅限于上述举例，本
的技术人员在本专利技术的实质范围内所做出的变化、改型、添加或替换，也应属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种宽频带高性能衰减电路，其特征在于：主要由多个电阻组成；其中，第一电阻为并联电阻，其一端与第二电阻的一端连接，另一端与金带连接；第二电阻为串联电阻，其输入端与输出端均与金带连接；其余多个电阻的一端均悬空，另一端均分布在金带上，且在金带上的分布长度与第二电阻的长度相对应；与第二电阻连接的金带为微波信号的输入端或输出端；与第一电阻和其余多个电阻连接的金带均为地。

【技术特征摘要】
1.一种宽频带高性能衰减电路，其特征在于：主要由多个电阻组成；其中，第一电阻为并联电阻，其一端与第二电阻的一端连接，另一端与金带连接；第二电阻为串联电阻，其输入端与输出端均与金带连接；其余多个电阻的一端均悬空，另一端均分布在金带上，且在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张猛，文春华，赵建波，赵秉玉，刘长春，潘猛，曹乾涛，李红伟，姜万顺，年夫顺，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十一研究所，
类型：发明
国别省市：山东,37