具有轨到轨输出摆幅的源极退化的放大级制造技术

本公开的某些方面一般地涉及使用交叉耦合晶体管用于放大级的源极退化。例如，放大级一般包括：包括晶体管的差分放大器、耦合到差分放大器的交叉耦合晶体管、以及耦合在交叉耦合晶体管的漏极之间的阻抗。在某些方面，差分放大器包括推挽式放大器，并且推挽式放大器的晶体管包括串叠式连接的晶体管。

Amplification stage of source degradation with rail-to-rail output swing

Some aspects of the present disclosure generally relate to source degradation using cross-coupled transistors for amplification stages. For example, the amplifier stage generally includes a differential amplifier of the transistor, a cross-coupled transistor coupled to the differential amplifier, and an impedance coupled between the drains of the cross-coupled transistor. In some respects, differential amplifiers include push-pull amplifiers, and the transistors of push-pull amplifiers include cascade connected transistors.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有轨到轨输出摆幅的源极退化的放大级相关申请的交叉引用本申请要求2016年6月9日提交的美国申请No.15/178,251的优先权，该申请被转让给本申请的受让人并且据此以其整体通过引用明确地并入本文。
本公开的某些方面一般地涉及电子电路，并且更特别地涉及用于信号放大的电路。
技术介绍
无线通信网络被广泛地部署以提供各种通信服务，诸如电话、视频、数据、消息传递、广播，等等。这样的网络(其通常是多址网络)通过共享可用的网络资源来支持用于多个用户的通信。例如，一个网络可以是3G(第三代移动电话标准和技术)系统，其可以经由各种3G无线电接入技术(RAT)中的任何一种来提供网络服务，各种3GRAT包括EVDO(演进数据优化)、1xRTT(1倍无线电传输技术，或简称1x)、W-CDMA(宽带码分多址)、UMTS-TDD(通用移动电信系统-时分双工)、HSPA(高速分组接入)、GPRS(通用分组无线电服务)、或EDGE(全球演进的增强数据速率)。3G网络是一种广域蜂窝电话网络，除了语音呼叫之外，其还演进为包含高速互联网接入和视频电话。此外，3G网络可能比其他网络系统更多地被建立并且提供更大的覆盖区域。这种多址网络还可以包括码分多址(CDMA)系统、时分多址(TDMA)系统、频分多址(FDMA)系统、正交频分多址(OFDMA)系统、单载波FDMA(SC-FDMA)网络、第3代合作伙伴项目(3GPP)长期演进(LTE)网络、以及长期演进高级(LTE-A)网络。无线通信网络可以包括一定数目的基站，一定数目的基站可以支持用于一定数目的移动台的通信。移动台(MS)可以经由下行链路和上行链路与基站(BS)通信。下行链路(或前向链路)是指从基站到移动台的通信链路，并且上行链路(或反向链路)是指从移动台到基站的通信链路。基站可以在下行链路上向移动台传输数据和控制信息，和/或可以在上行链路上从移动台接收数据和控制信息。MS和BS可以包括具有多个放大级的放大器。例如，放大器的第一放大级可以使用差分放大器来实施，该差分放大器具有高差分和共模输入阻抗以及针对共模信号的低增益。在第一放大级中可以获得的增益可能不足，并且因此可以使用第二放大级(即，增益级)。输出放大级也可以用于提供低输出阻抗。
技术实现思路
本公开的某些方面一般地涉及具有使用交叉耦合晶体管实施的源极退化的差分放大器。本公开的某些方面提供了一种放大级。该放大级一般包括：包括晶体管的差分放大器、耦合到差分放大器的第一交叉耦合晶体管、以及耦合在第一交叉耦合晶体管的漏极之间的阻抗。本公开的某些方面提供了一种用于放大信号的方法。该方法一般包括：利用放大级来放大差分输入信号，放大级包括差分放大器，差分放大器包括晶体管；以及使用耦合到差分放大器的晶体管的第一交叉耦合晶体管来使晶体管的源极退化。本公开的某些方面提供了一种放大器。该放大器一般包括第一放大级和第二放大级，第二放大级包括：差分放大器，差分放大器包括栅极耦合到第一放大级的差分输出的晶体管，晶体管耦合到第一电压轨；耦合在第二电压轨与差分放大器之间的交叉耦合晶体管；以及耦合在交叉耦合晶体管的漏极之间的阻抗。附图说明为了详细地理解本公开的上面记载的特征的方式，可以通过参考各方面来获得上面简要概述的更具体的描述，其中一些方面在附图中图示。然而，将注意到，附图仅图示了本公开的某些典型方面，并且因此将不被视为限制其范围，因为该描述可以允许其他同等有效的方面。图1是根据本公开的某些方面的示例无线通信网络的示图。图2是根据本公开的某些方面的示例接入点(AP)和示例用户终端的框图。图3是根据本公开的某些方面的示例收发器前端的框图。图4图示了根据本公开的某些方面的示例放大级。图5图示了根据本公开的某些方面的示例放大级，其具有针对放大级的p-型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管实施的源极退化。图6图示了根据本公开的某些方面的示例放大级，其具有针对放大级的PMOS晶体管和n-型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管实施的源极退化。图7是根据本公开的某些方面的用于放大信号的示例操作的流程图。具体实施方式在后文中参考附图更充分地描述本公开的各个方面。然而，本公开可以按许多不同形式来具体化，并且不应当被解释为限于贯穿本公开所提出的任何特定结构或功能。相反地，提供这些方面以使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本公开的范围完全地传达给本领域的技术人员。基于本文中的教导，本领域的技术人员应当明白，本公开的范围旨在覆盖本文中公开的本公开的任何方面，无论是独立于本公开的任何其他方式实施还是与本公开的任何其他方面组合实施。例如，使用本文中阐述的任何数目的方面，可以实施装置或者可以实践方法。另外，本公开的范围旨在覆盖使用附加于或不同于本文中阐述的本公开的各个方面的其他结构、功能、或结构和功能而实践的这种装置或方法。应当理解，本文中公开的本公开的任何方面可以通过权利要求的一个或多个元素来体现。本文中使用词语“示例性”来意指“用作示例、实例或说明”。本文中描述为“示例性”的任何方面不必然被解释为相对于其他方面是优选的或有利的。如本文中使用的，动词“连接”的各种时态的术语“与……连接”可以意指元件A直接连接到元件B，或者其他元件可以连接在元件A和B之间(即，元件A与元件B间接连接)。在电气组件的情况下，术语“与……连接”在本文中也可以用于意指接线、迹线、或其他导电材料用于电连接元件A和B(以及电连接在它们之间的任何组件)。本文中描述的技术可以与各种无线技术组合使用，诸如码分多址(CDMA)、正交频分复用(OFDM)、时分多址(TDMA)、空分多址(SDMA)、单载波频分多址(SC-FDMA)、时分同步码分多址(TD-SCDMA)，等等。多个用户终端可以经由不同的以下各项并发地传输/接收数据：(1)用于CDMA的正交码信道，(2)用于TDMA的时隙，或(3)用于OFDM的子带。CDMA系统可以实施IS-2000、IS-95、IS-856、宽带-CDMA(W-CDMA)、或一些其他标准。OFDM系统可以实施电气和电子工程师协会(IEEE)802.11、IEEE802.16、长期演进(LTE)(例如，在TDD和/或FDD模式下)、或一些其他标准。TDMA系统可以实施全球移动通信系统(GSM)或一些其他标准。这些各种标准在本领域中是已知的。示例无线系统图1图示了具有接入点110和用户终端120的无线通信系统100，其中可以实践本公开的各方面。为了简单，图1中仅示出了一个接入点110。接入点(AP)一般是与用户终端通信的固定站，并且也可以称为基站(BS)、演进节点B(eNB)、或某个其他术语。用户终端(UT)可以是固定的或移动的，并且也可以称为移动台(MS)、接入终端、用户设备(UE)、站(STA)、客户端、无线设备、或某个其他术语。用户终端可以是无线设备，诸如蜂窝电话、个人数字助理(PDA)、手持设备、无线调制解调器、膝上型计算机、平板、个人计算机等。接入点110可以在下行链路和上行链路上在任何给定时刻与一个或多个用户终端120通信。下行链路(即，前向链路)是从接入点到用户终端的通信链路，并且上行链路(即，反向链路)是从用户终端到接入点的通信链路。用户终端还可以端到端地与另一用户终端本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种放大级，包括：差分放大器，包括晶体管；第一交叉耦合晶体管，耦合到所述差分放大器的所述晶体管；以及耦合在所述第一交叉耦合晶体管的漏极之间的阻抗。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.09 US 15/178,2511.一种放大级，包括：差分放大器，包括晶体管；第一交叉耦合晶体管，耦合到所述差分放大器的所述晶体管；以及耦合在所述第一交叉耦合晶体管的漏极之间的阻抗。2.根据权利要求1所述的放大级，其中所述差分放大器包括推挽式放大器，并且其中所述推挽式放大器的所述晶体管包括串叠式连接的晶体管。3.根据权利要求1所述的放大级，其中所述阻抗包括电阻器。4.根据权利要求3所述的放大级，其中所述电阻器经由多晶硅电阻器、金属电阻器、扩散电阻器、或有源晶体管来实施。5.根据权利要求3所述的放大级，其中所述电阻器的电阻基于所述第一交叉耦合晶体管中的一个晶体管的跨导。6.根据权利要求1所述的放大级，其中：所述差分放大器的所述晶体管耦合到第一电压轨；并且所述第一交叉耦合晶体管耦合在第二电压轨与所述差分放大器之间。7.根据权利要求6所述的放大级，还包括：第二交叉耦合晶体管，耦合在所述第一电压轨与所述差分放大器之间。8.根据权利要求7所述的放大级，还包括：耦合在所述第二交叉耦合晶体管的漏极之间的阻抗。9.根据权利要求6所述的放大级，其中所述第一交叉耦合晶体管包括耦合在所述第二电压轨与所述差分放大器之间的PMOS晶体管，并且其中所述第二电压轨具有比所述第一电压轨大的电压。10.根据权利要求6所述的放大级，其中所述第一交叉耦合晶体管包括耦合在所述第二电压轨与所述差分放大器之间的NMOS晶体管，并且其中所述第一电压轨具有比所述第二电压轨大的电压。11.根据权利要求6所述的放大级，其中所述第二电压轨包括参考电位，并且其中所述第一电压轨具有大于所述参考电位的电压。12.根据权利要求1所述的放大级，其中所述差分放大器包括：第一p-沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管和第二PMOS晶体管；以及分别串叠式连接到所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的第一n-沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。13.根据权利要求12所述的放大级，其中所述第一NMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极包括所述放大级的差分输出。14.根据权利要求12所述的放大级，其中所述第一NMOS晶体管的栅极和所述第二NMOS晶体管的栅极包括所述放大级的差分输入。15.根据权利要求1所述的放大级，其中所述放大级包括AB类放大级。16.根据权利要求1所述的放大级，其中所述差分放大器的所述晶体管包括鳍式场效应晶体管(FinF...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·卡马克，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US