抛光垫及研磨设备制造技术

抛光垫，包括：垫片本体，具有研磨面；至少两个相互套设的圈形槽，设置在研磨面上；以及至少一条线形沟槽，设置在研磨面上，穿过每个圈形槽且与被穿过的圈形槽相通，其中，线形沟槽的深度是变化的，深度随着距离最内圈的圈形槽的中心处距离的增加而增加。一方面，在垫片本体的研磨面上设置有相互套设的圈形槽，其能够封住进入抛光垫的抛光液使得抛光液保持适宜的驻留时间，起到抛光的效果。另一方面，穿过每个圈形槽且与被穿过的圈形槽相通的线形沟槽，其能够将完成抛光过程的抛光液从圈形槽中导出，特别是因为线形槽的深度随着距离最内圈的圈形槽的中心距离的增加而增加，在该斜面的作用下，抛光液可以依靠重力而自然排出。

Polishing pad and grinding equipment

Polishing pads include: gasket body with grinding surface; at least two ring grooves arranged mutually on the grinding surface; and at least one linear groove arranged on the grinding surface, passing through each ring groove and communicating with the circle groove through which the depth of the linear groove varies, and the depth increases with the distance from the center of the inner ring groove. Add. On the one hand, a ring groove is arranged on the grinding surface of the gasket body, which can seal the polishing fluid entering the polishing pad, so that the polishing fluid can maintain a suitable residence time and play a polishing effect. On the other hand, a linear groove passing through each groove and connected with the groove passing through can derive polishing fluid from the groove, especially because the depth of the groove increases with the increase of the center distance of the groove closest to the inner ring. Under the action of the inclined surface, the polishing fluid can be discharged naturally by gravity.

【技术实现步骤摘要】
抛光垫及研磨设备
本技术涉及一种抛光垫，属于化学/机械抛光领域。
技术介绍
化学机械平面抛光或化学机械抛光(CMP)是目前用于工件表面抛光最常用的技术。CMP是将化学侵蚀和机械去除进行结合后得到的复合技术，也是对半导体晶片之类平面化最常用的技术。目前，常规的CMP过程中，晶片被安装在研磨设备的支架组件上，通过调节相关参数来设置抛光过程中晶片与抛光垫接触的位置。在抛光过程中，晶片被施加了可控压力压向抛光垫，通过外驱力使抛光垫相对于晶片转动。在相对转动过程中，抛光液被持续性地滴入到抛光垫上，从而通过抛光垫表面的机械作用以及抛光液的化学作用，对晶片表面进行平坦化研磨，实现晶片的抛光。抛光垫的表面沟槽形状及尺寸作为决定抛光垫性能的关键参数之一,对抛光的化学及机械过程产生重要影响：在化学氧化过程中,抛光垫的表面沟槽会影响抛光液的运送及均布,改变晶片、抛光垫及抛光液三者的温度,从而影响化学反应速度、产物及其浓度；在机械去除过程中,抛光垫的表面沟槽会改变抛光垫与晶片之间接触区域、摩擦力及薄膜厚度,从而影响机械去除速率及加工质量，对抛光液的平均驻留时间也会产生重要影响。常见的抛光垫表面沟槽形状有4种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抛光垫，其特征在于，包括：垫片本体，具有研磨面；至少两个相互套设的圈形槽，设置在所述研磨面上；以及至少一条线形沟槽，设置在所述研磨面上，穿过每个所述圈形槽且与被穿过的所述圈形槽相通，其中，所述线形沟槽的深度是变化的，深度随着距离最内圈的圈形槽的中心距离的增加而增加。

【技术特征摘要】
1.一种抛光垫，其特征在于，包括：垫片本体，具有研磨面；至少两个相互套设的圈形槽，设置在所述研磨面上；以及至少一条线形沟槽，设置在所述研磨面上，穿过每个所述圈形槽且与被穿过的所述圈形槽相通，其中，所述线形沟槽的深度是变化的，深度随着距离最内圈的圈形槽的中心距离的增加而增加。2.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于：其中，所述线形沟槽的宽度为0.3-0.7mm，所述圈形槽彼此之间的间距为0.2-1.0mm，所述线形沟槽的最深处的深度与最浅处的深度差值为0.2至0.8mm，所述线形沟槽的深度是随着距离最内圈的圈形槽的中心处距离的增加而线性增加或阶梯式增加或是线性和阶梯式复合增加的。3.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于：其中，所述线形沟槽呈直线、折线或是曲线延伸，所述线形沟槽的截面为V形，该V形截面为等腰三角形，顶角为160°至170°。4.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，还包括：开关单元，包括至少一个开关，每个所述开关安装在所述线形沟槽上，用于控制所述线形沟槽作为物料流通的通道的打开或封堵状态。5.根据权利要求4所述的抛光垫，其特征在于：其中，所述开关为活动块，该活动块通过滑动、按压或者翻转的方式来堵塞或是开启所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱顺全，吴晓茜，张季平，车丽媛，
申请(专利权)人：湖北鼎龙控股股份有限公司，湖北鼎汇微电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42