梯形CMP沟槽图案制造技术

抛光垫适用于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一种的晶片。所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层具有聚合物基质和位于所述抛光层中的径向进料槽，所述径向进料槽将所述抛光层分成抛光区域。所述径向进料槽从邻近于所述抛光垫的中心的位置至少延伸至邻近于外边缘的位置。各抛光区域包括一系列间隔的非等腰梯形沟槽结构，所述梯形沟槽结构具有平行基段，所述平行基段连接两个相邻径向进料槽以形成边段。所述系列非等腰梯形沟槽结构从所述抛光垫的外边缘附近向所述中心延伸，所述系列梯形结构的周边也呈梯形。

【技术实现步骤摘要】
梯形CMP沟槽图案
本专利技术涉及化学机械抛光垫的沟槽。更具体地说，本专利技术涉及用于在化学机械抛光期间提高去除速率、提高整体均匀性和减少缺陷的沟槽设计。
技术介绍
制造集成电路和其它电子器件时，可以在半导体晶片上的表面上沉积和去除导体、半导体和介电材料的多个层。可以使用多种沉积技术沉积导体、半导体和介电材料的薄层。现代晶片加工中的常见沉积技术包括物理气相沉积(PVD)，也称为溅射；化学气相沉积(CVD)；等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和电化学电镀等。常见的去除技术包括湿法和干法各向同性和各向异性刻蚀等等。随着材料层依次沉积和去除，晶片的最上表面变得不平坦。由于随后的半导体加工(例如金属化)需要晶片具有平坦的表面，因此晶片需要被平坦化。平坦化适用于去除非所期望的表面形貌和表面缺陷，如粗糙表面、聚结材料、晶格损坏、刮痕和被污染的层或材料。化学机械平坦化或化学机械抛光(CMP)是用于平坦化或抛光如半导体晶片的工件的常见技术。在传统CMP中，晶片载体或抛光头安装在载体组合件上。抛光头固持晶片且将晶片定位成与安装在CMP装置内部的台板或压板上的抛光垫的抛光层接触。载体组合件提供晶片和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抛光垫，其适用于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一种的晶片，所述抛光垫包含以下：具有聚合物基质和厚度的抛光层，所述抛光层包括所述抛光垫的中心、外边缘和从所述中心延伸至所述外边缘的半径；位于所述抛光层中的径向进料槽，所述径向进料槽将所述抛光层分成抛光区域，所述径向进料槽从邻近于所述抛光垫的所述中心的位置至少延伸至邻近于所述外边缘的位置；和各抛光区域，其包括一系列间隔的非等腰梯形沟槽结构，所述梯形沟槽结构具有平行基段，所述平行基段连接两个相邻径向进料槽以形成边段，所述基段与所述边段中的每一个按不同角度相交，所述系列的非等腰梯形沟槽结构从所述抛光垫的所述外边缘附近向所述中心延伸，所...

【技术特征摘要】
2017.06.14 US 15/623221;2017.06.16 US 15/624908;201.一种抛光垫，其适用于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一种的晶片，所述抛光垫包含以下：具有聚合物基质和厚度的抛光层，所述抛光层包括所述抛光垫的中心、外边缘和从所述中心延伸至所述外边缘的半径；位于所述抛光层中的径向进料槽，所述径向进料槽将所述抛光层分成抛光区域，所述径向进料槽从邻近于所述抛光垫的所述中心的位置至少延伸至邻近于所述外边缘的位置；和各抛光区域，其包括一系列间隔的非等腰梯形沟槽结构，所述梯形沟槽结构具有平行基段，所述平行基段连接两个相邻径向进料槽以形成边段，所述基段与所述边段中的每一个按不同角度相交，所述系列的非等腰梯形沟槽结构从所述抛光垫的所述外边缘附近向所述中心延伸，所述系列梯形结构的周边也呈梯形，其中所述抛光垫的旋转使抛光液通过大多数的所述基段和所述边段向所述抛光垫的所述外边缘移动，并且移向所述晶片或远离所述晶片取决于向内偏置或向外偏置和所述抛光垫的旋转方向。2.根据权利要求1所述的抛光垫，其中所有抛光区域都具有相同的偏置。3.根据权利要求1所述的抛光垫，包括向内偏置，用于在所述抛光垫和所述晶片的逆时针旋转期间延长浆液在晶片下的滞留时间。4.根据权利要求1所述的抛光垫，其中所述抛光垫包括至少三个径向进料槽。5.根据权利要求1所述的抛光垫，其中连接一对相邻径向进料槽的所述系列偏置沟槽是平...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·V·阮，T·Q·陈，J·J·亨德伦，J·R·斯塔克，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US