一种用于LCD驱动的电平转换电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于LCD驱动的电平转换电路，包括第一放电限制电路和第二放电限制电路，分别用于驱动LCD驱动电路中的P管和N管；其中，所述第一放电限制电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第一电阻；所述第二放电限制电路包括第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管和第二电阻。本实用新型专利技术能够解决LCD驱动电路的P管、N管的栅极不能承受高压的限制。

【技术实现步骤摘要】
一种用于LCD驱动的电平转换电路
本技术涉及LCD集成电路
，特别地，涉及一种用于LCD驱动的电平转换电路。
技术介绍
目前，用于大尺寸TFT-LCD（薄膜晶体管液晶显示器）屏的行扫描驱动电路基本上都是采用高压（HV）的CMOS（补偿型金属氧化物半导体）工艺进行开发。行扫描驱动芯片电路主要包含：扫描时序电路、移动方向控制电路、输入锁存电路、电平转换电路、高压驱动电路、ESD防护电路、上电保护电路、上电复位电路等等[10]。行扫描驱动芯片的主要功能是使输入信号从第一个通道在时钟控制下传递到最后一个通道，并产生高压的输出电平。在行扫描驱动芯片电路的电路功能模块中，双向移位缓存器（bi-directionalshiftregister）的主要功用就是要能依照所输入的时钟信号产生出顺序输出的扫描脉波，所以才需要使用移位元缓存器（shiftregister）。使用双向的移位缓存器是为了让TFTLCD面板的机构设计更有弹性可以灵活地选择从上到下扫描或者是从小到上扫描。第二部分就是电平转换电路。由于行扫描驱动芯片电路的输入接口是一般的数字输入接口，所以接口的电压大约是1.62～5V之间。而最后的输出接口，由于是要控制薄膜晶体管的打开与关闭，它的工作电压范围很大，大约是-15V～30V之间，所以要将双向的移位缓存器的输出传送到输出电路时，就必须使用电平转换电路来实现从低电平到高电平转换的功能。电平转换电路的设计就是整个行扫描驱动芯片电路设计中关键的部分，行扫描驱动芯片电路中电平转换电路设计的优化与否，便会影响到整个行扫描驱动芯片电路的功能。
技术实现思路
有鉴于此，本技术目的是提供一种用于LCD驱动的电平转换电路，能够解决LCD驱动电路的P管、N管的栅极不能承受高压的限制。为了解决上述技术问题，本技术的技术方案是：一种用于LCD驱动的电平转换电路，括第一放电限制电路和第二放电限制电路，分别用于驱动LCD驱动电路中的P管和N管；其中，所述第一放电限制电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第一电阻；所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管的漏极和源极依次串联，且所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管各自的栅极分别电连接于各自的漏极；所述第四MOS管的源极接地；所述第一MOS管的源极电连接于VCC电压；所述第五MOS管的栅极与第六MOS管的栅极电连接，且连接点还电连接于第五MOS管的漏极；所述第五MOS管和第六MOS管的源极电连接于VCC电压；所述第七MOS管的漏极与第五MOS管的漏极电连接，源极与第一电阻串联后接地；第六MOS管的漏极电连接于第三MOS管的漏极；所述第二放电限制电路包括第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管和第二电阻；所述第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管的源极和漏极依次电连接；所述第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管的栅极电连接于各自的漏极；所述第十二MOS管的源极电连接于VEE电压；所述第九MOS管的漏极电连接于第八MOS管的漏极；所述第八MOS管的源极电连接于VCC电压；所述第十四MOS管的栅极与第十五MOS管的栅极电连接，且连接点还电连接于第十四MOS管的漏极；所述第十四MOS管和第十五MOS管的源极电连接于VEE电压；所述第十五MOS管的漏极电连接于第九MOS管的漏极；所述第十四MOS管的漏极电连接于第十三MOS管的漏极；所述第十三MOS管的源极与第二电阻串联后，电连接于VCC电压。优选地，所述第一放电限制电路还第一电容，所述第一电容的一端接地，另一端电连接于第七MOS管的漏极。优选地，所述第二放电限制电路还包括第二电容，所述第二电容的一端电连接于VEE电压，另一端电连接于第十五MOS管的漏极。本技术技术效果主要体现在以下方面：通过以上技术方案，解决了BCD工艺中栅源电压VGS只有5V的设计障碍，避免40V高压栅驱动信号将器件击穿破坏。附图说明图1为实施例中电平转换电路的模块原理图；图2为实施例中第一放电限制电路的电路图；图3为实施例中第二放电限制电路的电路图。具体实施方式以下结合附图，对本技术的具体实施方式作进一步详述，以使本技术技术方案更易于理解和掌握。参照图1，本实施例提供了一种用于LCD驱动的电平转换电路，括第一放电限制电路和第二放电限制电路，分别用于驱动LCD驱动电路中的P管和N管。参照图2，上述的第一放电限制电路包括第一电容C1、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7和第一电阻R1；第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4的漏极和源极依次串联，且第一MOS管M1、第二MOS管M2和第三MOS管M3各自的栅极分别电连接于各自的漏极；第四MOS管M4的源极接地；第一MOS管M1的源极电连接于VCC电压；第五MOS管M5的栅极与第六MOS管M6的栅极电连接，且连接点还电连接于第五MOS管M5的漏极；第五MOS管M5和第六MOS管M6的源极电连接于VCC电压；第七MOS管M7的漏极与第五MOS管M5的漏极电连接，源极与第一电阻R1串联后接地；第六MOS管M6的漏极电连接于第三MOS管M3的漏极;第一电容C1的一端接地，另一端电连接于第七MOS管M7的漏极。参照图3，上述的第二放电限制电路包括第二电容C2、第八MOS管Q1、第九MOS管Q2、第十MOS管Q3、第十一MOS管Q4、第十二MOS管Q5、第十三MOS管Q6、第十四MOS管Q7、第十五MOS管Q8和第二电阻R2；第九MOS管Q2、第十MOS管Q3、第十一MOS管Q4、第十二MOS管Q5的源极和漏极依次电连接；第九MOS管Q2、第十MOS管Q3、第十一MOS管Q4、第十二MOS管Q5的栅极电连接于各自的漏极；第十二MOS管Q5的源极电连接于VEE电压；第九MOS管Q2的漏极电连接于第八MOS管Q1的漏极；第八MOS管Q1的源极电连接于VCC电压；第十四MOS管Q7的栅极与第十五MOS管Q8的栅极电连接，且连接点还电连接于第十四MOS管Q7的漏极；第十四MOS管Q7和第十五MOS管Q8的源极电连接于VEE电压；第十五MOS管Q8的漏极电连接于第九MOS管Q2的漏极；第十四MOS管Q7的漏极电连接于第十三MOS管Q6的漏极；第十三MOS管Q6的源极与第二电阻R2串联后，电连接于VCC电压；第二电容的一端电连接于VEE电压，另一端电连接于第十五MOS管Q8的漏极。工作原理：对于第一放电限制电路，当D1=GND时，M4关断，Vp点被充电至较高电压从而关断驱动管P1。但实际上，此时尽管M4的栅源电压相等，M4中仍存在微弱的漏电流，这部分漏电流在M1～M3上的压降很容易使驱动管P1处于亚阈值区从而不能完全关断，这大大增加了输出级的瞬态响应时间。M5～M7的引入可以避免这种情况的发生，当M4关断时，D2控制M7导通，产生的饱和电流流过M5，为M6提供栅极导通电压，此时M6管处于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于LCD驱动的电平转换电路，其特征是，包括第一放电限制电路和第二放电限制电路，分别用于驱动LCD驱动电路中的P管和N管；其中，所述第一放电限制电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第一电阻；所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管的漏极和源极依次串联，且所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管各自的栅极分别电连接于各自的漏极；所述第四MOS管的源极接地；所述第一MOS管的源极电连接于VCC电压；所述第五MOS管的栅极与第六MOS管的栅极电连接，且连接点还电连接于第五MOS管的漏极；所述第五MOS管和第六MOS管的源极电连接于VCC电压；所述第七MOS管的漏极与第五MOS管的漏极电连接，源极与第一电阻串联后接地；第六MOS管的漏极电连接于第三MOS管的漏极；所述第二放电限制电路包括第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管和第二电阻；所述第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管的源极和漏极依次电连接；所述第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管的栅极电连接于各自的漏极；所述第十二MOS管的源极电连接于VEE电压；所述第九MOS管的漏极电连接于第八MOS管的漏极；所述第八MOS管的源极电连接于VCC电压；所述第十四MOS管的栅极与第十五MOS管的栅极电连接，且连接点还电连接于第十四MOS管的漏极；所述第十四MOS管和第十五MOS管的源极电连接于VEE电压；所述第十五MOS管的漏极电连接于第九MOS管的漏极；所述第十四MOS管的漏极电连接于第十三MOS管的漏极；所述第十三MOS管的源极与第二电阻串联后，电连接于VCC电压。...

【技术特征摘要】
1.一种用于LCD驱动的电平转换电路，其特征是，包括第一放电限制电路和第二放电限制电路，分别用于驱动LCD驱动电路中的P管和N管；其中，所述第一放电限制电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第一电阻；所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管的漏极和源极依次串联，且所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管各自的栅极分别电连接于各自的漏极；所述第四MOS管的源极接地；所述第一MOS管的源极电连接于VCC电压；所述第五MOS管的栅极与第六MOS管的栅极电连接，且连接点还电连接于第五MOS管的漏极；所述第五MOS管和第六MOS管的源极电连接于VCC电压；所述第七MOS管的漏极与第五MOS管的漏极电连接，源极与第一电阻串联后接地；第六MOS管的漏极电连接于第三MOS管的漏极；所述第二放电限制电路包括第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管和第二电阻；所述第九MOS管、第十M...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建伟，
申请(专利权)人：新禾厦门电子有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35