一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法技术

本发明专利技术公开了一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，包括如下步骤；1.对生瓷片进行预烘干、打孔开腔、填孔、导体印刷和金属导体烘干处理；2.将生瓷片进行脱膜处理；3.叠片处理，将生瓷片进行叠加作为基板，基板上下表面腔体从表面向中心面积依次减小，并通过未开腔的生瓷片进行隔离；基板顶底各放置有金属片成为整体，作为生瓷坯；4.将生瓷坯进行真空包封；5.将真空包封好的生瓷坯进行等静压层压；6.完成等静压层压后，将基板取出，再对基板进行热切，切割出需要的图形及尺寸，去除多余的角料，并切割出填充块；7.将填充块放置在基板底部最内层腔体内，将基板底部放置在烧结炉内的承烧板上进行低温烧结。

【技术实现步骤摘要】
一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法
本专利技术属于半导体混合集成电路
，涉及一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法。
技术介绍
通常情况下，LTCC基板中无腔体、或者腔体均布置在基板的一面，另一面不含腔体。而对于高度集成的SiP产品及LTCC射频/微波产品，要求芯片与元器件间的互连路径尽可能短，常规单面结构只能将芯片组装在基板一面，或者一面的腔体内部，导致基板尺寸无法缩小，互连引线无法缩短，射频信号还会产生寄生干扰，进而影响电路的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，实现了尺寸缩小的双面腔体LTCC基板，达到了提高射频/微波及高度集成SiP模块的性能。为达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案予以实现：一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，包括如下步骤；步骤1，对生瓷片进行预烘干、打孔开腔、填孔、导体印刷和金属导体烘干处理；步骤2，将步骤1处理后的生瓷片进行脱膜处理；步骤3，叠片处理，将若干脱膜处理后的生瓷片进行叠加作为基板，基板上下表面腔体从表面向中心面积依次减小，上下表面最靠近中心处的腔体通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，其特征在于，包括如下步骤；步骤1，对生瓷片(1)进行预烘干、打孔开腔、填孔、导体印刷和金属导体烘干处理；步骤2，将步骤1处理后的生瓷片(1)进行脱膜处理；步骤3，叠片处理，将若干脱膜处理后的生瓷片(1)进行叠加作为基板(16)，基板(16)上下表面腔体(3)从表面向中心面积依次减小，上下表面最靠近中心处的腔体(3)通过未开腔的生瓷片(1)进行隔离；基板(16)顶底各放置有金属片成为整体，作为生瓷坯(15)；金属片设置有通孔，通孔的形状和位置分别对应所接触的基板(16)最外层腔体(3)的形状和位置；步骤4，将生瓷坯(15)进行真空包封；步骤5，将真空...

【技术特征摘要】
1.一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，其特征在于，包括如下步骤；步骤1，对生瓷片(1)进行预烘干、打孔开腔、填孔、导体印刷和金属导体烘干处理；步骤2，将步骤1处理后的生瓷片(1)进行脱膜处理；步骤3，叠片处理，将若干脱膜处理后的生瓷片(1)进行叠加作为基板(16)，基板(16)上下表面腔体(3)从表面向中心面积依次减小，上下表面最靠近中心处的腔体(3)通过未开腔的生瓷片(1)进行隔离；基板(16)顶底各放置有金属片成为整体，作为生瓷坯(15)；金属片设置有通孔，通孔的形状和位置分别对应所接触的基板(16)最外层腔体(3)的形状和位置；步骤4，将生瓷坯(15)进行真空包封；步骤5，将真空包封好的生瓷坯(15)进行等静压层压；步骤6，完成等静压层压后，将基板(16)取出，再对基板(16)进行热切，切割出需要的图形及尺寸，去除多余的角料，并切割出填充块(13)；步骤7，将填充块(13)放置在基板(16)底部腔体(3)内，对底部最内层腔体(3)进行支撑，然后将基板(16)底部放置在烧结炉内的承烧板(14)上进行低温烧结。2.根据权利要求1所述的一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，其特征在于，步骤3中，金属片与生瓷片(1)通过粘接固定为一个整体。3.根据权利要求1所述的一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，其特征在于，步骤4中，在将生瓷坯(15)放入真空包封袋(12)前，使用软硅胶片(11)将该生瓷坯(15)双面包裹。4.根据权利要求1所述的一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖刚，刘发，李建国，陈宁，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：陕西,61