The invention discloses a VGF single crystal furnace, a heating method and a computer readable storage medium. The invention realizes accurate temperature control of the solid-liquid interface of the crystal by setting a movable heating ring and adjusting the interface temperature through the movable heating ring.
【技术实现步骤摘要】
一种VGF单晶炉、加热方法及存储介质
本专利技术涉及计算机
，特别是涉及一种VGF单晶炉、加热方法及计算机可读存储介质。
技术介绍
晶体生长过程中固液界面形状对晶体质量影响较大，凸界面能够起到将缺陷向外排出的作用，同时减小非均匀形核的概率，得到的晶体单晶率和质量较高，平界面附近热应力较小，能够减小晶体生长过程中应力值，凹界面容易在晶体生长过程中造成夹杂或者杂晶的出现，同时孪晶线的出现概率也较高，因此，众多研究者在晶体生长过程中追求平固液界面或者凸固液界面。Ⅱ-Ⅵ族半导体(碲锌镉)相比Si、砷化镓，材料热导率较低，同时液相热导率高于固相材料的热导率，采用VB法以及VGF法在晶体生长过程中，界面控制比较困难。晶体生长过程中在密闭的容器中进行，一般采用熏碳石英安瓿或者采用pBN坩埚+石英安瓿进行晶体生长。石英以及pBN坩埚的热导率高于碲锌镉材料的热导率，在晶体生长到过程中，固液界面位置热量向坩埚传导，固液界面接近坩埚位置晶体生长速度加快，整个界面呈现凹界面。因此在晶体生长过程中需要对温场进行调节，控制热流方向，使其沿着固液界面上部传入，同时沿着固液界面下部传出，保...
【技术保护点】
1.一种VGF单晶炉，其特征在于，所述VGF单晶炉内包括可移动加热环；所述可移动加热环进一步包括陶瓷环和加热炉丝两部分构成；所述加热炉丝为环状加热丝，所述所述加热炉丝整体镶嵌在带有沟槽的陶瓷环上，加热丝两端中间放置有陶瓷块，将所述加热炉丝隔开；所述陶瓷环截面为C形，所述陶瓷环将加热丝包裹在其内，所述陶瓷环的截面C形结构陶瓷下端伸出长度大于炉丝内径，以阻挡炉丝沿轴向向下方的辐射，使其向安瓿的辐射方向为径向以及沿轴向向上两个范围之内；所述陶瓷环径向上相对的两侧与两个中空支撑陶瓷杆连接，所述加热炉丝两端引出高温导线穿过所述陶瓷杆一直延伸到炉体外侧与直流模块相连；所述陶瓷环设有耐高...
【技术特征摘要】
1.一种VGF单晶炉，其特征在于，所述VGF单晶炉内包括可移动加热环；所述可移动加热环进一步包括陶瓷环和加热炉丝两部分构成；所述加热炉丝为环状加热丝，所述所述加热炉丝整体镶嵌在带有沟槽的陶瓷环上，加热丝两端中间放置有陶瓷块，将所述加热炉丝隔开；所述陶瓷环截面为C形，所述陶瓷环将加热丝包裹在其内，所述陶瓷环的截面C形结构陶瓷下端伸出长度大于炉丝内径，以阻挡炉丝沿轴向向下方的辐射，使其向安瓿的辐射方向为径向以及沿轴向向上两个范围之内；所述陶瓷环径向上相对的两侧与两个中空支撑陶瓷杆连接，所述加热炉丝两端引出高温导线穿过所述陶瓷杆一直延伸到炉体外侧与直流模块相连；所述陶瓷环设有耐高温S型热偶，热偶线穿过所述陶瓷杆到炉体外部与温度控制器相连。2.根据权利要求1所述的VGF单晶炉，其特征在于，所述加热炉丝为耐高温圆柱形加热炉丝。3.根据权利要求1所述的VGF单晶炉，其特征在于，所述陶瓷块与所述加热炉丝末端设有预定的空隙。4.根据权利要求1所述的VGF单晶炉，其特征在于，所述陶瓷杆穿过炉体上部保温塞后穿过两个水冷环，并...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐强强，范叶霞，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11
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