一种抗辐照氟化铈晶体的制作方法技术

本发明专利技术涉及的是晶体的制作方法，特别涉及抗辐照晶体的制作方法，包括以下步骤：第一步：用高纯铈盐和氢氟酸制备纯度99.9％的氟化铈原料，杂质含量达10‑6级；第二步：在130‑150℃温度下进行脱水；第三步：在氟塑料密封模具中，用静水压压制成锭；第四步：将料锭装入石墨坩埚上，充入惰性气体或含氟气体，焊封坩锅；第五步：制作时熔体温度高于其熔点200℃，以2‑10mm/hr生长速率下降生长，炉内保持10‑3a真空度，生长的温度梯度为30℃/cm；第六步：完成后从生长熔融温度降到200℃约需2‑4天，然后自然冷却到室温，完成制作。使用本发明专利技术技术长出的氟化铈晶体，透光率达到80%，快分量的透光率变化在5%以内，慢分量透光率降低约20%。

A Fabrication Method of Radiation Resistant Cerium Fluoride Crystal

The invention relates to a method for making crystals, in particular to a method for making anti-irradiation crystals, which includes the following steps: first, preparing 99.9% pure cerium fluoride raw materials with impurity content of 10_6 by using high purity cerium salts and hydrofluoric acid; second, dehydrating at 130_150 C; third, pressing ingots by hydrostatic pressure in a fluoroplastic sealing die; and fourth, pressing ingots by hydrostatic pressure; The ingot is loaded into graphite crucible and filled with inert gas or fluorine-containing gas to weld the crucible. The fifth step is: when the melt temperature is higher than 200 C, the growth rate decreases to 2 10 mm/hr, the furnace keeps 10 3 a vacuum, and the temperature gradient of growth is 30 / cm. The sixth step is that it takes about 2 4 days to reduce the growth melting temperature to 200 C, and then natural cooling to room temperature. Complete the production. The cerium fluoride crystal grown by the technology of the invention has a transmittance rate of 80%, the transmittance of the fast component changes within 5%, and the transmittance of the slow component decreases by about 20%.

【技术实现步骤摘要】
一种抗辐照氟化铈晶体的制作方法
本专利技术涉及的是晶体的制作方法，特别涉及抗辐照晶体的制作方法。
技术介绍
氟化铈晶体是一种闪烁晶体，它受粒自激发后产生波长峰值各为225nm和310nm快慢两种成份的荧光、氟化铈晶体快分量的荧光衰减时间极短（0.6ns），且它还具有密度高、抗辐照能力强等优点，因而在在核医学、高能物理等领域有着重要的应用价值和前景。例如，用它可做成采用飞行时间技术的正电子发射型断层照相机（PET）;在新一代的高辐照剂量的超导质子对撞机（SSC）的电磁量能器中也可望大量采用氟化铈闪烁晶体。现有的在真空引下生长的氟化铈晶体，这种技术的原理是为了避免OH-和氧化气氛的影响，采用高其空间的生长炉，在这种炉内用石墨作发热体，用石墨坩锅引下生长氟化铈晶体，为了排除熔体中的氧化物，往往在原料中加入3%的PbF2等。这种技术的缺点是：1.由于加入了氟化铅，若铅在生长中排除不尽，会使晶体出现尖锐的吸收峰，以致对氟化铈晶的快分量产生严重的影响；2.晶体的应力大，不退火无法进行切割加工；3.由于一定要在高真空或高密封状态下生长氟化铈晶体，所以设备庞大；4.一般使用尖底石墨坩锅，但仍容易生长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗辐照氟化铈晶体的制作方法，包括以下步骤：第一步：.用高纯铈盐和氢氟酸制备纯度99.9％的氟化铈原料，杂质含量达10‑6级；第二步：在130‑150℃温度下进行脱水；第三步：在氟塑料密封模具中，用静水压压制成锭；第四步：将料锭装入石墨坩埚上，充入惰性气体或含氟气体，焊封坩锅；第五步：制作时熔体温度高于其熔点200℃，以0.8‑1.6mm/小时生长速率下降生 长，炉内保持10‑3a真空度，生长的温度梯度为20‑30℃/cm；第六步：完成后从生长熔融温度降到200℃，然后自然冷却到室温，完成制作。

【技术特征摘要】
1.一种抗辐照氟化铈晶体的制作方法，包括以下步骤：第一步：.用高纯铈盐和氢氟酸制备纯度99.9％的氟化铈原料，杂质含量达10-6级；第二步：在130-150℃温度下进行脱水；第三步：在氟塑料密封模具中，用静水压压制成锭；第四步：将料锭装入石墨坩埚上，充入惰性气体或含氟气体，焊封坩锅；第五步：制作时熔体温度高于其熔点200℃，以0.8-1.6mm/小时生长速率下降生长，炉内保持10-3a真空度，生长的温度梯度为20-30℃/cm；第六步：完成后从生长熔融温度降到200℃，然后自然冷却到室温，完成制作。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱勤辉，张林，赵星，
申请(专利权)人：江苏万邦微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32