The invention discloses a coating method for anti-fingerprint film, which comprises cleaning the surface of the substrate, preparing an alumina film layer on the surface of the substrate to form a transition layer, preparing a silicon nitride or silicon carbide film layer on the surface of the transition layer to form a hardening layer, preparing a silicon oxide film on the surface of the hardening layer to form a bonding layer, and preparing an anti-fingerprint layer on the surface of the bonding layer. Layer. The anti-fingerprint film prepared by this method has higher hardness and better scratch resistance, which significantly improves the performance of the anti-fingerprint film. It has excellent film accuracy, hardness, scratch resistance and adhesion, natural non-residual stress characteristics, superior processing stability, uniformity and repeatability, and industrial requirements of hardness above 9H.
【技术实现步骤摘要】
一种防指纹膜的镀膜方法
本专利技术涉及镀膜技术,尤其涉及一种防指纹膜的镀膜方法。
技术介绍
防指纹药是由特殊结构的氟硅树脂配制而成的一种含氟涂料,在化学专家的口头术语一般是十七氟葵基三乙氧基硅烷,是根据产品的分子结构组合命名的。超硬防指纹膜层具有防水防油防污、防潮、绝缘、耐酸、防指纹、耐磨抗刮痕、高附着力、透光率强等优越性能,镀制了超硬防指纹膜层的材料不易附着指纹、油污等污染物,便于清洁打理。主要应用在手机,照相机,触屛电脑和电视等高端数码产品的保护玻璃,以及陶瓷卫浴、五金洁具等高端产品的防水防污防指纹处理。超硬薄膜是指莫氏硬度>9H的固体薄膜材料。它具有极高的硬度、低的摩擦系数和热膨胀系数、高的热导率以及与基体良好的相容性。此外,超硬膜往往还具有高的光通过率,空穴的可移动性以及优异的化学稳定性能。目前,对玻璃光学镜片、金属、陶瓷等产品的真空膜层性能的要求更高,需要优异的膜层精度、硬度、抗擦伤性和附着性、天然的无残余应力特性、优越的加工稳定性、均匀性和重复性、9H”以上硬度的行业需求。因此,上述技术问题需要解决。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本 ...
【技术保护点】
1.一种防指纹膜的镀膜方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,清理基板表面;S2,在所述基板的表面制备氧化铝膜层,形成过渡层;S3,在所述过渡层的表面制备氮化硅或碳化硅膜层,形成硬化层;S4,在所述硬化层的表面制备氧化硅膜层,形成结合层;S5,在所述结合层的表面制备防指纹层。
【技术特征摘要】
1.一种防指纹膜的镀膜方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,清理基板表面;S2,在所述基板的表面制备氧化铝膜层,形成过渡层;S3,在所述过渡层的表面制备氮化硅或碳化硅膜层,形成硬化层;S4,在所述硬化层的表面制备氧化硅膜层,形成结合层;S5,在所述结合层的表面制备防指纹层。2.根据权利要求1所述的防指纹膜的镀膜方法,其特征在于,所述步骤S1之前,还包括:将防指纹药安装在真空镀膜机上。3.根据权利要求1所述的防指纹膜的镀膜方法,其特征在于,所述步骤S1具体包括:将清洗干净的基板装进真空镀膜机;所述真空镀膜机的真空度达到7.5*10-3pa时,对所述基板表面进行离子轰击;充入流量为30sccm的中频氩气、流量为50sccm的离子源,所述离子源的电源电压为600V,工作压强为2.9*10-1pa,时间持续三分钟。4.根据权利要求1所述的防指纹膜的镀膜方法,其特征在于,所述步骤S2具体为:所述真空镀膜机的真空度达到4.0*10-3pa时,在所述基板的表面镀氧化铝,形成过渡层;具体为:充入流量为30sccm的中频氩气、流量为25sccm的离子源、流量为80sccm的中频氧...
【专利技术属性】
技术研发人员:王伟,张扬,常杰,范雪锋,
申请(专利权)人:深圳市一诺真空科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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