背靠背多层堆叠结构的MEMS移相器的相控阵天线单元制造技术

本发明专利技术提出了一种背靠背多层堆叠结构的MEMS移相器的相控阵天线单元，依次包括背靠背堆叠设置的天线辐射单元、上介质基板、公共地层、下介质基板、MEMS移相器和控制电路，其中，公共地层一侧为上介质基板，公共地层另一侧为下介质基板，上介质基板表面设置天线辐射单元，下介质基板表面设置MEMS移相器和控制电路，并且上介质基板表面的天线辐射单元和下介质基板表面的MEMS移相器之间采用同轴线馈电方式馈电。该相控阵天线单元通过采用背靠背多层堆叠结构，从整体减少相控阵天线单元的体积，使得相控阵天线具有小型化等优点，天线辐射单元和MEMS移相器不在同一侧，进而减小MEMS移相器对天线辐射单元接收和发射信号的影响，提高了相控阵天线单元的辐射性能。

【技术实现步骤摘要】
背靠背多层堆叠结构的MEMS移相器的相控阵天线单元
本专利技术涉及通信设备
，特别涉及一种背靠背多层堆叠结构的MEMS移相器的相控阵天线单元。
技术介绍
相控阵天线是随着相控阵雷达产业发展起来的一种智能化天线，在卫星通讯、现代无线通讯、雷达等领域具有广泛的应用。与传统的机械式扫描天线相比，相控阵天线的电扫描方式具有反应速度快、扫描范围广、扫描精度高等诸多优点。移相器是相控阵天线的关键器件之一，传统移相器因损耗问题使移相器难以向高频段发展，MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统)技术的出现为解决这一难题提供途径，MEMS移相器具有集成化、小型化、低损耗等优点。MEMS移相器分为开关线型移相器、反射型移相器和分布式移相器等。如图1所示，为一种基于MEMS移相器的相控阵天线单元结构，在该结构中，天线辐射单元和MEMS移相器在介质基板的同一侧，天线辐射单元和MEMS移相器所占整体空间范围比较大，不符合系统小型化的要求；同时，天线辐射单元和MEMS移相器被放在介质基板的同一侧，MEMS移相器会影响天线辐射单元对信号的发射和接收，从而影响天线辐射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背靠背多层堆叠结构的MEMS移相器的相控阵天线单元，其特征在于，依次包括背靠背堆叠设置的天线辐射单元、上介质基板、公共地层、下介质基板、MEMS移相器和控制电路，其中，所述公共地层一侧为所述上介质基板，所述公共地层另一侧为所述下介质基板，所述上介质基板表面设置天线辐射单元，所述下介质基板表面设置所述MEMS移相器和控制电路，并且所述上介质基板表面的天线辐射单元和所述下介质基板表面的MEMS移相器之间采用同轴线馈电方式馈电。

【技术特征摘要】
1.一种背靠背多层堆叠结构的MEMS移相器的相控阵天线单元，其特征在于，依次包括背靠背堆叠设置的天线辐射单元、上介质基板、公共地层、下介质基板、MEMS移相器和控制电路，其中，所述公共地层一侧为所述上介质基板，所述公共地层另一侧为所述下介质基板，所述上介质基板表面设置天线辐射单元，所述下介质基板表面设置所述MEMS移相器和控制电路，并且所述上介质基板表面的天线辐射单元和所述下介质基板表面的MEMS移相器之间采用同轴线馈电方式馈电。2.根据权利要求1所述的背靠背多层堆叠结构的MEMS移相器的相控阵天线单元，其特征在于，所述公共地层为中间层，所述上介质基板和所述下介质基板分别设置于所述中间层的上表面侧与下表面侧。3.根据权利要求2所述的背靠...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘泽文，成俊峰，张玉龙，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京,11