一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜磁性能的方法技术

一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜磁性能的方法，磁性薄膜技术领域。本发明专利技术采用磁控溅射法依次在基底上形成缓冲层、NiFe磁性薄膜和保护层层叠的多层膜结构，所述缓冲层的材料为TaNb合金；溅射完成后进行真空退火处理。本发明专利技术利用TaNb合金替代传统金属Ta作为缓冲层，通过改善磁层结构，为磁阻薄膜的生长提供良好的平整度，在常温下也可更好地诱导NiFe薄膜形成特定的(111)晶向的生长，从而提高了薄膜的AMR值，并且降低了薄膜的矫顽力，使得薄膜的灵敏度提高。因此本方法对于磁传感器器件性能的提高具有巨大的潜在价值。

【技术实现步骤摘要】
一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜磁性能的方法
本专利技术属于磁性薄膜领域，涉及磁电阻薄膜的制备方法，特别是涉及一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜磁性能的方法。
技术介绍
磁阻传感器是传感器的一个重要组成部分，是一种接受磁信号并将其转换成可用输出信号的器件或装置。各向异性磁电阻传感器有着功耗低、灵敏度高、体积小、噪声小、可靠性高及耐恶劣环境能力强等优点，使其在磁敏传感器中所占的比重越来越高，应用领域也正在逐步扩大。如今的各向异性磁阻传感器，无论是材料成分、器件结构、外围电路等方面的发展已经比较成熟，这使其成为小型化、高精度磁传感器的首选。由于坡莫合金价格低廉，具有良好的AMR效应、低矫顽力等优越性能，所以一直是被用于实际应用。在实际应用中，为了减小(AnisotropicMagnetoresistance，AMR)坡莫合金薄膜的退磁场效应，需要将其沉积的尽量薄，同时为了不断地挖掘AMR坡莫合金薄膜的潜力，提高其磁场灵敏度、降低噪音等，以扩大其应用领域，要求AMR坡莫合金薄膜沉积更薄的同时也希望其具有更小的矫顽力和尽可能大的AMR值。然而，研究人员发现AMR坡莫合金薄膜研究发展存在其内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜磁性能的方法，其特征在于，采用磁控溅射法依次在基底上形成缓冲层、NiFe磁性薄膜和保护层层叠的多层膜结构，所述缓冲层的材料为TaNb合金；溅射完成后进行真空退火处理。

【技术特征摘要】
1.一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜磁性能的方法，其特征在于，采用磁控溅射法依次在基底上形成缓冲层、NiFe磁性薄膜和保护层层叠的多层膜结构，所述缓冲层的材料为TaNb合金；溅射完成后进行真空退火处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，溅射前本底真空度在1.0×10-4Pa以下，溅射气氛为99.99％的高纯氩气，溅射气压为0.2Pa～0.5Pa。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，共溅射时金属Ta的溅射功率为90W～130W，Nb的溅射功率为50W～80W。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成缓冲层时采用金属Ta和金属Nb共溅射，靶枪所用靶材分别为Ta靶和Nb靶，通过调整靶枪和转盘的位置，使得...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文旭，龚雪，张万里，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51