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一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜磁性能的方法，磁性薄膜技术领域。本发明采用磁控溅射法依次在基底上形成缓冲层、NiFe磁性薄膜和保护层层叠的多层膜结构，所述缓冲层的材料为TaNb合金；溅射完成后进行真空退火处理。本发明利用TaNb合金替代传...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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