TFT阵列基板及液晶显示器制造技术

本发明专利技术提供了一种TFT阵列基板及液晶显示器，TFT阵列基板，包括：基板；遮光金属层，其设置于所述基板上；第一绝缘层，其设置于所述遮光金属层以及所述基板上；半导体层，其设置于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，其设置于所述第一绝缘层、所述半导体层以及所述触控信号线上；栅极金属层，其设置于所述第二绝缘层上并位于所述遮光金属层上方；第三绝缘层，其设置于所述第二绝缘层以及所述栅极金属层上；源漏极金属层，其设置于所述第三绝缘层上，源漏极金属层包括触控信号线、源极金属以及漏级金属；第四绝缘层，其设置于所述源漏极金属层以及所述第三绝缘层上，所述触控\公共电极层设置于所述第四绝缘层上。

【技术实现步骤摘要】
TFT阵列基板及液晶显示器
本专利技术涉及液晶显示领域，具体涉及一种TFT阵列基板及液晶显示器。
技术介绍
现有的内嵌式触控显示屏都是在显示屏内部嵌入触摸感应电炉，以使得显示屏更薄。尤其是对于边缘场开关模式液晶液晶显示器的TFT阵列基板中嵌入触摸传感器功能，将公共电极图形化处理为间隔设置的触控感应电极。触控信号线通常由新增加的一层金属形成、或者有电极同层材料同工艺制成，然而这两种方法存在增加光罩数量，且会降低像素单元的开口率。因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
技术实现思路
本本专利技术的目的是提供一种TFT阵列基板及液晶显示器，具有降低TFT阵列基板的厚度，提高像素开口率的有益效果。本专利技术实施例提供了一种TFT阵列基板，包括：基板；遮光金属层，其设置于所述基板上；第一绝缘层，其设置于所述遮光金属层以及所述基板上；半导体层，其设置于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，其设置于所述第一绝缘层、所述半导体层；栅极金属层，其设置于所述第二绝缘层上并位于所述遮光金属层上方；第三绝缘层，其设置于所述第二绝缘层以及所述栅极金属层上；源漏极金属层，其设置于所述第三绝缘层上，源漏极金属层包括触控信号线、源本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：基板；遮光金属层，其设置于所述基板上；第一绝缘层，其设置于所述遮光金属层以及所述基板上；半导体层，其设置于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，其设置于所述第一绝缘层、所述半导体层；栅极金属层，其设置于所述第二绝缘层上并位于所述遮光金属层上方；第三绝缘层，其设置于所述第二绝缘层以及所述栅极金属层上；源漏极金属层，其设置于所述第三绝缘层上，源漏极金属层包括触控信号线、源极金属以及漏级金属；第四绝缘层，其设置于所述源漏极金属层以及所述第三绝缘层上，所述触控\公共电极层设置于所述第四绝缘层上；触控\公共电极层，其设置于所述第一绝缘层上方，所述触控\公共电极层包括多个...

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：基板；遮光金属层，其设置于所述基板上；第一绝缘层，其设置于所述遮光金属层以及所述基板上；半导体层，其设置于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，其设置于所述第一绝缘层、所述半导体层；栅极金属层，其设置于所述第二绝缘层上并位于所述遮光金属层上方；第三绝缘层，其设置于所述第二绝缘层以及所述栅极金属层上；源漏极金属层，其设置于所述第三绝缘层上，源漏极金属层包括触控信号线、源极金属以及漏级金属；第四绝缘层，其设置于所述源漏极金属层以及所述第三绝缘层上，所述触控\公共电极层设置于所述第四绝缘层上；触控\公共电极层，其设置于所述第一绝缘层上方，所述触控\公共电极层包括多个呈矩形阵列排布的矩形金属层，所述多个矩形金属层分别与对应的触控信号线电连接，所述触控信号线分别与选通开关连接，所述选通开关分别与触控芯片的信号输入引脚以及接地引脚连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘弛，
申请(专利权)人：刘弛，
类型：发明
国别省市：浙江,33