The invention discloses a photoresist stripping agent, which comprises the following mass percentage components: amine compounds 10 25%, polar solvents 55 75%, corrosion inhibitors 0.5 1.2%, water 10 20%. The photoresist stripper with suitable proportion components is advantageous to its application in integrated circuits, semiconductor devices or liquid crystal displays.
【技术实现步骤摘要】
光致抗蚀剂剥离剂及光致抗蚀剂剥离方法
本专利技术属于集成电路或半导体应用
，尤其涉及一种光致抗蚀剂剥离剂及光致抗蚀剂剥离方法。
技术介绍
FPD基于例如LCD、LED、EL、VFD、FED、SED、PDP等各种显示原理，具有配设了微细导线的电极结构，在其制造工序中使用光致抗蚀剂。例如，在液晶显示器中，在形成于基板上的Al、Al合金、Cu、Cu合金等导电性金属膜、SiO2膜等绝缘膜上涂布光致抗蚀剂，对其实施曝光、显影的处理，形成抗蚀剂图案，以该图案化的抗蚀剂作为掩模对上述导电性金属膜、绝缘膜等进行蚀刻，形成微细导线后，用剥离剂除去不要的抗蚀剂层，从而制造液晶显示器。光致抗蚀剂是在照相平版印刷工艺中必不可少的物质，而照相平版印刷工艺一般还应用于集成电路等半导体装置。在进行照相平板印刷工艺之后，光致抗蚀剂在高温下被剥离溶液去除，但是在此过程中存在下部金属膜可能过快地被剥离溶液腐蚀的问题。光致抗蚀剂应当能够在低温下于短时间内剥离，并且其应当具有极好的剥离能力，以使冲洗后基底上不存在光致抗蚀剂残余物质。另外，光致抗蚀剂应当具有低腐蚀性，以防止光致抗蚀剂下层的金属膜或绝...
【技术保护点】
1.光致抗蚀剂剥离剂，其特征在于：包括如下质量百分比组分，胺系化合物10‑25％，极性溶剂55‑75％，防腐蚀剂0.5‑1.2％，水10‑20％。
【技术特征摘要】
1.光致抗蚀剂剥离剂，其特征在于：包括如下质量百分比组分，胺系化合物10-25％，极性溶剂55-75％，防腐蚀剂0.5-1.2％，水10-20％。2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂剥离剂，其特征在于：所述胺系化合物包括选自链状胺化合物和环状胺化合物的至少一种。3.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂剥离剂，其特征在于：所述链状胺化合物包括(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(AEE)、氨基乙基乙醇胺(AEEA)、单乙醇胺、N-甲基乙基胺(N-MEA)、1-氨基异丙醇(AIP)、甲基二甲胺(MDEA)、二亚乙基三胺(DETA)和三亚乙基四胺(TETA)中一种或多种。4.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂剥离剂，其特征在于：所述环状胺化合物包括咪唑基-4-乙醇(IME)、氨基乙基哌嗪(AEP)和羟基乙基哌嗪(HEP)中一种或多种。5.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂剥离剂，其特征在于：所述极性溶剂包括非质子性极性溶剂和质子性极性溶剂。6.根据权利要求5所述的光致抗蚀剂剥离剂，其特征在于：所述非质子性极性溶剂为二甲亚砜、N-甲基甲酰...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓强，
申请(专利权)人：苏州恒康新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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