一种LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片，包括衬底、外延层、N型电极和P型电极，所述P型电极包括P焊盘和P电流扩展条，所述P焊盘包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层和Au层，所述P电流扩展条包括Al层、Ti层、Pt层和Au层。本发明专利技术通过改变P电流扩展条的结构，使得P电流扩展条可以对有源层发出的光进行反射，提高芯片的出光效率。相应地，本发明专利技术还提供了一种LED芯片的制作方法。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种LED芯片及其制作方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。传统LED芯片的电极包括N型电极和P型电极，N/P型电极包括电极焊盘和电流扩展条(finger)，其中，电极焊盘和电流扩展条的结构相同，包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层和Au层，两者沉积的金属形同，制作方法相同，两者为同时形成。由于现有P型电极的电流扩展条的底层为Cr层，而Cr金属会对LED芯片所发出的光进行吸收，导致亮度损失。随着Cr层厚度增加，Cr层吸光越严重，P型电极的电流扩展条对LED芯片所发出的光进行反射的强度越差。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种LED芯片，P型电流扩展层可以对有源层发出的光进行反射，提高芯片的出光效率。本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种LED芯片的制作方法，通过沉积两次金属，形成的P型电流扩展层可以对有源层发出的光进行反射，提高芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括衬底、外延层、N型电极和P型电极，所述P型电极包括P焊盘和P电流扩展条，所述P焊盘包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层和Au层，所述P电流扩展条包括Al层、Ti层、Pt层和Au层。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括衬底、外延层、N型电极和P型电极，所述P型电极包括P焊盘和P电流扩展条，所述P焊盘包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层和Au层，所述P电流扩展条包括Al层、Ti层、Pt层和Au层。2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，Cr层的厚度为Al层的厚度为Ti层的厚度为Pt层的厚度为Au层的厚度为3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N型电极包括N焊盘和N电流扩展条，所述N焊盘和N电流扩展条包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层和Au层。4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括电流阻档层和透明导电层，所述外延层包括设于衬底上的N型氮化镓层、设于N型氮化镓层上的有源层、以及设于有源层上的P型氮化镓层，所述电流阻挡层设于P型氮化镓层上，所述透明导电层设于电流阻挡层上，所述N型电极设于N型氮化镓层上，所述P型电极设于透明导电层上。5.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1、在衬底上生长氮化镓材料，形成外延层；2、在N焊盘区域、P焊盘区域和P电流扩展条区域上沉积金属，形成Cr层；3、在N电流扩展条区域和Cr层上沉积金属，依次形成Al层、Ti层、Pt层和Au层，从而在N焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔永进，庄家铭，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44