一种光电二极管芯片及其制备方法技术

一种光电二极管芯片，包括基片，基片上设有光敏面和电极层；电极层包括电极环和电极焊盘，电极环围绕光敏面设置，电极焊盘与电极环电连接；基片包括与电极焊盘位置相对的第一外边缘，光敏面包括与电极焊盘位置相对的第一光敏边缘，第一光敏边缘与第一外边缘之间的间距一致；一种光电二极管芯片的制备方法，包括如下步骤：S1：外延层生长；S2：在外延层表面生长钝化膜；S3：在外延层表面形成扩散区孔；S4：通过扩散区孔进行Zn扩散，形成扩散区；S5：在外延层表面生长增透膜；S6：形成电极接触孔；S7：蒸镀电极层；S8：形成电极环和电极焊盘；S9：在外延层背面蒸发背面电极；S10：切割成单颗光电二极管芯片。

A Photodiode Chip and Its Preparation Method

A photodiode chip includes a substrate with a photosensitive surface and an electrode layer; the electrode layer includes an electrode ring and an electrode pad, the electrode ring is arranged around the photosensitive surface, and the electrode pad is electrically connected with the electrode ring; the substrate includes a first outer edge relative to the position of the electrode pad, a photosensitive surface includes a first photosensitive edge relative to the position of the electrode pad, and a first photosensitive edge relative to the position of the electrode pad. A method for preparing photodiode chips includes the following steps: S1: epitaxy layer growth; S2: passivation film growth on epitaxy layer surface; S3: diffuse zone pore formation on epitaxy layer surface; S4: zinc diffusion through diffuse zone pore formation diffuse zone; S5: antireflective film growth on epitaxy layer surface; S6: electrode contact pore formation; S7: evaporation and electroplating. Polar layer; S8: forming electrode ring and electrode pad; S9: evaporating back electrode on the back of epitaxy layer; S10: cutting into a single photodiode chip.

【技术实现步骤摘要】
一种光电二极管芯片及其制备方法
本专利技术涉及光通信
，具体涉及一种光电二极管芯片及其制备方法。
技术介绍
激光二极管由于具有直进性、微小光斑尺寸、单色性、高光密度和相干性等特点，在计算机上的光盘驱动器、激光打印机中的打印头、条形码扫描仪、激光测距、激光医疗、光纤通信、舞台灯光、激光切割焊接和激光武器等设备中得到了广泛应用。激光二极管内包括激光器(LaserDiode，LD)和光电二极管芯片(MonitorPhotoDiode，MPD)，激光器用于发射激光。光电二极管芯片位于激光器的下方，用于接收、监测激光器发出的激光。光电二极管芯片上设有光敏面，激光器发射出的激光落入到光敏面上，通过光敏面被光电二极管芯片吸收，进而形成监视电流，以对激光器进行背光监测。但是现有的光电二极管芯片接收光的效率低，进而造成监视电流小。在激光二极管的实际生产中，易受贴片位置、焊线工艺等影响，造成不良。
技术实现思路
(一)本专利技术的目的是提供一种接收激光器发射出来的光效率高的光电二极管芯片及其制备方法。(二)技术方案为了实现上述技术问题，本专利技术提供了一种光电二极管芯片，包括基片，所述基片上设有光敏面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电二极管芯片，其特征在于：包括基片，所述基片上设有光敏面和电极层；所述电极层包括电极环和电极焊盘，所述电极环围绕所述光敏面设置，所述电极焊盘与所述电极环电连接；所述基片包括与所述电极焊盘位置相对的第一外边缘，所述光敏面包括与所述电极焊盘位置相对的第一光敏边缘，所述第一光敏边缘与所述第一外边缘之间的间距一致。

【技术特征摘要】
1.一种光电二极管芯片，其特征在于：包括基片，所述基片上设有光敏面和电极层；所述电极层包括电极环和电极焊盘，所述电极环围绕所述光敏面设置，所述电极焊盘与所述电极环电连接；所述基片包括与所述电极焊盘位置相对的第一外边缘，所述光敏面包括与所述电极焊盘位置相对的第一光敏边缘，所述第一光敏边缘与所述第一外边缘之间的间距一致。2.根据权利要求1所述的光电二极管芯片，其特征在于：所述第一光敏边缘与所述第一外边缘之间的间距均小于30um。3.根据权利要求1所述的光电二极管芯片，其特征在于：所述基片还包括位置相对的第二外边缘和第三外边缘，所述光敏面还包括位置相对的第二光敏边缘和第三光敏边缘；所述第二光敏边缘与所述第二外边缘之间的间距一致，所述第三光敏边缘与所述第三外边缘之间的间距一致。4.根据权利要求3所述的光电二极管芯片，其特征在于：所述第二光敏边缘与所述第二外边缘之间的间距均大于10um，所述第三光敏边缘与所述第三外边缘之间的间距均大于10um。5.根据权利要求2所述的光电二极管芯片，其特征在于：所述基片为矩形，所述第一光敏边缘为直边。6.根据权利要求4所述的光电二极管芯片，其特征在于：所述第二光敏边缘和所述第三光敏边缘均为直边。7.根据权利要求1所述的光电二极管芯片，其特征在于：所述光敏面还包括与所述第一光敏边缘位置相对的第四光敏边缘，所述第四光敏边缘为直边。8.根据权利要求5所述的光电二极管芯片，其特征在于：所述光敏面为矩形，且所述光敏面的矩形的侧边与所述基片的矩形中相对应的侧边相平行。9.根据权利要求8所述的光电二极管芯片，其特征在于：所述光敏面沿所述第一光敏边缘的方向的长度大于130um，所述光敏面沿垂直于所述第一光敏边缘的方向的长度大于210um。10.根据权利要求1所述的光电二极管芯片，其特征在于：所述基片包括外延层和增透膜，所述外延层上向里扩散形成扩散区；所述增透膜和所述电极环均设置于所述扩散区上方，并且所述电极环围绕所述增透膜设置；所述增透膜形成的表面为所述光敏面。11.根据权利要求10所述的光电二极管芯片，其特征在于：所述外延层包括衬底、设置于所述衬底上的缓冲层、设置于所述缓冲层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘格，杨彦伟，刘宏亮，陆一锋，
申请(专利权)人：深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44