【技术实现步骤摘要】
一种晶圆抓取装置及控制方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤指一种晶圆抓取装置及控制方法。
技术介绍
半导体行业的IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)领域通常会使用超薄晶圆，对于特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm，甚至到80μm。当晶圆磨到这么薄后，后续的加工处理比较困难，特别是对于8寸以上的大硅片，极易破碎，操作难度更大。现有技术中，有的晶圆抓取装置采用的是真空吸附原理，例如真空吸笔，真空吸笔由塑料或者橡胶壳体、真空发生器(气动型)、真空吸盘、弯头和卷管(气动型)组成，在传输晶圆时，晶圆真空吸笔前端能够从晶圆片盒中吸取晶圆。上述晶圆的抓取方式对晶圆的接触面积大，容易对晶圆造成污染，且对于大尺寸晶圆、超薄晶圆具有较大的破坏性。为了在抓取晶圆时减小对晶圆的污染，降低对晶圆的破坏，本专利技术提供了一种晶圆抓取装置及控制方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种晶圆抓取装置及控制方法，在抓取晶圆时，晶圆抓取装置与晶圆表面无接触，减小了对晶圆的污染和破坏。本专利技术提供的技术方案如下：...
【技术保护点】
1.一种晶圆抓取装置，其特征在于，晶圆抓取装置包括：基板，所述基板的第一端连接至机械臂，所述基板上远离所述第一端的第二端设有开口，所述开口的凹陷方向朝所述基板的第一端延伸；所述开口周围设有若干个吸附机构；所述吸附机构包括至少一个凹槽，所述凹槽的侧壁上设有至少一个出风口；所述基板上还设有吹气机构，所述吹气机构通过通风道与所述吸附机构的出风口连通；气体自所述吹气机构进入，通过所述通风道传输至所述出风口处，并从所述出风口吹出，在所述凹槽内形成气旋，然后从所述凹槽的侧壁边沿流出，所述气体在所述凹槽内形成的气旋而产生低压，将晶圆吸附于所述晶圆抓取装置上。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆抓取装置，其特征在于，晶圆抓取装置包括：基板，所述基板的第一端连接至机械臂，所述基板上远离所述第一端的第二端设有开口，所述开口的凹陷方向朝所述基板的第一端延伸；所述开口周围设有若干个吸附机构；所述吸附机构包括至少一个凹槽，所述凹槽的侧壁上设有至少一个出风口；所述基板上还设有吹气机构，所述吹气机构通过通风道与所述吸附机构的出风口连通；气体自所述吹气机构进入，通过所述通风道传输至所述出风口处，并从所述出风口吹出，在所述凹槽内形成气旋，然后从所述凹槽的侧壁边沿流出，所述气体在所述凹槽内形成的气旋而产生低压，将晶圆吸附于所述晶圆抓取装置上。2.根据权利要求1所述的一种晶圆抓取装置，其特征在于：所述凹槽为圆形，所述出风口的出风方向与所述凹槽侧壁相切。3.根据权利要求1所述的一种晶圆抓取装置，其特征在于：所述基板上设有晶圆检测装置，所述晶圆检测装置包括第一晶圆检测传感器和第二晶圆检测传感器；当所述晶圆抓取装置未抓取晶圆时，所述第一晶圆检测传感器和所述第二晶圆检测传感器之间有光信号传播；当所述晶圆抓取装置靠近晶圆或抓取到晶圆时，所述晶圆阻断所述第一晶圆检测传感器和所述第二晶圆检测传感器之间光信号传播，从而检测晶圆是否被所述抓取装置抓取。4.根据权利要求1所述的一种晶圆抓取装置，其特征在于：所述开口朝所述基板的第一端延伸的延伸末端呈圆弧形；所述若干个吸附机构延所述开口延伸末端的圆周方向进行均匀排布；所述吸附机构包括第一类吸附机构和第二类吸附机构；所述第一类吸附机构中产生的气旋呈顺时针方向旋转；所述第二类吸附机构中产生的气旋呈逆时针方向旋转，所述第一类吸附机构和第二类吸附机构间隔排布。5.根据权利要求1所述的一种晶圆抓取装置，其特征在于：所述基板的第二端设有晶圆扫描装置，所述晶圆扫描装置包括第一晶圆扫描传感器和第二晶圆扫描传感器，所述第一晶圆扫描传感器位于所述基板上开口的一侧，所述第二晶圆扫描传感器位于所述基板上开口的另一侧。6.根据权利要求1所述的一种晶圆抓取装置，其特征在于：所述通风道设置于所述基板的内部。7.一种晶圆抓取装置的控制方法，其特征在于：晶圆抓取装置包括基板，所述基板的第一端连接至机械臂，所述基板上远离所述第一端的第二端设有开口，所述开口的凹陷方向朝所述基板的第一端延伸；所述开口周围设有若干个吸附机构；所述吸附机构包括至少一个凹槽，所述凹槽的侧壁上设有至少一个出风口；所述基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵宁，白富强，
申请(专利权)人：上海新创达智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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