一种半导体器件外延层的转移方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件外延层的转移方法，包括：S1、在衬底上制作牺牲层；S2、在所述牺牲层上制作器件外延层；S3、在所述器件外延层中制作刻蚀通道；S4、通过所述刻蚀通道刻蚀掉所述牺牲层，以使所述衬底与所述器件外延层分离。本发明专利技术实施例分离后的外延层厚度只有几微米，可以被随意弯折而不会被损坏，从而可以被制成柔性器件。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件外延层的转移方法
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种半导体器件外延层的转移方法。
技术介绍
柔性可穿戴器件近几年来发展迅速，已经应用到人们生活的许多方面，包括电子皮肤、柔性电路、可卷曲显示器、薄膜晶体管、柔性门电路等，这些柔性器件最普遍的特点是可以满足用户对于设备形变的要求。一般电子器件厚度都达到毫米量级，进行物理减薄后厚度也在100微米左右，难以在柔性器件领域应用；而GaN基半导体器件外延层的厚度为几微米，在柔性器件领域具有广阔的发展前景，但是GaN基半导体衬底的厚度却达到了毫米量级，阻碍了GaN基半导体在柔性器件领域的应用，因此外延层与衬底的剥离就至关重要。现有技术中，外延结构与衬底的剥离通常直接将牺牲层移除掉，不仅会导致牺牲层与外延结构之间受力不均匀，导致外延结构受损，而且需要较长移除时间，效率较低。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种半导体器件外延层的转移方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本专利技术实施例提供了一种半导体器件外延层的转移方法，包括：S1、在衬底上制作牺牲层；S2、在所述牺牲层上制作器件外延本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件外延层的转移方法，其特征在于，包括：S1、在衬底上制作牺牲层；S2、在所述牺牲层上制作器件外延层；S3、在所述器件外延层中制作刻蚀通道；S4、通过所述刻蚀通道刻蚀掉所述牺牲层，以使所述衬底与所述器件外延层分离。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件外延层的转移方法，其特征在于，包括：S1、在衬底上制作牺牲层；S2、在所述牺牲层上制作器件外延层；S3、在所述器件外延层中制作刻蚀通道；S4、通过所述刻蚀通道刻蚀掉所述牺牲层，以使所述衬底与所述器件外延层分离。2.如权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述衬底材料包括GaN、SiC、蓝宝石、Si或石墨烯中的一种或多种。3.如权利要求1所述的转移方法，其特征在于，步骤S3包括：S31、利用光刻工艺，在所述器件外延层表面指定区域制作预刻蚀图形；S32、利用干法刻蚀工...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓华，张新创，杜佳乐，卢阳，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61