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本发明涉及一种半导体器件外延层的转移方法，包括：S1、在衬底上制作牺牲层；S2、在所述牺牲层上制作器件外延层；S3、在所述器件外延层中制作刻蚀通道；S4、通过所述刻蚀通道刻蚀掉所述牺牲层，以使所述衬底与所述器件外延层分离。本发明实施例分离后...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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