一种半导体器件的制造方法及半导体器件技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，所述方法包括：提供玻璃晶圆；在所述玻璃晶圆上形成芯片胶膜；将若干芯片固定在所述芯片胶膜上；在所述玻璃晶圆表面形成覆盖所述芯片以及所述芯片胶膜的塑封体；去除所述玻璃晶圆；对所述塑封体和所述芯片胶膜进行切割，以形成彼此分离的多个封装结构，所述封装结构包括至少一个所述芯片。采用本发明专利技术的方法，采用玻璃晶圆代替硅晶圆作为芯片固定的载体，并在形成塑封体后去除所述玻璃晶圆，分离后的玻璃晶圆可以重复利用，节约了晶圆成本，同时，避免了对硅晶圆的减薄及刻蚀工艺，简化了工艺并节约了工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法及半导体器件
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件，尤其涉及一种晶圆级系统封装的方法及晶圆级系统封装结构。
技术介绍
在集成电路工艺中，半导体封装是指将晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。电子产品的小型化和多功能化，特别是计算机、通讯等便携式产品持续不断的需求，对集成电路提出了新的要求，并要求在芯片上实现系统的功能。晶圆级系统封装(WaferLevelSysteminaPackage，WLSIP)是将处理器、存储器等多种功能芯片以并排或者叠加的方式集成在一个封装内，通过晶圆级封装技术实现一个基本完整的功能。通过垂直集成，WLSIP也可以缩短互连距离，缩短信号延迟时间、降低噪音并减少电容效应，使信号速度更快，功率消耗也较低。在WLSIP中，通常采用硅晶圆作为芯片固定的载体，在后续的硅通孔(ThroughSiliconVia，TSV)工艺中，需要将硅晶圆减薄、并对硅晶圆以及硅晶圆表面的芯片胶膜(DieAttachFilm，DAF)实施刻蚀工艺形成硅通孔，然后进行后续的互连工艺，如形成重布线层(Redistri本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供玻璃晶圆；在所述玻璃晶圆上形成芯片胶膜；将若干芯片固定在所述芯片胶膜上；在所述玻璃晶圆表面形成覆盖所述芯片以及所述芯片胶膜的塑封体；去除所述玻璃晶圆；对所述塑封体和所述芯片胶膜进行切割，以形成彼此分离的多个封装结构，所述封装结构包括至少一个所述芯片。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供玻璃晶圆；在所述玻璃晶圆上形成芯片胶膜；将若干芯片固定在所述芯片胶膜上；在所述玻璃晶圆表面形成覆盖所述芯片以及所述芯片胶膜的塑封体；去除所述玻璃晶圆；对所述塑封体和所述芯片胶膜进行切割，以形成彼此分离的多个封装结构，所述封装结构包括至少一个所述芯片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述玻璃晶圆表面与所述芯片胶膜之间还形成吸光分解材料层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述吸光分解材料层包括光热转换膜或锯齿层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成塑封体的步骤之后，在所述去除玻璃晶圆的步骤之前，所述方法还包括在所述塑封体表面形成临时键合载体的步骤。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，去除所述玻璃晶圆的方法包括：采用激光对所述吸光分解材料层进行处理，然后再移除所述玻璃晶圆。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述去除玻璃晶圆的步骤之后，在所述对塑封体和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：施林波，陈福成，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31