封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种封装结构及其制造方法。所述制造方法包括以下步骤：提供载体，在载体上设置半导体晶粒以及至少一牺牲结构；通过多条导线使半导体晶粒与牺牲结构上的接合垫电性连接；于载体上形成封装体以密封半导体晶粒、牺牲结构以及导线；剥离载体，并通过薄化工程来移除牺牲结构的至少一部分；于半导体晶粒与封装体上形成重布线层，所述重布线层通过导线电性连接至半导体晶粒。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制造方法
本专利技术涉及一种封装结构，尤其涉及一种使用牺牲结构用于引线接合(wirebonding)的一种封装结构的制造方法。
技术介绍
为了使电子产品设计实现轻薄、短小的特征，半导体封装技术不断进步以试图开发出体积更小、重量更轻、整合性更高以及在市场上竞争力更高的产品。举例来说，由于集成扇出封装(integratedfan-outpackage)的紧密性，其变得越来越受欢迎。然而，在现有的扇出封装设计中，如果封装需要多晶粒的堆叠，则通常需要两个重布线层(redistributionlayer)以及较大的支柱(pillars)来提供连结。对于此类型的封装设计，其制造过程通常较为复杂、较为耗时，且也有翘曲的问题存在。因此，目前需要生产成本较低且经简化的制造方法/产品设计。
技术实现思路
本专利技术提供一种封装结构及其制造方法，其通过使用牺牲结构来固定用于引线接合的导线的位置。所述方法有效地降低了封装的尺寸和制造成本，并且克服了芯片或面板的翘曲问题。本专利技术提供一种封装结构的制造方法。所述方法包括以下步骤。提供一载体。在载体上设置半导体晶粒以及牺牲结构。通过多条导线使半导体晶粒与牺牲结构上的接合垫电性连接。于载体上形成封装体以密封半导体晶粒、牺牲结构以及导线。剥离载体，并通过薄化工程来移除牺牲结构以暴露出接合垫或是导线。于半导体晶粒与封装体上形成重布线层。所述重布线层通过导线电性连接至半导体晶粒。在本专利技术的一实施例中，所述薄化工程会移除半导体晶粒的一部分以形成薄化半导体晶粒。在本专利技术的一实施例中，所述封装结构的制造方法，还包括：于牺牲结构上形成多个被动元件，且形成封装体以密封被动元件。在本专利技术的一实施例中，在移除牺牲结构之后，重布线层是形成在半导体晶粒与封装体上，且重布线层是与半导体晶粒以及被动元件电性连接。本专利技术另提供一种封装结构，其包括封装体、堆叠晶粒、多个接合垫、多条导线以及重布线层。所述封装体具有顶表面以及与顶表面相对的底表面。堆叠晶粒嵌入于封装体中。接合垫嵌入于封装体中，其中接合垫暴露在封装体的顶表面上。导线嵌入于封装体中，其中堆叠晶粒通过导线与接合垫电性连接。重布线层设置于堆叠晶粒上且位于封装体的顶表面上，其中重布线层通过接合垫及导线与堆叠晶粒电性连接。在本专利技术的一实施例中，所述封装体具有第一厚度，且重布线层具有比第一厚度还小的第二厚度。在本专利技术的一实施例中，所述封装体提供第一刚性，重布线层提供第二刚性，且第一刚性大于第二刚性。在本专利技术的一实施例中，所述封装结构还包括：多个导电球设置在重布线层上。在本专利技术的一实施例中，所述接合垫以第一间距配置，导电球以第二间距配置，且第二间距大于第一间距。基于上述，是通过使用牺牲结构来固定导线的位置。因此，当移除牺牲结构时，能够提供导线或焊点的具体位置以用于进一步的连接。此外，可以在进行薄化工程期间有效地控制半导体晶粒的厚度，从而可以减小封装结构的整体尺寸。另外，由于牺牲结构的存在，晶粒与封装体之间的面积比可降低。因此，可以解决芯片或面板的翘曲问题。整体来说，能够实现封装结构制造工程的简化，进而降低制造成本。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A至图1G为依据本专利技术实施例封装结构的制造方法的剖面示意图；图2A至图2G为依据本专利技术实施例封装结构的制造方法的剖面示意图。附图标号说明：100、100’：封装102：载体103：黏合层104A：半导体晶粒104A-1：第一半导体晶粒104A-2：第二半导体晶粒104A-3：第三半导体晶粒104B：牺牲结构104T、K1、K2、T1、T2：厚度105：接合垫106：导线108：封装体108T：第一厚度110：重布线层110A：导电元件110B：介电层110T：第二厚度115：被动元件118：导电端点120：导电球CT：连接端点DL：切割线DP：晶粒焊盘P1：第一间距P2：第二间距S1：第一表面W1、W2、W3：宽度X1：厚度差Y1：第一表面Y2：第二表面具体实施方式接下来，将配合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细说明。在附图和说明书中，相同或相似的元件将尽可能地以相同标号表示。图1A至图1G为依据本专利技术实施例封装结构的制造方法的剖面示意图。参考图1A，提供了载体102。所述载体102可以是玻璃基板或是玻璃支撑板。在一些实施例中，其它适合的基板材料也可适用于载体102，只要是所运用的材料能够在后续处理步骤中承载形成于其上方的封装结构即可。牺牲结构104B是设置于载体102上。所述牺牲结构104B例如是在后续步骤中被移除的牺牲层。因此，牺牲层的材料没有特别限制，只要是能通过后续的薄化工程步骤来移除即可。牺牲结构104B是通过位于载体102上的黏合层103而设置在载体102上。在一些实施例中，黏合层103可以是晶粒接合膜(dieattachfilm)，或是通过包含环氧树脂的黏合材料所形成。黏合层103可以例如通过涂布、喷墨印刷、膜层贴合或其它适合的方法来形成以提供结构的支撑，并消除牺牲结构104B和载体102之间使用机械固定的必要性。半导体晶粒104A是设置在载体102上，且位于牺牲结构104B上方。在本实施例中，半导体晶粒104A例如为包括至少一底部半导体晶粒与顶部半导体晶粒彼此堆叠的堆叠晶粒。举例来说，如图1A所示，半导体晶粒104A具有彼此堆叠的第一半导体晶粒104A-1、第二半导体晶粒104A-2以及第三半导体晶粒104A-3。第一导体晶粒104A-1是做为底部半导体晶粒，且第三半导体晶粒104A-3是做为顶部半导体晶粒，而第二半导体晶粒104A-2夹层于两者之间。然而，本专利技术不以此为限。在半导体晶粒104A中的堆叠晶粒的数量没有特别限制。在一些实施例中，可在每个堆叠的晶粒之间设置晶粒接合膜(图中未示出)以增加它们的黏附性。此外，在本实施例中，半导体晶粒104A例如为特定应用集成电路(Application-SpecificIntegratedCircuit；ASIC)。然而，本专利技术不以此为限。也可以使用其它适合的主动元件做为半导体晶粒104A。如图1A所示，牺牲结构104B的宽度W2大于半导体晶粒104A的宽度W1。在有堆叠晶粒的情况下，牺牲结构104B的宽度W2是大于各个半导体晶粒(104A-1、104A-2以及104A-3)的宽度。所述半导体晶粒104A或是堆叠晶粒各自具有面向载体102的第一表面Y1以及背离载体102的第二表面Y2。此外，接合垫105是设置在牺牲结构104B上，并且是设置在半导体晶粒104A(堆叠晶粒)的第二表面Y2上。所述接合垫105例如是铝焊垫，或是用于引线接合的其它任何适合的材料。在一些实施例中，接合垫105可嵌入于牺牲结构104B内。另外，如图1A所示，提供有多条导线106以将半导体晶粒104A的接合垫105电性连接至牺牲结构104B的接合垫105。所述导线106例如是用于引线接合，并且具有弯曲的三维结构。在一些实施例中，是在堆叠多个晶粒为一组之后再形成导线106。举例来说，对于多晶粒的堆叠，是在堆叠两个至四个晶粒之后再使用导线106来提供电性连接。如图1A所示的实施例中，在将第一半导体晶粒104A-1设置在牺牲结构10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：提供载体；于所述载体上设置半导体晶粒以及至少一牺牲结构；通过多条导线将所述半导体晶粒电线连接至所述牺牲结构上的接合垫；于所述载体上形成封装体以密封所述半导体晶粒、所述牺牲结构以及所述多个导线；剥离所述载体；通过薄化工程来移除所述牺牲结构的至少一部分；以及于所述半导体晶粒与所述封装体上形成重布线层，其中所述重布线层通过所述多个导线电性连接至所述半导体晶粒。

【技术特征摘要】
2017.07.10 US 15/644,8311.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：提供载体；于所述载体上设置半导体晶粒以及至少一牺牲结构；通过多条导线将所述半导体晶粒电线连接至所述牺牲结构上的接合垫；于所述载体上形成封装体以密封所述半导体晶粒、所述牺牲结构以及所述多个导线；剥离所述载体；通过薄化工程来移除所述牺牲结构的至少一部分；以及于所述半导体晶粒与所述封装体上形成重布线层，其中所述重布线层通过所述多个导线电性连接至所述半导体晶粒。2.根据权利要求1所述的封装结构的制造方法，其特征在于，所述牺牲结构是设置在所述载体上，所述半导体晶粒是设置在所述牺牲结构上，且所述牺牲结构的宽度大于所述半导体晶粒的宽度。3.根据权利要求1所述的封装结构的制造方法，其特征在于，所述重布线层是在移除所述牺牲结构后形成在所述半导体晶粒与所述封装体上，并且将多个被动元件设置在所述重布线层上。4.根据权利要求1所述的封装结构的制造方法，其特征在于，在进行所述薄化工程之后会暴露出所述接合垫或是暴露出所述多个导线。5.根据权利要求1所述的封装结构的制造方法，其特征在于，多个所述牺牲结构是设置在所述载体上以环绕所述半导体晶粒，且所述半导体晶粒与所述牺牲结构是设置在所述载体的同一平面及同一表面上。6.一种封装结构，其特征在于，包括：封装体，其具有顶表面以及与所述顶表面相对的底表面；堆叠晶粒，嵌入于所述封装体中；多个接合垫，嵌入于所述封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：林汉文，徐宏欣，张简上煜，林南君，
申请(专利权)人：力成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71