一种薄膜倒装LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种薄膜倒装LED芯片，包括LED晶圆，所述LED晶圆包括第一半导体层，依次设于第一半导体层上的有源层、第二半导体层、反射层和第一钝化层，设于第一钝化层表面及延伸至第一半导体层上的第一电极，贯穿第一钝化层并设置在反射层上的第二电极，第一电极和第二电极相互绝缘；依次设于LED晶圆上的第二钝化层、第一键合层、第二键合层和硅基底；第一焊盘，所述第一焊盘贯穿硅基底、第二键合层、第一键合层和第二钝化层，并与第一电极导电连接；第二焊盘，所述第二焊盘贯穿硅基底、第二键合层、第一键合层和第二钝化层，并与第二电极导电连接。本实用新型专利技术的薄膜倒装LED芯片，不仅提高芯片的外量子效率，同时使芯片电流分布均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜倒装LED芯片
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种薄膜倒装LED芯片。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。现有的LED芯片主要包括正装LED芯片、倒装LED芯片和垂直LED芯片。与正装LED芯片和垂直LED芯片相比，倒装LED芯片具有免打线封装、散热更好、耐大电流冲击、外量子效率更高的优势。现有的倒装LED芯片一般在蓝宝石衬底上形成外延层和电极，然后将芯片焊接在基板上，而外延层发出的光从衬底一侧发出。但是，部分由外延层发出的光会被衬底吸收，从而降低LED芯片的外量子效率。现有的方法是将倒装LED芯片通过键合的方式固定在硅基板上，然后将蓝宝石衬底进行玻璃。公开号为CN107910406A的专利公开了一种薄膜结构的LED芯片及其制造方法，其制造方法包括：在晶圆表面制作芯片键合电极层，芯片键合电极层通过浅槽与N-GaN层连接；将晶圆与蒸镀有键合层的硅基板键合，硅基板的一表面蒸镀硅基板下电极层，硅基板的另一表面蒸镀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜倒装LED芯片，其特征在于，包括：LED晶圆，所述LED晶圆包括第一半导体层，依次设于第一半导体层上的有源层、第二半导体层、反射层和第一钝化层，设于第一钝化层表面及延伸至第一半导体层上的第一电极，贯穿第一钝化层并设置在反射层上的第二电极，第一电极和第二电极相互绝缘；依次设于LED晶圆上的第二钝化层、第一键合层、第二键合层和硅基底；第一焊盘，所述第一焊盘贯穿硅基底、第二键合层、第一键合层和第二钝化层，并与第一电极导电连接；第二焊盘，所述第二焊盘贯穿硅基底、第二键合层、第一键合层和第二钝化层，并与第二电极导电连接；设置在硅基底表面、第一焊盘和第二焊盘侧壁的第三钝化层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜倒装LED芯片，其特征在于，包括：LED晶圆，所述LED晶圆包括第一半导体层，依次设于第一半导体层上的有源层、第二半导体层、反射层和第一钝化层，设于第一钝化层表面及延伸至第一半导体层上的第一电极，贯穿第一钝化层并设置在反射层上的第二电极，第一电极和第二电极相互绝缘；依次设于LED晶圆上的第二钝化层、第一键合层、第二键合层和硅基底；第一焊盘，所述第一焊盘贯穿硅基底、第二键合层、第一键合层和第二钝化层，并与第一电极导电连接；第二焊盘，所述第二焊盘贯穿硅基底、第二键合层、第一键合层和第二钝化层，并与第二电极导电连接；设置在硅基底表面、第一焊盘和第二焊盘侧壁的第三钝化层。2.根据权利要求1所述的薄膜倒装LED芯片，其特征在于，第一焊盘和第二焊盘的直径右上往下递减。3.根据权利要求1所述的薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：王兵，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44