【技术实现步骤摘要】
一种基于电荷的电容测量装置
本技术涉及集成电路测试领域，尤其涉及基于电荷的电容测量装置。
技术介绍
在CMOS集成电路中，信号传播延时以及上升下降时间与传播路径中元件以及绕线的RC参数密切相关。随着集成电路制造技术的快速发展，单位面积上的晶体管数量呈指数式增长。单个晶体管的尺寸逐渐变小，其导通电阻及栅电容也随之变小；晶体管间的金属互连线则越来越复杂，线间距和最小线宽也在逐渐变小，相对晶体管延时而言，因互连线的寄生电阻电容产生的延时变得越来越显著，对于金属互连线产生的寄生参数的测量与评估正逐渐引起设计人员的重视。由金属互连线产生的寄生电容属于片上非压控电容，基于电荷的电容测量(CBCM)电路是目前片上电容测量所采用的主要电路结构。图1为CBCM电路原理图，使用一对高频不交叠时钟(频率为f)控制一对N/PMOS开关(供电电压分别为GND＝0和Ve＝V)，对待测电容进行反复充放电，通过直流方法测得待测电容在一个开关周期内的平均充电电流I，计算得到其充电电荷量Q＝I/f，进而根据电容的定义得到电容测量值C＝Q/V。传统的使用CBCM进行片上电容测量的测试装置，CBCM电路...
【技术保护点】
1.一种基于电荷的电容测量装置，包括待测器件阵列、探针卡和外部测试机，其特征在于，待测器件阵列包括若干呈阵列分布的待测器件及若干焊盘，所述焊盘与待测器件对应连接；探针卡包括若干探针和至少一个CBCM测量电路，CBCM测量电路的信号输入端与外部测试机连接，CBCM测量电路的电容充放电端与探针连接，探针通过接触焊盘导通该基于电荷的电容测量装置。
【技术特征摘要】
1.一种基于电荷的电容测量装置，包括待测器件阵列、探针卡和外部测试机，其特征在于，待测器件阵列包括若干呈阵列分布的待测器件及若干焊盘，所述焊盘与待测器件对应连接；探针卡包括若干探针和至少一个CBCM测量电路，CBCM测量电路的信号输入端与外部测试机连接，CBCM测量电路的电容充放电端与探针连接，探针通过接触焊盘导通该基于电荷的电容测量装置。2.根据权利要求1所述的一种基于电荷的电容测量装置，其特征在于，探针卡上探针的排布间距与待测器件阵列中焊盘的排布间距相对应。3.根据权利要求2所述的一种基于电荷的电容测量装置，其特征在于，焊盘的数量是探针数量的N倍，N是大于或等...
【专利技术属性】
技术研发人员：窦晓昕，陆梅君，杨慎知，成家柏，潘伟伟，
申请(专利权)人：杭州广立微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33
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