The invention belongs to a magnetron sputtering device, in particular to a composite magnetron sputtering deposition platform. A composite magnetron sputtering depositing platform, mother depositing platform and sub depositing platform, is characterized in that the mother depositing platform is fixed below the vacuum chamber and positioned directly below the magnetron sputtering device, the sub depositing platform is connected to the mother depositing platform through an electrical device, and the sub depositing platform can rotate horizontally, and the electroacoustic energy conversion device is fixed on the mother depositing platform and the sub depositing platform. Table level. Intermittent ultrasound control can effectively enhance the adhesion on the surface of the wire.
【技术实现步骤摘要】
一种复合式磁控溅射沉积台
本专利技术属于磁控溅射装置,具体涉及一种复合式磁控溅射沉积台。
技术介绍
磁控溅射沉积是利用足够高能量的粒子轰击靶材表面,使靶材中的原子获得做够高的能量,在表面发出的高能粒子在磁场的作用下运动,最终沉积在基体表面,形成金属薄膜。磁控溅射已经成为一种成熟的工业镀膜技术,由于其突出的有点,广泛应用于金属表面改性领域。磁控溅射包括很多种类,各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点:利用磁场与电场交互作用,使电子在靶表面附近成螺旋状运行,从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。目前,磁控溅射多用于大面积区域金属镀膜,如果溅射对象是金属丝或镂空金属配件,接触面积小,溅射层容易脱落,如何在金属丝表面形成稳定附着力强的磁控溅射技术,是亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术为了解决上述技术问题,提出了一种复合式磁控溅射沉积台。一种复合式磁控溅射沉积台,母沉积台和子沉积台,其特征在于:母沉积台固定在真空室内部下方,且位置在磁控溅射装置的正下方,子沉积台通过电机装置连接到母沉积台上方,并且子沉积台的台面能够水平转动,电声换能装置固定在母沉积台上,与子沉积台的台面水平。所述,电声换能装置通过连接件固定在母沉积台上,扩散口水平对准子沉积台上方加工物体,扩散口与母沉积台相对位置通过连接件调节。所述,功率放大器和信号发生器通过导线控制扩散口处声波功率。所述,功率放大器和信号发生器隐藏在真空室外部。所述,扩散口处通保护气体,保护气体在声波作用下作用在子沉积台加工物体上。所述,通过控制功率放大器和信号发生器,能够间 ...
【技术保护点】
1.一种复合式磁控溅射沉积台,母沉积台(4)和子沉积台(5),其特征在于:母沉积台(4)固定在真空室(1)内部下方,且位置在磁控溅射装置(2)的正下方,子沉积台(5)通过电机装置连接到母沉积台(4)上方,并且子沉积台(5)的台面能够水平转动,电声换能装置(3)固定在母沉积台(4)上,与子沉积台(5)的台面水平。
【技术特征摘要】
1.一种复合式磁控溅射沉积台,母沉积台(4)和子沉积台(5),其特征在于:母沉积台(4)固定在真空室(1)内部下方,且位置在磁控溅射装置(2)的正下方,子沉积台(5)通过电机装置连接到母沉积台(4)上方,并且子沉积台(5)的台面能够水平转动,电声换能装置(3)固定在母沉积台(4)上,与子沉积台(5)的台面水平。2.根据权利要求1所述一种复合式磁控溅射沉积台,其特征在于:电声换能装置(3)通过连接件(33)固定在母沉积台(4)上,扩散口(31)水平对准子沉积台(5)上方加工物体,扩散口(31)与母沉积台(4)相对位置通过连接件(33)调节。3...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁红,乔宪武,
申请(专利权)人:杭州联芳科技有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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