排气系统设备系统以及排气系统设备的清洁方法技术方案

本发明专利技术提供排气系统设备，减少排气系统设备的内部的副生成物的残留量而进一步提高排气系统设备的工作率。为了对半导体制造装置(12)的腔室(14)内进行排气，而在腔室(14)的下游设置真空泵(10)。气体供给装置(18)与真空泵(10)连接，而向真空泵(10)供给包含卤化氢和氮气的气体。

Cleaning method of exhaust system equipment system and exhaust system equipment

The invention provides an exhaust system equipment to reduce the residual amount of by-products in the exhaust system equipment and further improve the working rate of the exhaust system equipment. In order to exhaust the gas in the chamber (14) of the semiconductor manufacturing device (12), a vacuum pump (10) is arranged downstream of the chamber (14). The gas supply device (18) is connected with the vacuum pump (10) and supplies a gas containing hydrogen halide and nitrogen to the vacuum pump (10).

【技术实现步骤摘要】
排气系统设备系统以及排气系统设备的清洁方法
本专利技术涉及排气系统设备系统。
技术介绍
在制造半导体器件、液晶面板、LED、太阳电池等的制造装置中，向排气成真空的工艺腔内导入工艺气体而进行成膜处理或蚀刻处理等各种处理。为了对制造装置的腔室内进行排气，而在制造装置的腔室的下游设置排气系统设备。排气系统设备具有：真空泵、除害装置、将真空泵和除害装置彼此连接的配管、以及将腔室与真空泵或除害装置连接的配管等。真空泵对进行成膜处理或蚀刻处理等各种处理的工艺腔进行真空排气。由于工艺气体包含硅烷系气体(SiH4、TEOS等)等，给人体带来不良影响、或者出于地球温暖化的原因等给地球环境带来不良影响，因此并不优选直接向大气放出。因此，在通过设置在真空泵的下游侧的除害装置对这些废气进行无害化处理之后向大气放出。真空泵为了将半导体制造装置的腔室维持在真空状态，而对腔室内部的气体进行排气。由于向腔室内部供给的成膜用的气体包含生成副生成物的气体，因而副生成物与排出气体一同流入真空泵等、或者在泵内部等产生副生成物。被带入真空泵内部的副生成物或者在泵内部生成的副生成物夹在真空泵的转子之间或者转子与收纳转子的外壳的间隙等中。因此，副生成物阻碍真空泵的正常的旋转。生成副生成物的气体是作为半导体制造装置的目的的晶片成膜工序(制造工序)等所需的气体。真空泵的功能的前提是对向制造装置供给的所有的气体进行排气，无法避免副生成物的生成。半导体制造装置的用户要求在半导体制造装置制造制品时(成膜工序中)不停止真空泵。这是因为，当在成膜工序中真空泵停止时，必须废弃所有的制造中的制品，产生不期望的成本。并且，用户为了提高制造装置的工作率，期望真空泵的连续运转时间的延长，以使得在泵维护时期(例如，真空泵的定期更换时期)之前使真空泵不停止。在日本特许第5562144号所记载的技术中，为了防止工艺气体的副生成物堆积成阻碍转子的旋转的情况，提出进行刮落堆积物的生成物对策运转。作为其他的防止对策，通过泵的低温化或者高温化来抑制副生成物的生成、或者防止副生成物的固体化。具体而言，利用真空泵所生成的压缩热、设置于真空泵的加热器、在真空泵外部循环的冷却水而减少生成物。在该情况下，考虑生成物固有的温度(反应温度或升华温度)而进行泵的低温化或者高温化。在以上的以往技术中，残留有无法通过泵的低温化或者高温化来防止固态化的副生成物，期望减少残留量而进一步提高真空泵等的工作率。专利文献1：日本特许第5562144号
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的一个方式是为了解决这样的问题点而完成的，其目的在于，提供如下的排气系统设备：减少堆积在真空泵的转子或者外壳表面上的副生成物的堆积量而进一步提高排气系统设备的工作率。为了解决上述课题，在第一方式中采用如下结构，提供排气系统设备系统，其特征在于，该排气系统设备系统具有：排气系统设备，该排气系统设备能够设置在所述腔室的下游，以对制造装置的腔室内进行排气；以及气体供给装置，该气体供给装置与所述排气系统设备连接，能够将包含卤化氢、氟、氯、三氟化氯、氟自由基中的至少一种的气体向所述排气系统设备供给。在本实施方式中，通过包含卤化氢、氟、三氟化氯中的至少一种的气体对残留在排气系统设备的副生成物中的占了该副生成物的大部分的二氧化硅(SiO2)进行分解。例如，使用氟化氢(HF)而引起以下的反应。SiO2+4HF→SiF4+2H2O所生成的氟化硅(SiF4)的沸点较低，在-95.5℃升华，因此在常温作为气体，能够容易地去除。因此，能够减少排气系统设备的内部的副生成物的残留量，而进一步提高排气系统设备的工作率。根据实验，残量在作为排气系统设备中的一个部件的真空泵内的二氧化硅的大部分能够通过氟化氢而成为氟化硅，而从真空泵去除。这里，卤化氢是氢与卤(周期表第十七族元素、即氟F、氯Cl、溴Br、碘I、砹At)的化合物。卤化氢的一般式为HX(X为卤)。在排气系统设备系统中具有：真空泵、气体供给装置、除害装置、将真空泵、气体供给装置和除害装置彼此连接的配管、以及将腔室和真空泵或者除害装置连接的配管等。作为真空泵、气体供给装置、除害装置的组合，具有(1)气体供给装置+真空泵+除害装置、(2)气体供给装置+真空泵、(3)气体供给装置+除害装置等。使用了卤化氢气体等的真空泵的清洁对于副生成物的去除是通过与清洁用气体的化学反应而例如去除阻碍转子的旋转的生成物。副生成物的去除并不是降低副生成物的生成、抑制生成，而是“所生成的副生成物的去除”。关于副生成物的去除，通过副生成物的去除来确保间隙部(即，泵本体与旋转体的间隙)。另外，只要能够确保间隙部，就不需要分解或者去除所有的副生成物。基本上不需要所述排气系统设备的附带设备、排气系统配管内的维护。在第二方式中，采用如下的结构，根据第一方式的排气系统设备系统，其特征在于，所述排气系统设备具有与所述制造装置连接的连接部，所述气体供给装置在所述连接部与所述排气系统设备连接。在第三方式中，采用如下的结构，根据第一或者第二方式的排气系统设备系统，其特征在于，所述气体供给装置具有填充了卤化氢、氟、氯、三氟化氯中的至少一种的瓶。在第四方式中，采用如下的结构，根据第一至第三方式中的任意一个方式的排气系统设备系统，其特征在于，该排气系统设备系统具有对所述气体的温度进行控制的气体温度控制装置。在第五方式中，采用如下的结构，根据第四方式的排气系统设备系统，其特征在于，所述气体温度控制装置将所述气体的温度控制在50℃～250℃的范围内。在第六方式中，采用如下的结构，根据第一至第五方式中的任意一个方式的排气系统设备系统，其特征在于，所述排气系统设备具有多个，从一个所述气体供给装置向多个所述排气系统设备供给所述气体。在第七方式中，采用如下的结构，根据第一至第六方式中的任意一个方式的排气系统设备系统，其特征在于，所述排气系统设备系统具有将汽化或者雾化的水向所述气体供给的水供给装置，所述水与所述气体的混合物向所述排气系统设备供给。这里，雾化是指分散在气体中的液体的微粒子，也称为雾、液滴。在第八方式中，采用如下的结构，根据第一至第七方式中的任意一个方式的排气系统设备系统，其特征在于，所述排气系统设备系统具有控制部，该控制部控制从所述气体供给装置向所述排气系统设备的所述气体的供给，所述控制部根据所述制造装置所输出的表示所述制造装置的动作状态的状态信号而进行所述控制。在第九方式中，采用如下的结构，根据第一至第七方式中的任意一个方式的排气系统设备系统，其特征在于，所述排气系统设备系统具有控制部，该控制部控制从所述气体供给装置向所述排气系统设备的所述气体的供给，所述制造装置对除害装置输出表示所述制造装置的动作状态的状态信号，该除害装置设置在所述排气系统设备的下游且对从所述排气系统设备排出的废气进行处理而使该废气无害化，所述控制部从所述除害装置接收所述状态信号，根据接收到的所述状态信号而进行所述控制。在第十方式中，采用如下的结构，根据第一至第七方式中的任意一个方式的排气系统设备系统，其特征在于，所述排气系统设备系统具有控制部，该控制部控制从所述气体供给装置向所述排气系统设备的所述气体的供给，所述控制部根据所述排气系统设备所输出的表示所述排气系统设备的动作状态的状态本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种排气系统设备系统，其特征在于，具有：排气系统设备，该排气系统设备能够设置在所述腔室的下游，以对制造装置的腔室内进行排气；以及气体供给装置，该气体供给装置与所述排气系统设备连接，能够将包含卤化氢、氟、氯、三氟化氯、氟自由基中的至少一种的气体向所述排气系统设备供给。

【技术特征摘要】
2017.06.29 JP 2017-127740;2018.02.02 JP 2018-016911.一种排气系统设备系统，其特征在于，具有：排气系统设备，该排气系统设备能够设置在所述腔室的下游，以对制造装置的腔室内进行排气；以及气体供给装置，该气体供给装置与所述排气系统设备连接，能够将包含卤化氢、氟、氯、三氟化氯、氟自由基中的至少一种的气体向所述排气系统设备供给。2.根据权利要求1所述的排气系统设备系统，其特征在于，所述排气系统设备具有与所述制造装置连接的连接部，所述气体供给装置在所述连接部与所述排气系统设备连接。3.根据权利要求1或2所述的排气系统设备系统，其特征在于，所述气体供给装置具有填充了卤化氢、氟、氯、三氟化氯中的至少一种的瓶。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的排气系统设备系统，其特征在于，该排气系统设备系统具有对所述气体的温度进行控制的气体温度控制装置。5.根据权利要求4所述的排气系统设备系统，其特征在于，所述气体温度控制装置将所述气体的温度控制在50℃～250℃的范围内。6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的排气系统设备系统，其特征在于，所述排气系统设备具有多个，从一个所述气体供给装置向多个所述排气系统设备供给所述气体。7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的排气系统设备系统，其特征在于，所述排气系统设备系统具有将汽化或者雾化的水向所述气体供给的水供给装置，将所述水与所述气体的混合物向所述排气系统设备供给。8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的排气系统设备系统，其特征在于，所述排气系统设备系统具有控制部，该控制部控制从所述气体供给装置向所述排气系统设备的所述气体的供给，所述控制部根据所述制造装置所输出的表示所述制造装置的动作状态的状态信号而进行所述控制。9.根据权利要求1至7中的任意一项所述的排气系统设备系统，其特征在于，所述排气系统设备系统具有控制部，该控制部控制从所述气体供给装置向所述排气系统设备的所述气体的供给，所述制造装置对除害...

【专利技术属性】
技术研发人员：舞鴫惠治，杉浦哲郎，黄吕翔，原田稔，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP