The membrane structure (10) has a substrate (11), a piezoelectric film (14) formed on the substrate (11) and containing the first composite oxide as shown in the constitutive lead (Zr1_xTix) O3, and a piezoelectric film (15) formed on the piezoelectric film (14) and containing the second composite oxide as shown in the constitutive lead (Zr1_yTiy) O3. X satisfies 0.10 < x < 0.20, y satisfies 0.35 < y < 0.55, piezoelectric film (14) has tensile stress and piezoelectric film (15) has compressive stress.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】膜结构体及其制造方法
本专利技术涉及膜结构体及其制造方法。
技术介绍
作为具有基板和形成在基板上的压电膜的膜结构体,已知具有包含在基板上形成的钛酸锆酸铅(PZT)、即PbZrxTi1-xO3(0<x<1)的压电膜的膜结构体。将这样的膜结构体加工而形成压电元件。此外,作为这样的包含PZT的压电膜,已知包含在基板上形成的第一压电膜以及在该第一压电膜上形成的第二压电膜的产物。日本特开2006-332368号公报(专利文献1)公开了下述技术:在压电薄膜元件的制造方法中,通过化学溶液法,在第一电极薄膜上作为基底膜而形成高取向的第一压电薄膜,其后,通过溅射法,在第一压电薄膜上形成高取向的第二压电薄膜。日本特开2015-154014号公报(专利文献2)公开了下述技术:在强电介质膜的制造方法中,通过涂布溶液的方法而形成非结晶性前体膜,将该非结晶性前体膜氧化并结晶化,从而形成强电介质涂布烧结结晶膜,通过溅射法在该强电介质涂布烧结结晶膜上形成强电介质结晶膜。国际公开第2016/009698号(专利文献3)公开了下述技术:在强电介质陶瓷中,具备Pb(Zr1-ATiA)O3膜和形成在该P ...
【技术保护点】
1.一种膜结构体,其具有:基板;形成在所述基板上且包含以下的组成式(化1)所示的第一复合氧化物的第一膜;以及形成在所述第一膜上且包含以下的组成式(化2)所示的第二复合氧化物的第二膜,Pb(Zr1‑xTix)O3…(化1)Pb(Zr1‑yTiy)O3…(化2)所述x满足0.10<x≤0.20,所述y满足0.35≤y≤0.55,所述第一膜具有拉伸应力,所述第二膜具有压缩应力。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.21 JP 2016-1223421.一种膜结构体,其具有:基板;形成在所述基板上且包含以下的组成式(化1)所示的第一复合氧化物的第一膜;以及形成在所述第一膜上且包含以下的组成式(化2)所示的第二复合氧化物的第二膜,Pb(Zr1-xTix)O3…(化1)Pb(Zr1-yTiy)O3…(化2)所述x满足0.10<x≤0.20,所述y满足0.35≤y≤0.55,所述第一膜具有拉伸应力,所述第二膜具有压缩应力。2.根据权利要求1所述的膜结构体,其中,所述第一膜包含相互层叠的多个层,所述第二膜包含自所述第二膜的下表面起至上表面为止彼此一体形成的多个晶粒。3.根据权利要求2所述的膜结构体,其中,所述多个晶粒各自具有自发极化,所述自发极化包含与所述第二膜的厚度方向平行的极化成分,所述多个晶粒各自具有的所述自发极化中包含的所述极化成分相互朝着相同方向。4.根据权利要求1~3中任一项所述的膜结构体,其中,所述基板为硅基板。5.根据权利要求4所述的膜结构体,其具有:形成在所述硅基板上的第三膜;以及形成在所述第三膜上的导电膜,所述硅基板具有由(100)面形成的主面,所述第三膜包含具有立方晶的晶体结构且处于(100)取向的氧化锆,所述导电膜包含具有立方晶的晶体结构且处于(100)取向的铂,所述第一复合氧化物具有菱面体晶的晶体结构,且处于(100)取向。6.根据权利要求5所述的膜结构体,其中,所述第二复合氧化物具有菱面体晶的晶体结构,且处于(100)取向。7.根据权利要求5所述的膜结构体,其中,所述第二复合氧化物具有四方晶的晶体结构,且处于(001)取向。8.一种膜结构体的制造方法,其具备:(a)准备基板的工序;(b)在所述基板上形成包含以下的组成式(化1)所示的第一复合氧化物的第一膜的工序;以及(c)在所述第一膜上形成包含以下的组成式(化2)所示的第二复合氧化物的第二膜的工序,Pb(Zr1-xTix)Q3…(化1)Pb(Zr1-yTiy)O3…(化2)...
【专利技术属性】
技术研发人员:木岛健,
申请(专利权)人:前进材料科技株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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