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膜结构体及其制造方法技术
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文档序号:20084054
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膜结构体(10)具有基板(11)、形成在基板(11)上且包含组成式Pb(Zr1‑xTix)O3所示的第一复合氧化物的压电膜(14)、以及形成在压电膜(14)上且包含组成式Pb(Zr1‑yTiy)O3所示的第二复合氧化物的压电膜(15)。x满...
该专利属于前进材料科技株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过前进材料科技株式会社授权不得商用。
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