膜结构体制造技术

本发明专利技术提供一种膜结构体，能够使含有锆钛酸铅的压电膜的压电特性提高。膜结构体(構造体)具有：基体(11)；形成于基体(11)上，并且含有锆钛酸铅的下部压电膜(21)；形成于下部压电膜(21)上，并且含有锆钛酸铅的上部压电膜(22)。基体(11)具有压缩应力，下部压电膜(21)和上部压电膜(22)均具有拉伸应力，下部压电膜(21)的弹性常数大于上部压电膜(22)的弹性常数。

【技术实现步骤摘要】
膜结构体
本专利技术涉及膜结构体。
技术介绍
作为具有基板、形成于基板上的导电膜和形成于导电膜上的压电膜的膜结构体，已知的是具有基板、形成于基板上的含铂的导电膜和形成于导电膜上的含锆钛酸铅(Pb(Zr,Ti)O3：PZT)的压电膜的膜结构体。另外，作为含有PZT的压电膜，例如已知有如下构成的压电膜：在包含具有锆(Zr)对于钛(Ti)的组成比相对大的富锆组成的PZT的第一膜上，形成包含具有锆(Zr)对于钛(Ti)的组成比相对小的富钛组成的PZT的第二膜。在国际公开第2017/221649号(专利文献1)中公开有如下技术：在膜结构体中，具有：基板；形成于基板上，并且含有由组成式Pb(Zr1－xTix)O3表示的第一复合氧化物的第一膜；形成于第一膜上，并且含有由组成式Pb(Zr1－yTiy)O3表示的第二复合氧化物的第二膜，x满足0.10＜x≤0.20，y满足0.35≤y≤0.55，第一膜具有拉伸应力，第二膜具有压缩应力。【在先技术文献】【专利文献】【专利文献1】国际公开第2017/221649号将形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种膜结构体，其具有：/n基体；/n第一压电膜，其形成于所述基体上，并且含有锆钛酸铅；/n第二压电膜，其形成于所述第一压电膜上，并且含有锆钛酸铅，/n所述基体具有压缩应力，/n所述第一压电膜和所述第二压电膜均具有拉伸应力，/n所述第一压电膜的第一弹性常数大于所述第二压电膜的第二弹性常数。/n

【技术特征摘要】
20190403 JP 2019-0710721.一种膜结构体，其具有：
基体；
第一压电膜，其形成于所述基体上，并且含有锆钛酸铅；
第二压电膜，其形成于所述第一压电膜上，并且含有锆钛酸铅，
所述基体具有压缩应力，
所述第一压电膜和所述第二压电膜均具有拉伸应力，
所述第一压电膜的第一弹性常数大于所述第二压电膜的第二弹性常数。


2.根据权利要求1所述的膜结构体，其中，所述第一压电膜的第一厚度相对于所述第一压电膜的第一厚度与所述第二压电膜的第二厚度之和的比为0.25～0.75。


3.根据权利要求2所述的膜结构体，其中，所述第一压电膜的第一压电常数小于所述第二压电膜的第二压电常数。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的膜结构体，其中，所述第一压电膜含有由下述化学式1的通式表示的锆钛酸铅，
化学式1：Pb(Zr1－aTia)O3
所述第二压电膜含有由下述化学式2的通式表示的锆钛酸铅，
化学式2：Pb(Zr1－bTib)O3
所述a满足0.48＜a≤0.78，
所述b满足0.28≤b≤0.48。


5.一种膜结构体，其具有：
基体；
第一压电膜，其形成于所述基体上，并且含有锆钛酸铅；
第二压电膜，其形成于所述第一压电膜上，并且含有锆钛酸铅，
所述基体具有压缩应力，
所述第一压电膜和所述第二压电膜均具有拉伸应力，
所述第一压电膜的第一弹性常数小于所述第二压电膜的第二弹性常数，
所述第一压电膜的第一厚度相对于所述第一压电膜的第一厚度与所述第二压电膜的第二厚度之和的比为0.25～0.75。


6.根据权利要求5所述的膜结构体，其中，所述第一压电膜的第一压电常数大于所述第二压电膜的第二压电常数。

【专利技术属性】
技术研发人员：木岛健，小西晃雄，
申请(专利权)人：前进材料科技株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP