静电保护电路、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种静电保护电路、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域。该静电保护电路包括：放电子电路、缓冲子电路以及静电防护线，缓冲子电路包括第三晶体管和第四晶体管。第三晶体管的栅极和第二极均与第四晶体管的第一极连接，第一极与信号线连接；第四晶体管的栅极和第二极均与信号线连接。当信号线上产生的静电较大时，该缓冲子电路可以在信号线与放电子电路之间形成电荷的缓冲通道，从而有效降低了静电保护电路失效的概率，保证了放电子电路的可靠性，确保了静电保护电路的抗静电性能。

【技术实现步骤摘要】
静电保护电路、阵列基板及显示装置
本申请涉及显示
，特别涉及一种静电保护电路、阵列基板及显示装置。
技术介绍
在阵列基板制造过程，由于等离子体沉积、膜层刻蚀和摩擦等工艺容易产生静电，因此阵列基板上形成的信号线可能发生静电击穿和静电损伤，导致阵列基板不良。为了保证各种信号线的正常工作，阵列基板上会设置与信号线连接的静电保护器件。该静电保护器件通常也称为静电释放(Electro-Staticdischarge，ESD)器件。相关技术中的静电保护器件一般包括晶体管和静电防护线，该晶体管的源极可以与信号线连接，栅极和漏极可以均与静电防护线连接。该晶体管可以将信号线上产生的静电及时释放至该静电防护线。但是，当信号线上产生瞬时高电压时，静电保护电路中的晶体管容易被烧坏，导致静电保护器件失效。
技术实现思路
本技术提供了一种静电保护电路、阵列基板及显示装置，可以解决相关技术中由于信号线产生瞬时高电压使得静电保护电路中的晶体管被烧坏，导致静电保护器件失效的问题。所述技术方案如下：一方面，提供了一种静电保护电路，所述静电保护电路包括：至少一个放电子电路、至少一个缓冲子电路以及静电防护线，每个所述放电子电路包括第一晶体管和第二晶体管；每个所述缓冲子电路包括第三晶体管和第四晶体管；所述第一晶体管的栅极和第二极均与信号线连接，所述第一晶体管的第一极与所述静电防护线连接；所述第二晶体管的栅极和第二极均与所述静电防护线连接，所述第二晶体管的第一极与信号线连接；所述第三晶体管的栅极和第二极均与所述第四晶体管的第一极连接，所述第三晶体管的第一极与所述信号线连接；所述第四晶体管的栅极和第二极均与所述信号线连接。可选的，所述静电保护电路包括：两个所述缓冲子电路。可选的，所述静电保护电路还包括：与所述信号线和所述静电防护线均绝缘的金属线；所述第三晶体管的栅极和第二极，以及所述第四晶体管的第一极分别与所述金属线连接。可选的，所述信号线包括：相互平行的第一线段和第二线段，以及用于连接所述第一线段和所述第二线段的连接线段；所述第一线段和所述第二线段均与所述静电防护线平行，且所述第二线段相对于所述第一线段靠近所述静电防护线；所述第三晶体管和所述第四晶体管均设置在所述第一线段与所述第二线段之间，且所述第三晶体管的第一极与第一线段和第二线段中的一个线段连接，所述第四晶体管的栅极和第二极均与另一个线段连接；所述第一晶体管和所述第二晶体管均设置在所述第二线段与所述静电防护线之间，且所述第一晶体管的栅极和第二极，以及所述第二晶体管的第一极均与所述第二线段连接。可选的，所述金属线设置在所述第一线段和所述第二线段之间，且与所述第一线段平行。可选的，所述第三晶体管的栅极与所述金属线为一体结构。可选的，所述第一线段与所述第二线段同层设置，且所述第一线段与所述连接线段异层设置；所述连接线段通过过孔分别与第一线段和所述第二线段连接。可选的，所述信号线为栅线，所述第一线段和所述第二线段均与晶体管的栅极同层设置，所述连接线段与晶体管的第一极和第二极同层设置。可选的，所述信号线为数据线，所述第一线段和所述第二线段均与晶体管的第一极和第二极同层设置，所述连接线段与晶体管的栅极同层设置。可选的，所述静电保护电路应用于阵列基板中；所述金属线不与所述阵列基板中的其他信号线连接，且不与信号端连接。可选的，所述第三晶体管的第二极和所述第四晶体管的第一极为一体结构。可选的，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第一极为一体结构，所述第一晶体管的第一极与所述第二晶体管的第二极为一体结构。另一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：信号线，以及与所述信号线连接的如上述方面所述的静电保护电路。可选的，所述信号线包括：相互平行的第一线段和第二线段，以及用于连接所述第一线段和所述第二线段的连接线段；所述第一线段和所述第二线段均与所述静电保护电路中的静电防护线平行，且所述第二线段相对于所述第一线段靠近所述静电防护线；所述静电保护电路中的第三晶体管和第四晶体管均设置在所述第一线段与所述第二线段之间，且所述第三晶体管的第一极与第一线段和第二线段中的一个线段连接，所述第四晶体管的栅极和第二极均与另一个线段连接；所述第一晶体管和所述第二晶体管均设置在所述第二线段与所述静电防护线之间，且所述第一晶体管的栅极和第二极，以及所述第二晶体管的第一极均与所述第二线段连接。又一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：如上述方面所述的阵列基板。本技术提供的技术方案带来的有益效果可以包括：本技术提供了一种静电保护电路、阵列基板及显示装置，该静电保护电路包括至少一个放电子电路、至少一个缓冲子电路以及静电防护线，每个放电子电路包括第一晶体管和第二晶体管；每个缓冲子电路包括第三晶体管和第四晶体。当信号线上产生的静电较大时，该缓冲子电路可以在信号线与放电子电路之间形成电荷的缓冲通道，从而有效降低了静电保护电路失效的概率，保证了放电子电路的可靠性，确保了静电保护电路的抗静电性能。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术实施例提供的一种静电保护电路的等效电路图；图2是本技术实施例提供的另一种静电保护电路的等效电路图；图3是本技术实施例提供的一种静电保护电路的结构示意图；图4是图3在AA方向的截面图；图5是本技术实施例提供的一种缓冲子电路的截面图；图6是本技术实施例提供的一种静电保护电路在形成栅极图案后的俯视图；图7是图6在AA方向的截面图；图8是本技术实施例提供的一种静电保护电路在形成有源层后的俯视图；图9是本技术实施例提供的一种栅绝缘层、有源层和刻蚀阻挡层的结构示意图；图10是本技术实施例提供的一种源漏金属图案的结构示意图；图11是本技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方式作进一步地详细描述。本技术实施例中采用的晶体管可以均为晶体管，根据在电路中的作用本技术实施例所采用的晶体管主要为开关晶体管。由于这里采用的开关晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。在本技术实施例中，可以将其中源极称为第一极，漏极称为第二极；或者也可以将其中源极称为第二极，漏极称为第一极。按附图中的形态规定晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。图1是本技术实施例提供的一种静电保护电路的等效电路图。参考图1，该静电保护电路可以包括：至少一个放电子电路10、至少一个缓冲子电路20以及静电防护线L。每个放电子电路10可以包括第一晶体管M1和第二晶体管M2。每个缓冲子电路20包括第三晶体管M3和第四晶体管M4。第一晶体管M1的栅极和第二极均与信号线S连接，该第一晶体管M1的第一极与静电防护线L连接。第二晶体管M2的栅极和第二极均与静电防护线L连接，该第二晶体管M2的第一极与信号线S连接。第三晶体管M3的栅极和第二极均与第四晶体管M本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路包括：至少一个放电子电路、至少一个缓冲子电路以及静电防护线，每个所述放电子电路包括第一晶体管和第二晶体管；每个所述缓冲子电路包括第三晶体管和第四晶体管；所述第一晶体管的栅极和第二极均与信号线连接，所述第一晶体管的第一极与所述静电防护线连接；所述第二晶体管的栅极和第二极均与所述静电防护线连接，所述第二晶体管的第一极与信号线连接；所述第三晶体管的栅极和第二极均与所述第四晶体管的第一极连接，所述第三晶体管的第一极与所述信号线连接；所述第四晶体管的栅极和第二极均与所述信号线连接。

【技术特征摘要】
1.一种静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路包括：至少一个放电子电路、至少一个缓冲子电路以及静电防护线，每个所述放电子电路包括第一晶体管和第二晶体管；每个所述缓冲子电路包括第三晶体管和第四晶体管；所述第一晶体管的栅极和第二极均与信号线连接，所述第一晶体管的第一极与所述静电防护线连接；所述第二晶体管的栅极和第二极均与所述静电防护线连接，所述第二晶体管的第一极与信号线连接；所述第三晶体管的栅极和第二极均与所述第四晶体管的第一极连接，所述第三晶体管的第一极与所述信号线连接；所述第四晶体管的栅极和第二极均与所述信号线连接。2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路包括：两个所述缓冲子电路。3.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路还包括：与所述信号线和所述静电防护线均绝缘的金属线；所述第三晶体管的栅极和第二极，以及所述第四晶体管的第一极分别与所述金属线连接。4.根据权利要求3所述的静电保护电路，其特征在于，所述信号线包括：相互平行的第一线段和第二线段，以及用于连接所述第一线段和所述第二线段的连接线段；所述第一线段和所述第二线段均与所述静电防护线平行，且所述第二线段相对于所述第一线段靠近所述静电防护线；所述第三晶体管和所述第四晶体管均设置在所述第一线段与所述第二线段之间，且所述第三晶体管的第一极与第一线段和第二线段中的一个线段连接，所述第四晶体管的栅极和第二极均与另一个线段连接；所述第一晶体管和所述第二晶体管均设置在所述第二线段与所述静电防护线之间，且所述第一晶体管的栅极和第二极，以及所述第二晶体管的第一极均与所述第二线段连接。5.根据权利要求4所述的静电保护电路，其特征在于，所述金属线设置在所述第一线段和所述第二线段之间，且与所述第一线段平行。6.根据权利要求5所述的静电保护电路，其特征在于，所述第三晶体管的栅极与所述金属线为一体结构。7.根据权利要求4至6任一所述的静电保护电路，其特征在于，所述第一线段与所述第二线段同层设...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙春平，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11