一种半导体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室。在第二腔室部相对于第一腔室部位于关闭位置且微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近第一腔室部的半导体晶圆的第一侧表面的外缘部分，第二腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近第二腔室部的半导体晶圆的第二侧表面的外缘部分，第一腔室部的内壁表面和第二腔室部的内壁表面之间形成有位于半导体晶圆外侧的外端面微处理空间。借助外端面微处理空间，本发明专利技术能够实现对半导体晶圆的外缘的处理。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体处理装置
本专利技术涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及一种半导体处理装置。
技术介绍
专利号为201210171681.9和201210088237.0的中国专利都公开了一种用于半导体晶圆处理的微腔室处理装置。所述微腔室处理装置均包括第一腔室部和第二腔室部，所述第一腔室部和第二腔室部可在一驱动装置的驱动下装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于容纳并处理该半导体晶圆的关闭位置之间相对移动。第一腔室部与第二腔室部处于关闭位置时形成一微腔室，半导体晶圆放置于所述微腔室内，所述第一腔室部和/或所述第二腔室部中包括一个或多个供处理流体进入的所述微腔室的入口和一个或多个供处理流体排出所述微腔室的出口。处理过程中，处理流体充满整个所述微腔室，而半导体晶圆则整体暴露在处理流体内，因此该微腔室处理装置仅适合对半导体晶圆的整体处理。然而，在一些特殊的半导体器件工艺中，仅需要对半导体晶圆的外缘部分进行针对性处理，且处理过程中不能对半导体晶圆的其他部分造成影响。例如，在一种半导体器件生产过程中，需要将半导体晶圆的外缘部分的薄膜层腐蚀去除而不能破坏其他部分的薄膜层，下面结合附图对该工艺进行描述。请参考图1a至图1d，其中：图1a示出了一种半导体晶圆400的结构示意图，图1b为图1a的A-A剖视图；图1c为外缘处理前半导体晶圆的外缘的部分剖视图；图1d为外缘处理后半导体晶圆的外缘部分的剖视图。如图1a至图1d所示，半导体晶圆400包括基材层401及沉淀在基材层401的第一侧表面和第二侧表面的薄膜层402。经过对半导体晶圆400的外缘部分的针对性腐蚀处理后，所述半导体晶圆400的外缘部分的薄膜层402被去除，基材层401的第一侧表面和第二侧表面得以暴露。目前，为了实现对半导体晶圆的外缘的针对性腐蚀，一般采用干法工艺，将等离子体发生器对准半导体晶圆的外缘部分进行精准轰击以去除外缘部分的薄膜层，干法工艺的成本高昂、操作复杂。鉴于此，有必要对现有技术中的微腔室处理装置进行改造，以研制出一种新型的能够实现对半导体晶圆的外缘进行针对性的处理的半导体处理装置。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体处理装置，其能够实现对半导体晶圆的外缘的针对性处理。为实现上述目的，本专利技术提供一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，一片或多片叠放在一起的半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；第一腔室部具有面向所述微腔室的内壁表面，第二腔室部具有面向所述微腔室的内壁表面，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近所述第一腔室部的所述半导体晶圆的第一侧表面的外缘部分，第二腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近所述第二腔室部的所述半导体晶圆的第二侧表面的外缘部分，第一腔室部的内壁表面和第二腔室部的内壁表面之间形成有位于所述半导体晶圆外侧的外端面微处理空间，该外端面微处理空间通过外端面处理通孔与外部相通，流体通过所述外端面处理通孔进入或流出所述外端面微处理空间。在一个具体实施中，所述半导体晶圆的外端面暴露于所述外端面微处理空间，所述外端面处理通孔中的一个或多个作为流体入口，所述外端面处理通孔中的一个或多个作为流体出口。在一个具体实施中，所述外端面微处理空间为环形，所述外端面微处理空间为封闭空间，仅通过外端面处理通孔与外部相通。在一个具体实施中，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，所述微腔室内能够容纳多片叠放在一起的半导体晶圆，容纳于所述微腔室内的多个半导体晶圆中的每一个的外端面均暴露于所述外端面微处理空间。在一个具体实施中，所述外端面微处理空间为环形，所述半导体晶圆共心放置。在一个具体实施中，其还包括设置于第一腔室部和/或第二腔室部上的高度调整机构，高度调整机构能够调整所述微腔室的高度以容纳不同数量的半导体晶圆。在一个具体实施中，所述高度调整机构包括可拆卸垫圈。在一个具体实施中，第二腔室部具有形成于第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面的凹陷部，所述凹陷部位于外端面处理空间的内侧；在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，靠近所述第二腔室部的所述半导体晶圆的一侧面遮盖住所述凹陷部的顶部以形成内侧微处理空间，该内侧微处理空间通过内侧处理通孔与外部相通，流体通过所述内侧处理通孔进入或流出所述内侧微处理空间。在一个具体实施中，所述内侧处理通孔中的一个或多个作为流体入口，所述内侧处理通孔中的一个或多个作为流体出口，所述内侧微处理空间为封闭空间，仅通过内侧处理通孔与外部相通。与现有技术相比，本专利技术借助于待处理半导体晶圆的阻挡在微腔室的外缘形成了封闭的外端面微处理空间，处理流体在所述外端面微处理空间内流动的同时实现对所述待处理半导体晶圆的外缘的处理。【附图说明】结合参考附图及接下来的详细描述，本专利技术将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中：图1a为一种典型的半导体晶圆的结构示意图；图1b为图1a的A-A剖视图；图1c为外缘处理前半导体晶圆的外缘部分的剖视图；图1d为外缘处理后半导体晶圆的外缘部分的剖视图；图2a为本专利技术中的半导体处理装置在第一实施例中的剖视示意图；图2b为图2a中的圈A的放大示意图；图2c为图2b中的圈B的放大示意图；图3a为本专利技术中的半导体处理装置在第二实施例中的剖视示意图；图3b为图3a中的圈C的放大示意图；图3c为图3b中的圈D的放大示意图；图4为本专利技术中的半导体处理装置在第三实施例中的剖视示意图。【具体实施方式】为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指与所述实施例相关的特定特征、结构或特性至少可包含于本专利技术至少一个实现方式中。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非必须都指同一个实施例，也不必须是与其他实施例互相排斥的单独或选择实施例。本专利技术中的“多个”、“若干”表示两个或两个以上。本专利技术中的“和/或”表示“和”或者“或”。第一实施例：请参考图2a至图2c所示，其为本专利技术的第一实施例提供的半导体处理装置100的结构示意图，其中：图2a为半导体处理装置100的剖视示意图；图2b为图2a中的圈A的放大示意图；图2c为图2b中的圈B的放大示意图。如图2a至图2c所示，本实施例中，所述半导体处理装置100包括第一腔室部110和第二腔室部120。所述第一腔室部110包括第一腔室板111和自第一腔室板111的周边向下延伸而成的凸缘112，所述第二腔室部120包括第二腔室板121和在所述第二腔室板121的周边向下凹陷而成的凹槽122。所述第一腔室部110可相对于第二腔室部120在打开位置和关闭位置之间移动。在所述第一腔室部110相对于第二腔室部120处于关闭位置时，所述凸缘112与所述凹槽122配合以在第一腔室板111和第二腔室板121之间形成密封的微腔室，待处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，一片或多片叠放在一起的半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；第一腔室部具有面向所述微腔室的内壁表面，第二腔室部具有面向所述微腔室的内壁表面，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近所述第一腔室部的所述半导体晶圆的第一侧表面的外缘部分，第二腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近所述第二腔室部的所述半导体晶圆的第二侧表面的外缘部分，第一腔室部的内壁表面和第二腔室部的内壁表面之间形成有位于所述半导体晶圆外侧的外端面微处理空间，该外端面微处理空间通过外端面处理通孔与外部相通，流体通过所述外端面处理通孔进入或流出所述外端面微处理空间。

【技术特征摘要】
1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，一片或多片叠放在一起的半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；第一腔室部具有面向所述微腔室的内壁表面，第二腔室部具有面向所述微腔室的内壁表面，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近所述第一腔室部的所述半导体晶圆的第一侧表面的外缘部分，第二腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近所述第二腔室部的所述半导体晶圆的第二侧表面的外缘部分，第一腔室部的内壁表面和第二腔室部的内壁表面之间形成有位于所述半导体晶圆外侧的外端面微处理空间，该外端面微处理空间通过外端面处理通孔与外部相通，流体通过所述外端面处理通孔进入或流出所述外端面微处理空间。2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体晶圆的外端面暴露于所述外端面微处理空间，所述外端面处理通孔中的一个或多个作为流体入口，所述外端面处理通孔中的一个或多个作为流体出口。3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述外端面微处理空间为环形，所述外端面微处理空间为封闭空间，仅通过外端面处理通孔与外部...

【专利技术属性】
技术研发人员：温子瑛，王致凯，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32