中子单粒子效应故障率的评估方法及评估装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种中子单粒子效应故障率的评估方法及评估装置，该方法包括：获取评估对象NSEE截面；根据所述NSEE截面和应用环境下的中子注量率，计算所述评估对象的NSEE故障率；其中，所述NSEE截面是根据所述评估对象中元器件的中子单粒子效应历史试验数据所确定的。本发明专利技术实施例提供的中子单粒子效应故障率的评估方法，利用评估对象的NSEE截面和应用环境下的中子注量率，计算评估对象的NSEE故障率，由于评估对象中元器件的NSEE截面是根据历史试验数据所确定的，从而可以在产品研制的初步设计阶段评估产品的NSEE故障率。

【技术实现步骤摘要】
中子单粒子效应故障率的评估方法及评估装置
本专利技术涉及航空电子系统
，特别是涉及一种中子单粒子效应故障率的评估方法及评估装置。
技术介绍
单粒子效应是指单个高能粒子作用于半导体器件引发的翻转、锁定、烧毁和栅穿等现象。以往研究表面单粒子效应主要发生在航天领域，但国外近年来的研究表明在航空领域中，各类飞机在3000米至20000米的自然空间环境中，同样会产生单粒子效应。航空领域中，诱发单粒子效应的高能粒子辐射源主要为中子，中子辐射应力一般用注量率来表征，中子注量率一般为单位时间内穿过单位截面积的中子数。中子的穿透力强，金属材料几乎没有阻挡作用，因此中子会穿透机舱蒙皮，打在电子设备的核心指令控制单元或关键数据存储单元上，产生中子单粒子效应(NeutronSingleEventEffect，简称NSEE)，从而导致飞行控制系统、航电系统等出现黑屏、死机、复位、重启、数据丢失及命令错误等故障现象。上述故障会直接影响飞机的安全性与可靠性，或误导飞机驾驶员产生错误判断与错误操作，从而间接影响飞机的安全性与可靠性。为了保证航空电子设备的可靠性，在相关产品设计过程中及时对相关产品的中子单粒子效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中子单粒子效应故障率的评估方法，其特征在于，包括：获取评估对象中子单粒子效应NSEE截面；根据所述NSEE截面和应用环境下的中子注量率，计算所述评估对象的NSEE故障率；其中，所述NSEE截面是根据所述评估对象中元器件的中子单粒子效应历史试验数据所确定的。

【技术特征摘要】
1.一种中子单粒子效应故障率的评估方法，其特征在于，包括：获取评估对象中子单粒子效应NSEE截面；根据所述NSEE截面和应用环境下的中子注量率，计算所述评估对象的NSEE故障率；其中，所述NSEE截面是根据所述评估对象中元器件的中子单粒子效应历史试验数据所确定的。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述NSEE截面包括NSEE软故障截面、NSEE固定故障截面及NSEE硬故障截面；其中，所述NSEE软故障截面包括单粒子翻转SEU故障截面和单粒子瞬态SET故障截面，所述NSEE固定故障截面包括单粒子功能中断SEFI故障截面，所述NSEE硬故障截面包括单粒子锁定SEL故障截面和单粒子烧毁SEB故障截面。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据NSEE截面和应用环境下的中子注量率，计算所述评估对象的NSEE故障率，包括按照以下公式计算：λNSEE＝λsoft-fault+λfirm-fault+λhard-fault；其中，λNSEE为评估对象NSEE故障率，λsoft-fault为评估对象NSEE软故障率，λfirm-fault为评估对象NSEE固定故障率，λhard-fault为评估对象NSEE硬故障率。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述评估对象NSEE软故障率的计算方法，包括按以下公式计算：其中，Πerror-T为评估对象NSEE软故障率传递因子；λSEU-i为第i个器件的SEU故障率；λSET-i为第i个器件的SET故障率；其中，λSEU-i和λSET-i的计算方法，包括按以下公式计算：λSEU-i＝σSEU-i×f；λSET-i＝σSET-i×f；其中，σSEU-i为第i个器件的SEU故障截面；σSET-i为第i个器件的SET故障...

【专利技术属性】
技术研发人员：王群勇，
申请(专利权)人：北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11