集成电路模型复用方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种集成电路模型复用方法及装置，其中，方法包括以下步骤：将预设模型作为模型主体，且在模型自变量和函数目标值上进行变换，以得到变换后的新模型；根据新模型获取待求模型的模型参数，并求解模型参数，其中，如果模型主体为可导，则采用迭代优化算法进行求解；如果模型主体为不可导，则启发式算法进行求解。该方法充分利用已搭建好的电路模型，有效减少新电路建模所需要的样本数量，且不受具体模型形式的限制，可以适用于各类电路模型，适用于各类有相似性的电路设计问题，从而有效提高新电路建模与设计的效率，适用性强，简单易实现。

【技术实现步骤摘要】
集成电路模型复用方法及装置
本专利技术涉及电路建模与设计
，特别涉及一种集成电路模型复用方法。
技术介绍
目前，在集成电路中，一种类型的电路模型形式只能进行一种电路模型的设计，而在设计不同类型电路模型时，往往需要不同类型的电路模型形式，需要不同的设计方法进行电路设计，工作繁琐，且电路搭建与设计的效率低，适用性差，有待解决。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种集成电路模型复用方法，该方法可以有效提高新电路建模与设计的效率，适用性强，简单易实现。本专利技术的另一个目的在于提出一种集成电路模型复用装置。为达到上述目的，本专利技术一方面实施例提出了一种集成电路模型复用方法，包括以下步骤：将预设模型作为模型主体，且在模型自变量和函数目标值上进行变换，以得到变换后的新模型；根据所述新模型获取待求模型的模型参数，并求解所述模型参数，其中，如果所述模型主体为可导，则采用迭代优化算法进行求解；如果所述模型主体为不可导，则启发式算法进行求解。本专利技术实施例的集成电路模型复用方法，充分利用已搭建好的电路模型，有效减少新电路建模所需要的样本数量，且不受具体模型形式的限制，可以适用于各类电路模型，适用于各类有相似性的电路设计问题，从而有效提高新电路建模与设计的效率，适用性强，简单易实现。另外，根据本专利技术上述实施例的集成电路模型复用方法还可以具有以下附加的技术特征：进一步地，在本专利技术的一个实施例中，其中，所述预设模型为：yS≈fS(x)，所述新模型为：fT(x)≈h(fS(g(x)))，其中，fS为所述预设模型，fT为所述新模型，yS和yT分别为所述预设模型和所述新模型的建模目标，X为所述预设模型的电路设计参数，g(·)代表在所述预设模型自变量上进行的变换，h(·)代表在所述函数目标值上进行的变换。进一步地，在本专利技术的一个实施例中，其中，在所述模型自变量和所述函数目标值上进行线性变换，且g(·)和h(·)的函数形式位：h(t)＝c·t+d，g(x)＝[g1(x1)，g2(x2)，…gK(xK)]T，其中，K为设计参数的个数，t代表了所述预设模型的输出结果，c和d为所述新模型的模型参数，x1，x2，...，xK为不同的电路设计参数。进一步地，在本专利技术的一个实施例中，所述求解所述模型参数，进一步包括：优化所述模型参数，使所述待求模型与对应样本数据间的拟合误差满足预设条件，其中，求解的优化问题为：其中，a和b为所述新模型参数构成的向量。进一步地，在本专利技术的一个实施例中，所述迭代优化算法包括基于一阶或二阶的迭代优化算法，且所述启发式算法包括差分进化算法。为达到上述目的，本专利技术另一方面实施例提出了一种集成电路模型复用装置，包括：变换模块，用于将预设模型作为模型主体，且在模型自变量和函数目标值上进行变换，以得到变换后的新模型；求解模块，用于根据所述新模型获取待求模型的模型参数，并求解所述模型参数，其中，如果所述模型主体为可导，则采用迭代优化算法进行求解，如果在所述模型主体为不可导，则启发式算法进行求解。本专利技术实施例的集成电路模型复用装置，充分利用已搭建好的电路模型，有效减少新电路建模所需要的样本数量，且不受具体模型形式的限制，可以适用于各类电路模型，适用于各类有相似性的电路设计问题，从而有效提高新电路建模与设计的效率，适用性强，简单易实现。另外，根据本专利技术上述实施例的集成电路模型复用装置还可以具有以下附加的技术特征：进一步地，在本专利技术的一个实施例中，其中，所述预设模型为：yS≈fS(x)，所述新模型为：fT(x)≈h(fS(g(x)))，其中，fS为所述预设模型，fT为所述新模型，yS和yT分别为所述预设模型和所述新模型的建模目标，X为所述预设模型的电路设计参数，g(·)代表在所述预设模型自变量上进行的变换，h(·)代表在所述函数目标值上进行的变换。进一步地，在本专利技术的一个实施例中，其中，在所述模型自变量和所述函数目标值上进行线性变换，且g(·)和h(·)的函数形式位：h(t)＝c·t+d，g(x)＝[g1(x1)，g2(x2)，…gK(xK)]T，其中，K为设计参数的个数，t代表了所述预设模型的输出结果，c和d为所述新模型的模型参数，x1，x2，...，xK为不同的电路设计参数。进一步地，在本专利技术的一个实施例中，所述求解模块进一步用于优化所述模型参数，使所述待求模型与对应样本数据间的拟合误差满足预设条件，其中，求解的优化问题为：其中，a和b为所述新模型参数构成的向量。进一步地，在本专利技术的一个实施例中，所述迭代优化算法包括基于一阶或二阶的迭代优化算法，且所述启发式算法包括差分进化算法。本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明本专利技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为根据本专利技术一个实施例的集成电路模型复用方法的流程图；图2为根据本专利技术一个实施例的源简并电感型低噪声放大器的拓扑结构的结构示意图；图3为根据本专利技术一个实施例的源简并电感型低噪声放大器的版图；图4为根据本专利技术一个实施例的集成电路模型复用装置的结构示意图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。下面参照附图描述根据本专利技术实施例提出的集成电路模型复用方法及装置，首先将参照附图描述根据本专利技术实施例提出的集成电路模型复用方法。图1是本专利技术一个实施例的集成电路模型复用方法的流程图。如图1所示，该集成电路模型复用方法包括以下步骤：在步骤S101中，将预设模型作为模型主体，且在模型自变量和函数目标值上进行变换，以得到变换后的新模型。可以理解的是，预设模型为已有模型，在搭建新模型时，本专利技术实施例将已有模型作为模型的主体，在自变量和最后的目标上进行变换，得到新的模型。进一步地，在本专利技术的一个实施例中，其中，预设模型为：yS≈fS(x)，新模型为：fT(x)≈h(fS(g(x)))，其中，fS为预设模型，fT为新模型，yS和yT分别为预设模型和新模型的建模目标，X为预设模型的电路设计参数，g(·)代表在预设模型自变量上进行的变换，h(·)代表在函数目标值上进行的变换。具体而言，假定预设模型fS和待求模型fT分别为：yS≈fS(x)，(1)yT≈fT(x)，(2)其中x为电路的设计参数，即模型输入；yS和yT分别为预设模型和待求模型的建模目标，即模型输出。本专利技术实施例假定电路中有K个设计参数，即：x＝[x1，x2，...，xK]，(3)其中x1，x2，...，xK为不同的电路设计参数。在搭建新模型时，本专利技术实施例借用预设模型作为模型的主体，在自变量和最后的目标上进行变换，得到新的模型：fT(x)≈h(fS(g(x)))，(4)其中g(·)代表在模型自变量上进行的变换，h(·)代表在函数目标值上进行的变换。可以采用的变换形式多种多样，但是，实际上待求模型和预设模型的相似度比较高，为了尽量维持两者的相似度，本专利技术实施例采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路模型复用方法，其特征在于，包括以下步骤：将预设模型作为模型主体，且在模型自变量和函数目标值上进行变换，以得到变换后的新模型；根据所述新模型获取待求模型的模型参数，并求解所述模型参数，其中，如果所述模型主体为可导，则采用迭代优化算法进行求解；以及如果所述模型主体为不可导，则启发式算法进行求解。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路模型复用方法，其特征在于，包括以下步骤：将预设模型作为模型主体，且在模型自变量和函数目标值上进行变换，以得到变换后的新模型；根据所述新模型获取待求模型的模型参数，并求解所述模型参数，其中，如果所述模型主体为可导，则采用迭代优化算法进行求解；以及如果所述模型主体为不可导，则启发式算法进行求解。2.根据权利要求1所述的集成电路模型复用方法，其特征在于，其中，所述预设模型为：yS≈fS(x)，所述新模型为：fT(x)≈h(fS(g(x)))，其中，fS为所述预设模型，fT为所述新模型，yS和yT分别为所述预设模型和所述新模型的建模目标，X为所述预设模型的电路设计参数，g(·)代表在所述预设模型自变量上进行的变换，h(·)代表在所述函数目标值上进行的变换。3.根据权利要求2所述的集成电路模型复用方法，其特征在于，其中，在所述模型自变量和所述函数目标值上进行线性变换，且g(·)和h(·)的函数形式位：h(t)＝c·t+d，g(x)＝[g1(x1)，g2(x2)，...gK(xK)]T，其中，K为设计参数的个数，t代表了所述预设模型的输出结果，c和d为所述新模型的模型参数，x1，x2，...，xK为不同的电路设计参数。4.根据权利要求3所述的集成电路模型复用方法，其特征在于，所述求解所述模型参数，进一步包括：优化所述模型参数，使所述待求模型与对应样本数据间的拟合误差满足预设条件，其中，求解的优化问题为：其中，a和b为所述新模型参数构成的向量。5.根据权利要求1-4任一项所述的集成电路模型复用方法，其特征在于，所述迭代优化算法包括基于一阶或二阶的迭代优化算法，且所述启发式算法包括差分进化算法。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：王燕，潘志建，叶佐昌，张进宇，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京,11