TFT阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种TFT阵列基板及其制作方法，TFT阵列基板包括TFT阵列层、设置在TFT阵列层上的彩色滤光层和设置在彩色滤光层上的钝化层，彩色滤光层包括蓝色子像素，钝化层包括覆盖彩色滤光层的钝化层本体和凸设在钝化层本体上的凸部，本发明专利技术通过在彩色滤光层的蓝色子像素的两侧区域形成钝化层的凸部，增加了蓝色子像素两侧区域的光阻，使得钝化层厚度均匀化，进而减少色度差异。

【技术实现步骤摘要】
TFT阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及一种显示
，特别涉及一种TFT阵列基板及其制作方法。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。比如液晶电视、移动电话、PDA、计算机屏幕和笔记本电脑屏幕等。通常TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)包括彩色滤光片和薄膜晶体管阵列基板(TFT基板)以及液晶层。其中，彩色滤光片提供R/G/B色彩，目前采用光刻胶进行制作。因为光刻胶的流平性问题，导致实际制作出的子像素的图形呈凹形(bowlshape)，凹陷的幅度超过0.5微米，导致子像素中心位置和边缘位置色度差异过大，大于0.004，规格为±0.002，导致产品色彩不佳，其中以蓝色子像素最为明显。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种TFT阵列基板及其制作方法；以解决现有的TFT阵列基板的蓝色子像素呈凹形，导致蓝色子像素中心位置和边缘位置色度差异过大，从而影响产品色彩的技术问题。本专利技术实施例提供一种TFT阵列基板，其包括：TFT阵列层，彩色滤光层，设置在所述TFT阵列层上，包括多个色阻单元，所述多个色阻单元分别填充红色光刻胶、绿色光刻胶和蓝色光刻胶，且对应形成红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，蓝色子像素两侧区域的厚度大于蓝色子像素中间区域的厚度；钝化层，设置在所述彩色滤光层上，包括覆盖所述彩色滤光层的钝化层本体和凸设在所述钝化层本体上的凸部；以及像素电极层，设置在所述钝化层上；其中，所述凸部对应设置在所述蓝色子像素两侧区域的上方。在本专利技术的TFT阵列基板中，所述凸部的厚度为0.3微米～0.5微米。在本专利技术的TFT阵列基板中，所述凸部的宽度为蓝色子像素宽度的1/5～1/4。在本专利技术的TFT阵列基板中，所述凸部的截面形状为矩形。在本专利技术的TFT阵列基板中，所述钝化层的材料为可溶性聚四氟乙烯。本专利技术还涉及一种TFT阵列基板的制作方法，所述制作方法的步骤包括：S1：提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成TFT阵列层；S2：在所述TFT阵列层上形成多个色阻单元，得到彩色滤光层，所述多个色阻单元分别填充红色光刻胶、绿色光刻胶和蓝色光刻胶，对应形成红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，蓝色子像素两侧区域的厚度大于蓝色子像素中间区域的厚度；S3：在所述彩色滤光层上涂布光刻胶；S4：通过半色调掩模板对所述光刻胶进行图案化处理，得到钝化层，以使所述钝化层对应于所述蓝色子像素两侧区域的位置形成一凸部，所述钝化层包括覆盖所述彩色滤光层的钝化层本体和设置在所述钝化层本体上的所述凸部；S5：在所述钝化层上形成像素电极层。在本专利技术的TFT阵列基板的制作方法中，所述半色调掩模板包括第一透光部和第二透光部，所述第一透光部的透光率大于所述第二透光部的透光率，所述光刻胶为负性光刻胶，所述步骤S4包括以下步骤：S41：将所述第一透光部设置在所述光刻胶对应于所述蓝色子像素的两侧区域的上方，将所述第二透光部设置在所述光刻胶对应于除所述蓝色子像素两侧区域外的其他区域的上方；S42：透过所述半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影处理，得到钝化层，所述钝化层包括覆盖所述彩色滤光层的钝化层本体和对应于所述蓝色子像素两侧区域的凸部。在本专利技术的TFT阵列基板的制作方法中，所述凸部的厚度为0.3微米～0.5微米。在本专利技术的TFT阵列基板的制作方法中，所述凸部的宽度为蓝色子像素宽度的1/5～1/4。在本专利技术的TFT阵列基板的制作方法中，所述凸部的截面形状为矩形。相较于现有技术的TFT阵列基板，本专利技术的TFT阵列基板及其制作方法通过在彩色滤光层的蓝色子像素的两侧区域形成钝化层的凸部，增加了蓝色子像素两侧区域的光阻，使得钝化层厚度均匀化，进而减少色度差异；另外，凸部可将蓝色光刻胶散射的光聚合，减少光透过率的损失；解决了现有的TFT阵列基板的蓝色子像素呈凹形，导致蓝色子像素中心位置和边缘位置色度差异过大，从而影响产品色彩的技术问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本专利技术的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。图1为本专利技术的TFT阵列基板的优选实施例的结构示意图；图2为本专利技术的TFT阵列基板的制作方法的优选实施例的流程图；图3为本专利技术的TFT阵列基板的制作方法的优选实施例的步骤S1的示意图；图4为本专利技术的TFT阵列基板的制作方法的优选实施例的步骤S2的示意图；图5为本专利技术的TFT阵列基板的制作方法的优选实施例的步骤S3的示意图；图6为本专利技术的TFT阵列基板的制作方法的优选实施例的步骤S4的示意图；图7为本专利技术的TFT阵列基板的制作方法的优选实施例中钝化层对应的掩膜板的结构示意图；图8为本专利技术的TFT阵列基板的制作方法的优选实施例的步骤S5的示意图。具体实施方式请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本专利技术具体实施例，其不应被视为限制本专利技术未在此详述的其它具体实施例。请参照图1，图1为本专利技术的TFT阵列基板的优选实施例的结构示意图。本专利技术的优选实施例的TFT阵列基板包括TFT阵列层11、彩色滤光层12、钝化层13和像素电极层14。具体的，彩色滤光层12设置在TFT阵列层11上，包括多个色阻单元，多个色阻单元分别填充红色光刻胶、绿色光刻胶和蓝色光刻胶，且对应形成红色子像素121、绿色子像素122和蓝色子像素123，蓝色子像素123两侧区域12a的厚度大于蓝色子像素123中间区域的厚度；钝化层13设置在彩色滤光层12上，钝化层13包括覆盖彩色滤光层12的钝化层本体131和凸设在钝化层本体131上的凸部132；像素电极层14设置在钝化层13上；其中，凸部132对应设置在蓝色子像素123两侧区域12a的上方。本专利技术的TFT阵列基板通过在彩色滤光层12的蓝色子像素123的两侧区域12a形成钝化层13的凸部132，增加了蓝色子像素123两侧区域12a的光阻，使得钝化层13整体的厚度均匀化，进而减少色度差异；另外，凸部132可将蓝色光刻胶散射的光聚合，减少光透过率的损失。另外，彩色滤光层12中对于填充红色光刻胶、绿色光刻胶和蓝色光刻胶的顺序不做限定。在本专利技术的TFT阵列基板的实施例中，凸部132的厚度为0.3微米～0.5微米。凸部132的主要作用在于增加蓝色子像素123两侧区域12a的光阻并将蓝色子像素123散射的光聚合，以减少光透过率的损失。当凸部132的厚度小于0.3微米时，凸部132所增加的光阻不足，仍然会出现蓝色子像素的两侧区域和中间区域存在色度差异；当凸部132的厚度大于0.5微米时，凸部132对蓝色子像素123增加的色阻过大，同样导致蓝色子像素的两侧区域和中间区域存在色度差异；因此当凸部132的厚度为0.3微米～0.5微米时，凸部132增加蓝色子像素123两侧区域12a的光阻正好可以弥补蓝色子像素123的两侧区域12a和中间区域的色度差异，从而达到色度均匀化的目的。而在实际制作中，蓝色子像素的两侧区域的厚度可能会不同，因此，最优的方案是相对的凸部132的厚度也应该相对不同，但是由于现在工艺的限制，凸部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：TFT阵列层，彩色滤光层，设置在所述TFT阵列层上，包括多个色阻单元，所述多个色阻单元分别填充红色光刻胶、绿色光刻胶和蓝色光刻胶，且对应形成红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，蓝色子像素两侧区域的厚度大于蓝色子像素中间区域的厚度；钝化层，设置在所述彩色滤光层上，包括覆盖所述彩色滤光层的钝化层本体和凸设在所述钝化层本体上的凸部；以及像素电极层，设置在所述钝化层上；其中所述凸部对应设置在所述蓝色子像素两侧区域的上方。

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：TFT阵列层，彩色滤光层，设置在所述TFT阵列层上，包括多个色阻单元，所述多个色阻单元分别填充红色光刻胶、绿色光刻胶和蓝色光刻胶，且对应形成红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，蓝色子像素两侧区域的厚度大于蓝色子像素中间区域的厚度；钝化层，设置在所述彩色滤光层上，包括覆盖所述彩色滤光层的钝化层本体和凸设在所述钝化层本体上的凸部；以及像素电极层，设置在所述钝化层上；其中所述凸部对应设置在所述蓝色子像素两侧区域的上方。2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凸部的厚度为0.3微米～0.5微米。3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凸部的宽度为蓝色子像素宽度的1/5～1/4。4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凸部的截面形状为矩形。5.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述钝化层的材料为可溶性聚四氟乙烯。6.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法的步骤包括：S1：提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成TFT阵列层；S2：在所述TFT阵列层上形成多个色阻单元，得到彩色滤光层，所述多个色阻单元分别填充红色光刻胶、绿色光刻胶和蓝色光刻胶，对应形成红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，蓝色子像素两侧区域的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：李培宏，宋江江，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42