【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】TFT面板型指纹识别传感器
本专利技术涉及薄膜晶体管(thinfilmtransistor，简称TFT)面板(panel)型指纹识别传感器，更具体地说，涉及一种具有相对简单结构、光学上使用TFT面板的TFT面板型指纹识别传感器，其非传统地直接用光照射，而是使用薄膜型全反射片，既能够成像指纹又能够成像手掌内部。
技术介绍
通常，指纹识别传感器大致分为光学型指纹识别传感器、接触式发光型指纹识别传感器、电容型指纹识别传感器等，并且需要单独光学透镜来处理光学型或接触式发光型光学图像，使得难以制造较薄形状的指纹识别传感器。为了改善这种困境，使用了电容型指纹识别传感器，其优点在于，基于由指纹的谷和峰形成的电容差引起的电压差来检测指纹，因此不需要光学透镜，由此，电容型指纹识别传感器可以制造成较薄的形状。但是，当由于指纹接触电容器的表面而将污染物粘附到其表面上时，电容器可能发生失灵，使得指纹识别率可能降低。因此，目前光学型指纹识别传感器广泛用于门锁或门禁系统。图1A是用于描述传统光学型指纹识别传感器的原理的示例图。图1B是示出传统光学型指纹识别传感器的产品的示例图。如图1A所示，...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管(TFT)面板型指纹识别传感器，包括：全反射单元，用于全反射从光源发出的光；光电二极管，用于感测从所述全反射单元反射的光；以及TFT面板，用于处理从所述光电二极管输出的电压以执行成像。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 KR 10-2016-00393171.一种薄膜晶体管(TFT)面板型指纹识别传感器，包括：全反射单元，用于全反射从光源发出的光；光电二极管，用于感测从所述全反射单元反射的光；以及TFT面板，用于处理从所述光电二极管输出的电压以执行成像。2.根据权利要求1所述的TFT面板型指纹识别传感器，其中所述全反射单元包括玻璃基板，其作为导光板用于全反射。3.根据权利要求1所述的TFT面板型指纹识别传感器，还包括：玻璃基板，其由折射率大于空气折射率的材料制成；绝缘层，其设置在所述玻璃基板下方；介电层，其形成在所述绝缘层下方；支撑玻璃，其形成在所述介电层下方；和反射片，其形成在所述支撑玻璃下方，其中所述光电二极管和所述TFT面板形成在所述介电层内。4.根据权利要求3所述的TFT面板型指纹识别传感器，其中所述玻璃基板的最佳厚度形成为：在保持耐久性和分辨率的平衡条件下选自100μm至400μm的范围。5.根据权利要求3所述的TFT面板型指纹识别传感器，其中所述绝缘层从以下组中选出至少一种形成：二氧化硅(nd＝1.46)、氮化硅(nd＝2)、氧化铪(nd＝1.9)、氧化铝(nd＝1.76)和氧化钇(nd＝1.93)。6.根据权利要求3所述的TFT面板型指纹识别传感器，其中所述介电层形成为包括含氟聚合物基均聚物或共聚物。7.根据权利要求1所述的TFT面板型指纹识别传感器，其中所述光源发射可见光波段中的光，并且形成为从玻璃基板的侧面发射光。8.根据权利要求1所述的TFT面板型指纹识别传感器，其中所述TFT面板形成在介电层中、且形成在玻璃基板下方的绝缘层上；以及所述光电二极管的一个电极形成为连接到所述TFT面板，且所述光电二极管的另一个电极形成为连接到电极层，所述电极层施加有偏压。9.根据权利要求8所述的TFT面板型指纹识别传感器，其中所述光电二极管的一个端子连接到TFT面板，形成为透明电极；且所述光电二极管的另一个端子连接到电极层，形成为不透明电极。10.根据权利要求9所述的TFT面板型指纹识别传感器，其中所述透明电极从以下组中选出至少一种形成：金属网，...
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