抗蚀剂下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、及图案形成方法技术

包含含有碲的化合物或含有碲的树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抗蚀剂下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、及图案形成方法
本专利技术涉及使用了具有特定结构的化合物或树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物、以及由前述组合物得到的光刻用抗蚀剂下层膜及使用前述组合物的图案形成方法。
技术介绍
在半导体器件的制造中，进行了基于使用光致抗蚀剂材料的光刻的微细加工。近年来，随着进一步LSI的高集成化和高速度化，要求基于图案规则的进一步微细化。而且，在使用被用作目前通用技术的光曝光的光刻中，正逐渐接近源自光源的波长的本质上的分辨率的界限。抗蚀图案形成时使用的光刻用的光源是由KrF准分子激光(248nm)被短波长化为ArF准分子激光(193nm)的。然而，随着抗蚀图案的微细化的发展，会产生分辨率的问题、在显影后抗蚀图案倒塌的问题。由于这样的背景，近年来期望抗蚀剂的薄膜化，但若仅进行抗蚀剂的薄膜化，则变得难以得到足以进行基板加工的抗蚀图案的膜厚。因此，不仅抗蚀图案需要，在抗蚀剂和作为加工对象的半导体基板之间制作抗蚀剂下层膜，对于该抗蚀剂下层膜也需要使其具有在基板加工时作为掩模的功能的工艺。现在，作为这样的工艺用的抗蚀剂下层膜，已知有各种抗蚀剂下层膜。例如，作为实现与以往的蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有碲的化合物或含有碲的树脂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.28 JP 2016-0917971.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有碲的化合物或含有碲的树脂。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含有碲的化合物由下述式(A-1)表示，式(A-1)中，X为包含碲的碳数0～60的2m价的基团，Z为氧原子、硫原子或无桥接，R0各自独立地为包含氧原子的1价的基团、包含硫原子的1价的基团、包含氮原子的1价的基团、烃基、或卤原子，m为1～4的整数，p各自独立地为0～2的整数，n各自独立地为0～(5+2×p)的整数。3.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含有碲的化合物由下述式(A-2)表示，式(A-2)中，X为包含碲的碳数0～60的2m价的基团，Z为氧原子、硫原子、单键或无桥接，R0A各自独立地选自由烃基、卤原子、氰基、硝基、氨基、碳原子数1～30的烷基、碳原子数2～30的烯基、碳原子数6～40的芳基、羟基或羟基的氢原子被酸交联性反应基团或酸解离性反应基团取代的基团、及它们的组合组成的组，此处，所述烷基、该烯基及该芳基任选包含醚键、酮键或酯键，m为1～4的整数，p各自独立地为0～2的整数，n各自独立地为0～(5+2×p)的整数。4.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含有碲的化合物由下述式(A-3)表示，式(A-3)中，X0为包含碲的碳数0～30的2m价的基团，Z为氧原子、硫原子或无桥接，R0B各自独立地为包含氧原子的1价的基团、包含硫原子的1价的基团、包含氮原子的1价的基团、烃基、或卤原子，m为1～4的整数，p各自独立地为0～2的整数，n各自独立地为0～(5+2×p)的整数。5.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含有碲的化合物由下述式(1A)表示，式(1A)中，X、Z、m、p与所述式(A-1)含义相同，R1各自独立地为烷基、芳基、烯基或卤原子，R2各自独立地为氢原子或酸解离性反应基团，n1各自独立地为0～(5+2×p)的整数，n2各自独立地为0～(5+2×p)的整数，其中，至少一个n2为1～(5+2×p)的整数。6.根据权利要求4所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含有碲的化合物由下述式(1B)表示，式(1B)中，X0、Z、m、p与所述式(A-3)含义相同，R1A各自独立地为烷基、芳基、烯基或卤原子，R2各自独立地为氢原子、酸交联性反应基团或酸解离性反应基团，n1各自独立地为0～(5+2×p)的整数，n2各自独立地为0～(5+2×p)的整数，其中，至少一个n2为1～(5+2×p)的整数。7.根据权利要求6所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含有碲的化合物由下述式(2A)表示，式(2A)中，Z、R1A、R2、p、n1、n2与所述式(1B)含义相同，X1各自独立地为包含氧原子的1价的基团、包含硫原子的1价的基团、包含氮原子的1价的基团、烃基、氢原子、或卤原子。8.根据权利要求7所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含有碲的化合物由下述式(2A’)表示，式(2A’)中，R1B及R1B’各自独立地为烷基、芳基、烯基、卤原子、羟基或羟基的氢原子被酸交联性反应基团或酸解离性反应基团取代的基团，X1与所述式(2A)的X1含义相同，n1及n1’与所述式(2A)的n1含义相同，p及p’与所述式(2A)的p含义相同，R1B和R1B’、n1和n1’、p和p’、R1B的取代位置和R1B’的取代位置之中的至少一个不同。9.根据权利要求7所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含有碲的化合物由下述式(3A)表示，式(3A)中，R1A、R2、X1、n1、n2与所述式(2A)含义相同。10.根据权利要求9所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含有碲的化合物由下述式(4A)表示，式(4A)中，R1A、R2、X1与所述式(3A)含义相同。11.根据权利要求6所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含有碲的化合物由下述式(2B)表示，式(2B)中，Z、R1A、R2、p、n1、n2与所述式(1B)含义相同。12.根据权利要求10所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含有碲的化合物由下述式(2B’)表示，式(2B’)中，R1B、及R1B’各自独立地为烷基、芳基、烯基、卤原子、羟基或羟基的氢原子被酸交联性反应基团或酸解离性反应基团取代的基团，n1及n1’与所述式(2B)的n1含义相同，p及p’与所述式(2B)的p含义相同，R1B和R1B’、n1和n1’、p和p’、R1B的取代位置和R1B’的取代位置之中的至少一个不同。13.根据权利要求11所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含有碲的化合物由下述式(3B)表示，式(3B)中，R1A、R2、n1、n2与所述式(2B)含义相同。14.根据权利要求13所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含有碲的化合物由下述式(4B)表示，式(4B)中，R1、R2、X1与所述式(3B)含义相同。15.根据权利要求5～7、9～11、13～14中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，对于所述含有碲的化合物，作为所述式中的R2，至少具有一个酸解离性反应基团。16.根据权利要求5～7、9～11、13～14中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，对于所述含有碲的化合物，所述式中的R2全部为氢原子。17.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含有碲的树脂为包含源自下述式(A-1)所示化合物的结构单元的树脂，式(A-1)中，X为包含碲的碳数0～60的2m价的基团，Z为氧原子、硫原子或无桥接，R0各自独立地选自由包含氧原子的1价的基团、包含硫原子的1价的基团、包含氮原子的1价的基团、烃基、卤原子、及它们的组合组成的组，m为1～4的整数，p各自独立地为0～2的整数，n各自独立地为0～(5+2×p)的整数。18.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含有碲的树脂为包含源自下述式(A-2)所示化合物的结构单元的树脂，式(A-2)中，X为包含碲的碳数0～60的2m价的...

【专利技术属性】
技术研发人员：樋田匠，牧野嶋高史，佐藤隆，越后雅敏，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP