用于形成膜密度提高了的抗蚀剂下层膜的组合物制造技术

本发明专利技术的课题是提供用于形成膜密度、硬度、杨氏模量、扭曲耐性(图案的弯曲耐性)高，由此具有高的蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的重复单元结构的酚醛清漆树脂，(在式(1)中，基团A和基团B各自为具有芳香族环、稠合芳香族环、或稠合芳香族杂环的有机基，并且具有下述结构：该基团A和/或基团B中的该环上的氢原子被选自通过氧化而发生质量增加的化学基(a)、通过加热而发生交联形成的化学基(b)、和在固化中诱发相分离的化学基(c)中的相同种类或不同种类的2个以上1价或2价的化学基分别取代了。)。该组合物还包含交联剂、酸和/或产酸剂。通过将该抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上进行烧成来获得的抗蚀剂下层膜的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于形成膜密度提高了的抗蚀剂下层膜的组合物
本专利技术涉及用于形成膜密度提高了的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用了这些组合物的半导体装置的制造方法。
技术介绍
聚合物树脂的聚合被广泛研究，其中酚醛清漆那样的包含环结构的聚合物广泛使用在从光致抗蚀剂等微细的领域到汽车、住宅的构件等一般的领域。此外，上述那样的聚合物由于耐热性也高，在特殊的用途中也能够适用，由此现在也在全世界进行开发。一般而言说到包含环结构的单体，已知苯、萘、蒽、芘和芴等结构体，已知这些单体与具有醛基的单体形成酚醛清漆。另一方面明确了，具有与芴类似结构的咔唑也显示同样的特征，两单体都是与五元环相邻的苯环的一部分反应而聚合物化。另一方面，一直以来在半导体器件的制造中，通过使用了光致抗蚀剂组合物的光刻进行微细加工。上述微细加工是在硅晶片等被加工基板上形成光致抗蚀剂组合物的薄膜，在其上经由描绘有半导体器件图案的掩模图案而照射紫外线等活性光线，进行显影，以所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜对硅晶片等被加工基板进行蚀刻处理的加工法。然而，近年来，半导体器件的高集成度化进展，所使用的活性光线也有从KrF受激准分子激光(248nm)向ArF受本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的重复单元结构的酚醛清漆树脂，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.28 JP 2016-0915281.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的重复单元结构的酚醛清漆树脂，在式(1)中，基团A和基团B各自独立地为具有芳香族环、稠合芳香族环、或稠合芳香族杂环的有机基，并且该有机基具有下述结构：该基团A或基团B或这两基团中的芳香族环、稠合芳香族环、或稠合芳香族杂环上的碳原子所结合的氢原子被选自下述化学基(a)、化学基(b)和化学基(c)中的相同种类或不同种类的2个以上1价或2价化学基分别取代了，所述化学基(a)通过氧化而发生质量增加，所述化学基(b)通过加热而发生交联形成，所述化学基(c)在固化中诱发相分离，在所述化学基为2价的情况下，所述环彼此可以经由该化学基而结合、或与该化学基一起缩合。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，具有芳香族环、稠合芳香族环、或稠合芳香族杂环的有机基是具有1个或多个苯环、萘环、或苯环与杂环的稠环的有机基。3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，式(1)所示的酚醛清漆树脂具有下述结构：用选自化学基(a)、化学基(b)、化学基(c)、化学基(a)与化学基(b)的组合、化学基(a)与化学基(c)的组合、化学基(b)与化学基(c)的组合、化学基(a)与化学基(b)与化学基(c)的组合中的2种以上化学基分别取代芳香族环、稠合芳香族环、或稠合芳香族杂环的氢原子而得的结构。4.根据权利要求3所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，式(1)所示的酚醛清漆树脂具有下述结构：基团A和基团B这两基团中的芳香族环、稠合芳香族环、或稠合芳香族杂环上的碳原子所结合的至少1个氢原子被选自化学基(b)中的相同种类或不同种类的2个化...

【专利技术属性】
技术研发人员：德永光，大野正司，坂本力丸，桥本圭祐，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP