抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术的课题是提供常温下的保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含氮化合物、聚合物、促进交联反应的化合物和有机溶剂，1分子所述含氮化合物中具有2～6个与氮原子键合的下述式(1)所示的取代基。1分子中具有2～6个所述式(1)所示的取代基的含氮化合物为例如下述式(1A)所示的甘脲衍生物。(式中，R1各自独立地表示甲基或乙基，R2和R3各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、或苯基。)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抗蚀剂下层膜形成用组合物
本专利技术涉及改善了保存稳定性的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物及其制造方法、以及该抗蚀剂下层膜形成用组合物所包含的甘脲衍生物。
技术介绍
专利文献1中公开了一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含主链具有二硫键即“S-S键”的聚合物和溶剂，进一步包含交联性化合物和磺酸化合物。专利文献2中公开了一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有(A)树脂、(B)具有丁基醚基的交联剂和(C)溶剂，该(B)具有丁基醚基的交联剂为具有至少2个丁基醚基的含氮环状化合物，该含氮环状化合物为具有甘脲骨架或三嗪骨架的化合物。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2009/096340号专利文献2：国际公开第2008/143302号
技术实现思路
专利技术所要解决的课题关于抗蚀剂下层膜形成用组合物，不仅关于由该组合物获得的抗蚀剂下层膜的稳定性，而且近年来关于该组合物本身的保存稳定性应该满足的基准越来越严。因此，要求抗蚀剂下层膜形成用组合物的保存稳定性的进一步提高，并要求即使在长期保存后，通过凝胶渗透色谱(以下，在本说明书中简称为GPC。)分析而获得的、该组合物的GPC图的峰等也没有变化，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含氮化合物、聚合物、促进交联反应的化合物、和有机溶剂，1分子所述含氮化合物中具有2～6个与氮原子键合的下述式(1)所示的取代基，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.28 JP 2016-0915271.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含氮化合物、聚合物、促进交联反应的化合物、和有机溶剂，1分子所述含氮化合物中具有2～6个与氮原子键合的下述式(1)所示的取代基，式(1)中，R1表示甲基或乙基。2.根据权利要求1所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，1分子中具有2～6个所述式(1)所示的取代基的含氮化合物为下述式(1A)所示的甘脲衍生物，式(1A)中，4个R1各自独立地表示甲基或乙基，R2和R3各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、或苯基。3.根据权利要求1或2所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述有机溶剂为选自丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚、丙二醇单丙基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯、甲基乙基酮、乳酸乙酯、环己酮、γ-丁内酯、3-乙氧基丙酸乙酯和4-甲基-2-戊醇中的1种、或2种以上的混合物。4.根据权利要求1～3中任一项所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，相对于所述聚合物，1分子中具有2～6个所述式(1)所示的取代基的含氮化合物的含量为1质量％～80质量％。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：境田康志，高濑显司，岸冈高广，坂本力丸，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP