The invention discloses a preparation method and application of a Zn3P2S8 non-linear optical crystal. The Zn3P2S8 non-linear optical crystal does not have a symmetrical center, belongs to a tetragonal system, and the space group is a tetragonal system.
【技术实现步骤摘要】
一种Zn3P2S8非线性光学晶体的制备方法及其应用
本专利技术属于非线性光学晶体的制备领域，具体地，本专利技术涉及一种Zn3P2S8的非线性光学晶体(Zn3P2S8单晶)及该Zn3P2S8单晶的制备方法和含有该Zn3P2S8单晶的非线性光学器件。
技术介绍
具有非线性光学效应的晶体称为非线性光学晶体。这里非线性光学效应是指倍频、和频、差频、参量放大等效应。只有不具有对称中心的晶体才可能有非线性光学效应。利用晶体的非线性光学效应，可以制成二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等非线性光学器件。激光器产生的激光可通过非线性光学器件进行频率转换，从而获得更多有用波长的激光，使激光器得到更广泛的应用。根据材料应用波段的不同，可以分为紫外光区、可见和近红外光区、以及中红外光区非线性光学材料三大类。可见光区和紫外光区的非线性光学晶体材料已经能满足实际应用的要求；如在二倍频(532nm)晶体中实用的主要有KTP(KTiOPO4)、BBO(β-BaB2O4)、LBO(LiB3O5)晶体；在三倍频(355nm)晶体中实用的有BBO、LBO、CBO(CsB3O5)可供选择。而...
【技术保护点】
1.一种Zn3P2S8非线性光学晶体的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长Zn3P2S8非线性光学晶体。
【技术特征摘要】
1.一种Zn3P2S8非线性光学晶体的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长Zn3P2S8非线性光学晶体。2.根据权利要求1所述Zn3P2S8非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，所述高温熔体自发结晶法生长Zn3P2S8非线性光学晶体包括以下步骤：将具有组成等同于Zn3P2S8的混合物或粉末状Zn3P2S8化合物加热至熔化得到高温熔液并保持24-96小时后，以1-10℃/小时的降温速率降温至室温，得到Zn3P2S8非线性光学晶体。3.根据权利要求2所述Zn3P2S8非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，所述组成等同于Zn3P2S8的混合物包括Zn源材料、P源材料和S单质；所述Zn源材料为Zn或ZnS；所述P源材料为P或P2S5。4.根据权利要求1所述Zn3P2S8非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，所述坩埚下降法生长Zn3P2S8非线性光学晶体包括以下步骤：将具有组成等同于Zn3P2S8的混合物或粉末状Zn3P2S8化合物放入晶体生长装置中，缓慢升温至原料熔化，待原料完全熔化后，晶体生长装置以0.1-10mm/h的速度垂直下...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚吉勇，林哲帅，周墨林，郭扬武，李壮，罗晓宇，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11
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