The invention relates to a crucible system for crystal growth by solution method, belonging to the technical field of thermal field design in crystal growth. The crucible system of the invention comprises a furnace inner gallbladder, a heat dissipation chassis and a crucible. The heat dissipation chassis is arranged at the lower part of the inner gallbladder of the furnace body, and the crucible is arranged on the heat dissipation chassis of the inner gallbladder of the furnace body. Crucible is composed of crucible body and crucible sealing cover. Crucible sealing cover is on crucible body. Crucible body has elliptical bottom structure. The crucible system of the invention can be used in Seedless crystal method or solution method crystal growth with seed at the bottom. Through special heat dissipation design, the interface can be guaranteed to be horizontal or slightly convex in the process of crystal growth by solution method, which is advantageous to lifting. High crystal growth quality. At the same time, because of its simple structure and strong reliability, it is easy to obtain repetitive growth results.
【技术实现步骤摘要】
一种用于溶液法晶体生长的坩埚系统
本专利技术涉及一种用于溶液法晶体生长的坩埚系统,属于晶体生长中热场设计
技术介绍
随着我国电子元器件产业需求的提高,对元器件所需晶体材料质量等提出了较高的需求。其中一些晶体由于其材料特性等限制,被证明采用溶液法进行晶体生长是比较好的方法。比如采用THM(移动加热器法)法所生长的CdZnTe(碲锌镉)晶体能有效避免晶体缺陷多、组分不均匀、夹杂多等影响元器件特性的问题。同样在光隔离器上有很重要应用的YIG(钇铁石榴石)晶体目前仍多采用溶液法进行生长。采用溶液法进行晶体生长,目前存在一个比较大的问题是溶液在降温过程中需要控制界面温度分布,尽量使得结晶生长界面处于平或微凸的形状,这样有利于晶粒长大以及减少晶体内杂质含量。为了便于初期形核以及生长控制,采用逐渐放大的锥形底坩埚是目前经常采用的方法。但是锥形底坩埚存在比较大的问题便是放肩生长到一半的位置时会造成界面形状严重内凹,会造成在此处坩埚壁面上形成大量晶核,从而导致生长失败或晶体质量很差的现象。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种用于溶液法晶体生长的坩埚系统,考虑晶体生长初期过程中坩埚底部的热场变化,对晶体溶液法生长中坩埚的结构进行改进,以有利于高质量晶体的生长。本专利技术提出的用于溶液法晶体生长的坩埚系统,包括炉体内胆、散热底盘和坩埚;所述的散热底盘置于炉体内胆下部,所述的坩埚置于炉体内胆内的散热底盘上;坩埚由坩埚本体和坩埚密封盖组成,坩埚密封盖盖在坩埚本体上,坩埚本体具有椭圆型底部结构,椭圆型底部结构满足下式:其中,h为设计晶体生长界面高度,r为设计晶体生长界面半 ...
【技术保护点】
1.一种用于溶液法晶体生长的坩埚系统,其特征在于包括炉体内胆、散热底盘和坩埚;所述的散热底盘置于炉体内胆下部,所述的坩埚置于炉体内胆内的散热底盘上;坩埚由坩埚本体和坩埚密封盖组成,坩埚密封盖盖在坩埚本体上,坩埚本体具有椭圆型底部结构,椭圆型底部结构满足下式:
【技术特征摘要】
1.一种用于溶液法晶体生长的坩埚系统,其特征在于包括炉体内胆、散热底盘和坩埚;所述的散热底盘置于炉体内胆下部,所述的坩埚置于炉体内胆内的散热底盘上;坩埚由坩埚本体和坩埚密封盖组成,坩埚密封盖盖在坩埚本体上,坩埚本体具有椭圆型底部结构,椭圆型底部结构满足下式:其中,h为设计晶体生长界面高度,r为设计晶体生长界面半径,R为坩埚所在炉胆的散热底盘半径,k为晶体材料的导热系数,ε为晶体材料发射率,...
【专利技术属性】
技术研发人员:张松,洪邦兆,张辉,郑丽丽,
申请(专利权)人:清华大学,
类型:发明
国别省市:北京,11
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