The invention relates to the technical field of thin film preparation, in particular to a preparation method of niobium selenide thin film, which is deposited on ITO substrates by electrochemical method and applied with a voltage of 30 80V. The niobium selenide film with certain crystal shape and orientation is prepared by one-step electrodeposition, and the method has the advantages of simple process, low cost, mild reaction conditions and high preparation efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种二硒化铌薄膜的制备方法
本专利技术涉及薄膜制备
，具体涉及一种二硒化铌薄膜的制备方法。
技术介绍
NbSe2晶体属于正六边形晶系，晶体是蓝灰色的具备一定的金属光泽，它的晶体结构为六方层状，是典型的层状结构晶体。NbSe2晶体是由许多的NbSe2的分子层组成的。其中，每个分子层又分为三个小的原子层，每个原子层又包含一个铌原子层以及两个六面状的硒原子层。所有的铌原子与硒原子之间都是用强共价键作用在一起，铌原子分布在硒原子的六边形的平面内，晶体中层与层之间分布为范德瓦尔斯力。以NbSe2为代表的XY2型过渡族金属元素化合物的高度各向异性结构使其具有很不错的力学、光学、摩擦学、电学和催化性能。NbSe2是一种低温超导材料，属于XY2型，是一种过渡族金属元素化合物，具有很高的各项异性，能与碱金属、过渡族金属以及有机胺等一些物质进行插层，称为第I类超导体，具有高度典型的各项异性，能与碱金属、过渡金属、有机胺等物质进行插层，有良好的润滑性以及超导体性能。光电探测器的工作原理是基于光电效应，热探测器基于材料吸收了光辐射能量后温度升高，从而改变了它的电学性能，它区别于光子...
【技术保护点】
1.一种二硒化铌薄膜的制备方法，其特征在于，采用电化学法在ITO基片上沉积而成；施加电压为30‑80V。
【技术特征摘要】
1.一种二硒化铌薄膜的制备方法，其特征在于，采用电化学法在ITO基片上沉积而成；施加电压为30-80V。2.根据权利要求1所述的一种二硒化铌薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：（1）将50mg的NbSe2粉末于离心管中，加入乙醇，并且搅拌使粉末均匀分散；（2）将分散液超声处理20min以上；（3）将离心管置于离心机中离心处理7min以上；（4）在离心后的上清液中加入20mg碘；（5）然后再超声15min；（6）然后将该超声后的上清液放入45-53℃的恒温水浴中；（7）采用丙酮和去离子水依次清洗ITO基片至少两次，将超声后的液体作为电解液，将ITO基片连接直流稳压电源负极，金属铂片连直流稳压电源正极，在30V-80V电压下镀膜；沉积时间为10-30min；（8）镀膜完成后，去离子水清洗ITO基片，并放入干燥箱...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨海峰，启迪，周毅平，付文文，李盈盈，胡晓柯，张伟英，赵建果，范一丹，
申请(专利权)人：洛阳师范学院，
类型：发明
国别省市：河南,41
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