一种在柔性塑料基底上低温电沉积制备有序ZnO纳米棒的方法技术

本发明专利技术的目的，提供一种利用简单、低温、直接的电沉积手段，在负载有ITO导电膜的柔性塑料衬底上制备一维有序的ZnO纳米棒阵列的方法。包括以下步骤：采用柔性PET/ITO基底为工作电极，Pt丝电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，构建三电极体系；将三电极体系置于电解杯中，电解杯中填充浓度为0.0001mol/L～0.001mol/L的Zn(CH3COO)2水溶液，并添加0.1M的KCl增强溶液导电性；将电解杯放于50～80℃的恒温水浴锅中，并向其内提前通入流量为10～20mL/min的O2以保证电解液氧含量饱和直至反应结束，沉积过程采用恒电位阴极沉积法，电极两端施加‑0.9～‑1.2V并反应30min～60min即可得到均匀的ZnO纳米棒阵列薄膜。利用本发明专利技术可以在柔性PET/ITO基底上低温可控制备得到ZnO纳米棒阵列薄膜，作为柔性光电子器件材料。

【技术实现步骤摘要】
一种在柔性塑料基底上低温电沉积制备有序ZnO纳米棒的方法
本专利技术涉及纳米材料的制备领域，特别是涉及一种利用简单、低温、直接的电沉积手段，在负载有ITO导电膜的柔性塑料衬底上制备一维有序的ZnO纳米棒阵列的方法。
技术介绍
柔性导电衬底在纳米电子器件与光电子器件等诸多领域都显示出广阔的应用前景。目前，常用的柔性导电衬底多为表面负载有ITO薄膜的的塑料衬底，具有透明、耐震、质量轻等特点。但该类衬底大部分存在耐高温(100℃以上开始产生变形、变性或融化)及耐酸碱性(表面导电膜在酸碱性环境下容易脱落)差的缺点，限制了在其表面负载半导体纳米薄膜材料的制备技术。同时，一维ZnO纳米结构由于其特殊的性质在材料、物理、化学领域中被广泛应用于压电、场发射、传感器以及太阳能电池等器件。尽管大量的研究工作仍然倾向于无序一维ZnO纳米结构的制备，但越来越多的学者意识到取向一致的纳米结构阵列对于各类器件相应性能的提升至关重要。因此，在柔性塑料衬底(PET/ITO)上直接、简单、便捷地制备出取向有序、结构完整的一维ZnO纳米棒阵列是一项极具挑战的课题。目前，常采用的技术途径主要有两种：(1)将ZnO纳米棒薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在柔性塑料衬底上低温电沉积制备ZnO纳米棒阵列薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)采用柔性PET/ITO基底为工作电极，Pt丝电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，构建三电极体系；(2)将三电极体系置于电解杯中，电解杯中填充浓度为0.0001mol/L～0.001mol/L的Zn(CH3COO)2水溶液，并添加0.1M的KCl增强溶液导电性；(3)将电解杯放于50～80℃的恒温水浴锅中，并向其内提前通入流量为10～20mL/min的O2以保证电解液氧含量饱和直至反应结束，沉积过程采用恒电位阴极沉积法，电极两端施加‑0.9～‑1.2V并反应30min～60min即可得到均匀的ZnO...

【技术特征摘要】
1.一种在柔性塑料衬底上低温电沉积制备ZnO纳米棒阵列薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)采用柔性PET/ITO基底为工作电极，Pt丝电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，构建三电极体系；(2)将三电极体系置于电解杯中，电解杯中填充浓度为0.0001mol/L～0.001mol/L的Zn(CH3COO)2水溶液，并添加0.1M的KCl增强溶液导电性；(3)将电解杯放于50～80℃的恒温水浴锅中，并向其内提前通入流量为10～20mL/min的O2以保证电解液氧含量饱和直至反应结束，沉积过程采用恒电位阴极沉积法，电极两端施加-0.9～-1.2V并反应30min～60min即可得到均匀的ZnO纳米棒阵列薄膜。2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于所述柔性P...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢辉，马金福，马会军，穆晓彪，宁晓杰，
申请(专利权)人：北方民族大学，
类型：发明
国别省市：宁夏,64