The invention discloses a preparation method of CdSe nano thin film. The Cd (NO3) 2 solution of 20.0mL concentration of 0.071~0.150mol/L, H2SeO3 solution with 30.0mL concentration of 0.067~0.119mol/L and PVP solution of 5.0mL concentration of 0.000~0.120mol/L are prepared with DMF as the solvent, and the above three solutions are mixed uniformly into the electrolyte. The CdSe nanocrystalline films were deposited on ITO by 5~25 deposition under pressure for CdSe minutes. The optical voltage of CdSe thin films was 0.1258V~0.3680V. The invention has low requirements for raw materials and instruments, simple process and short cycle, and the prepared samples have excellent photoelectric properties.
【技术实现步骤摘要】
一种CdSe纳米薄膜的制备方法
本专利技术涉及一种CdSe纳米薄膜的制备方法。
技术介绍
CdSe是一种典型的直接带隙半导体材料，禁带宽度在1.74eV左右，在可见光区就能够被太阳光激发产生光生载流子。目前，CdSe纳米材料的主要制备方法有水热法、溶剂热法、溶胶-凝胶法、水浴法、电沉积法等。水热法和溶剂热法需要高温高压环境，这对生产设备要求很高，难以大规模；溶胶-凝胶法在溶胶态CdSe的小尺寸控制上很适用，但加热干燥过程容易发生团聚，光电性能降低；水浴法所需要的条件简单，但反应过程易出现H2Se有毒气体且废液难处理。本专利技术采用电沉积法制备CdSe纳米薄膜，其制备工艺简单，工艺参数容易控制，反应条件温和，制备周期非常短，其所测样品光电转换性能良好。该方法所用的反应溶液体系新颖高效尚未见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种电沉积法制备CdSe纳米薄膜。本专利技术具体步骤为：以二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂配制20.0mL浓度为0.071~0.150mol/L的Cd(NO3)2溶液、30.0mL浓度为0.067~0.119mol/L的H2SeO3溶液和5.0...
【技术保护点】
1.一种CdSe纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：以二甲基甲酰胺作为溶剂配制20.0 mL浓度为 0.071~0.150 mol/L的 Cd(NO3)2溶液、30.0 mL 浓度为0.067~0.119 mol/L的 H2SeO3溶液和5.0 mL 浓度为0.000~0.120 mol/L 的聚乙烯吡咯烷酮溶液，上述三种溶液混合均匀作为电解液；在匀速磁力搅拌下，以铂片作阳极，ITO作阴极；沉积电压为1 V~5 V电压，沉积时间为5 ~25 分钟，在ITO上电沉积合成CdSe纳米薄膜，所得CdSe纳米薄膜的光电压值为0.1258 V~0.3680 V。
【技术特征摘要】
1.一种CdSe纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：以二甲基甲酰胺作为溶剂配制20.0mL浓度为0.071~0.150mol/L的Cd(NO3)2溶液、30.0mL浓度为0.067~0.119mol/L的H2SeO3溶液和5.0mL浓度为0.000~0.12...
【专利技术属性】
技术研发人员：高云鹏，钟福新，苏泉，黎燕，莫德清，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西,45
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