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本发明涉及薄膜制备技术领域，具体涉及一种二硒化铌薄膜的制备方法，该方法采用电化学法在ITO基片上沉积而成；施加电压为30‑80V。本发明采用电沉积一步法制备出具有一定晶形和取向的二硒化铌薄膜，且方法工艺简单、成本低廉、反应条件温和以及制备效...
该专利属于洛阳师范学院所有，仅供学习研究参考，未经过洛阳师范学院授权不得商用。

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